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Onsemi FCA47N60與FCA47N60 - F109 MOSFET深度解析

lhl545545 ? 2026-03-30 09:30 ? 次閱讀
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Onsemi FCA47N60與FCA47N60 - F109 MOSFET深度解析

電源管理開關電源應用領域,MOSFET一直扮演著至關重要的角色。今天,我們就來詳細剖析一下Onsemi公司推出的兩款高性能N - 溝道SUPERFET MOSFET——FCA47N60和FCA47N60 - F109。

文件下載:FCA47N60-F109-D.PDF

一、產品概述

SUPERFET MOSFET是Onsemi第一代高壓超結(SJ)MOSFET家族成員,它運用了電荷平衡技術,具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種技術旨在最大程度降低傳導損耗,提供卓越的開關性能、dv/dt速率以及更高的雪崩能量。因此,它非常適合用于PFC、服務器/電信電源、FPD電視電源、ATX電源和工業電源等開關電源應用。

二、關鍵特性

(一)電氣參數特性

  1. 耐壓與電流:在(T_J = 150^{circ}C)時,能承受(650V)的電壓;連續漏極電流在(T_C = 25^{circ}C)時可達(47A),(T_C = 100^{circ}C)時為(29.7A),脈沖漏極電流最大為(141A)。這意味著它能夠在較高的電壓和電流條件下穩定工作,適用于大功率電源應用。
  2. 導通電阻:典型的(R_{DS(on)} = 58mOmega),低導通電阻可以有效降低功率損耗,提高電源效率。
  3. 柵極電荷:超低的柵極電荷(典型值(Q_g = 210nC)),這有助于減少開關過程中的能量損耗,提高開關速度。
  4. 輸出電容:低有效輸出電容(典型值(C_{oss(eff.)} = 420pF)),可以降低開關過程中的電壓尖峰,提高系統的穩定性。

(二)可靠性特性

該MOSFET經過了100%雪崩測試,具有良好的雪崩能量耐量,能夠在惡劣的工作條件下保持穩定可靠的性能。這對于一些對可靠性要求極高的應用場景,如工業電源和太陽能逆變器等,是非常重要的特性。

三、應用領域

(一)太陽能逆變器

在太陽能逆變器中,需要高效的功率轉換和可靠的開關性能。FCA47N60和FCA47N60 - F109的低導通電阻和低柵極電荷特性可以有效提高逆變器的效率,而其高耐壓和雪崩能量耐量則能保證在復雜的光照和電網條件下穩定工作。

(二)AC - DC電源供應

在AC - DC電源供應中,需要快速的開關速度和低損耗來提高電源的效率和功率密度。這兩款MOSFET的出色開關性能和低導通電阻正好滿足了這些需求,能夠為電源系統提供穩定的功率輸出。

四、產品規格

(一)絕對最大額定值

參數 FCA47N60 FCA47N60 - F109 單位
漏源電壓(V_{DSS}) 600 600 V
連續漏極電流((T_C = 25^{circ}C))(I_D) 47 47 A
連續漏極電流((T_C = 100^{circ}C))(I_D) 29.7 29.7 A
脈沖漏極電流(I_{DM}) 141 141 A
柵源電壓(V_{GSS}) (pm30) (pm30) V
單脈沖雪崩能量(E_{AS}) 1800 1800 mJ
雪崩電流(I_{AR}) 47 47 A
重復雪崩能量(E_{AR}) 41.7 41.7 mJ
峰值二極管恢復dv/dt(dv/dt) 4.5 4.5 V/ns
功率耗散((T_C = 25^{circ}C))(P_D) 417 417 W
25°C以上降額系數 3.33 3.33 W/°C
工作和存儲溫度范圍(TJ, T{STG}) (-55)至( + 150) (-55)至( + 150) °C
最大焊接引腳溫度(距外殼1/8”,5秒)(T_L) 300 300 °C

(二)熱特性

符號 參數 典型值 最大值 單位
(R_{theta JC}) 結到殼熱阻 0.3 °C/W
(R_{theta JA}) 結到環境熱阻 41.7 °C/W

(三)電氣特性

這里涵蓋了多種特性參數,如截止特性、導通特性、動態特性、開關特性以及漏源二極管特性等。例如,在截止特性中,漏源擊穿電壓在不同條件下有不同的值;導通特性中,柵極閾值電壓、靜態漏源導通電阻等參數都有明確的測試條件和取值范圍。這些特性參數為工程師在設計電路時提供了詳細的參考依據。

五、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線,包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度變化、導通電阻隨溫度變化、安全工作區、最大漏極電流隨殼溫變化以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線直觀地展示了MOSFET在不同工作條件下的性能表現,工程師可以根據這些曲線來優化電路設計,確保MOSFET在實際應用中能夠穩定可靠地工作。

六、封裝與訂購信息

這兩款MOSFET采用TO - 3P - 3LD封裝,每管裝450個。FCA47N60 - F109為無鉛產品。在實際設計中,封裝的選擇會影響到散熱、安裝等方面,工程師需要根據具體的應用場景來綜合考慮。

Onsemi的FCA47N60和FCA47N60 - F109 MOSFET憑借其出色的性能和豐富的特性,為開關電源和功率轉換應用提供了一個優秀的解決方案。在實際應用中,工程師需要根據具體的設計需求,結合這些特性和參數,合理選擇和使用這兩款MOSFET,以實現高效、可靠的電路設計。大家在實際使用過程中,有沒有遇到過一些與這些MOSFET相關的問題呢?歡迎在評論區分享交流。

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