Onsemi FCA47N60和FCA47N60 - F109 MOSFET：高性能開(kāi)關(guān)電源解決方案

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的MOSFET對(duì)于開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用的性能至關(guān)重要。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下Onsemi的FCA47N60和FCA47N60 - F109這兩款N溝道SUPERFET MOSFET。

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產(chǎn)品概述

SUPERFET MOSFET是Onsemi第一代高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品，它采用了電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種技術(shù)旨在最大程度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET MOSFET非常適合用于功率因數(shù)校正（PFC）、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源和工業(yè)電源等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

電氣特性

耐壓與電流能力：在(T{J}=150^{circ}C)時(shí)，耐壓可達(dá)650V；連續(xù)漏極電流(I{D})最大為47A（(T{C}=25^{circ}C)），脈沖漏極電流(I{DM})最大可達(dá)141A。
低導(dǎo)通電阻：典型的(R_{DS(on)})為58mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗。
超低柵極電荷：典型的(Q_{g}=210nC)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)速度，減少開(kāi)關(guān)損耗。
低有效輸出電容：典型的(C_{oss(eff.)}=420pF)，有利于提高開(kāi)關(guān)效率。
雪崩測(cè)試：經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，保證了產(chǎn)品在雪崩狀態(tài)下的可靠性。

熱特性

熱阻方面，最大熱阻為(0.3^{circ}C/W)，這對(duì)于散熱設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要的參數(shù)。

應(yīng)用領(lǐng)域

太陽(yáng)能逆變器：在太陽(yáng)能逆變器中，需要高效的開(kāi)關(guān)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換，F(xiàn)CA47N60和FCA47N60 - F109的高性能特性能夠滿(mǎn)足其對(duì)效率和可靠性的要求。
AC - DC電源供應(yīng)：在AC - DC電源供應(yīng)中，該MOSFET可以有效提高電源的轉(zhuǎn)換效率，降低功耗。

絕對(duì)最大額定值

符號(hào)	參數(shù)	FCA47N60 - F109	單位
(V_{DSS})	漏源電壓	600	V
(I_{D})	連續(xù)漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)）	47	A
(I_{D})	連續(xù)漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)）	29.7	A
(I_{DM})	脈沖漏極電流	141	A
(V_{GSS})	柵源電壓	+30	V
(E_{AS})	單脈沖雪崩能量	1800	mJ
(I_{AR})	雪崩電流	47	A
(E_{AR})	重復(fù)雪崩能量	41.7	mJ
(dv/dt)	峰值二極管恢復(fù)dv/dt	4.5	V/ns
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	417	W
(P_{D})	25°C以上降額	3.33	W/°C
(T_{STG})	工作和儲(chǔ)存溫度范圍	- 55至 + 150	°C
(T_{L})	焊接時(shí)最大引腳溫度（距外殼1/8"，5秒）	300	°C

需要注意的是，超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過(guò)這些限制，不能保證器件的功能，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線對(duì)于工程師理解器件在不同條件下的性能非常有幫助。

導(dǎo)通區(qū)域特性：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
傳輸特性：體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓在不同溫度下的變化。
導(dǎo)通電阻變化特性：顯示了導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。
電容特性：給出了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容等隨漏源電壓的變化。
溫度相關(guān)特性：包括擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化等。

封裝與訂購(gòu)信息

這兩款產(chǎn)品采用TO - 3P - 3LD封裝，隔離外殼，標(biāo)記圖為FCA 47N60 AYWWZZ，其中FCA47N60為特定器件代碼，A為組裝位置，YWW為日期代碼（年和周），ZZ為組裝批次。訂購(gòu)信息如下：	產(chǎn)品編號(hào)	封裝	包裝數(shù)量
FCA47N60	TO - 3P - 3LD	450個(gè)/管
FCA47N60 - F109	（無(wú)鉛）	450個(gè)/管

總結(jié)

Onsemi的FCA47N60和FCA47N60 - F109 MOSFET憑借其出色的性能特性，為開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用提供了一個(gè)可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合這些特性和參數(shù)，合理選擇和使用該器件。同時(shí)，要注意遵循絕對(duì)最大額定值的限制，以確保器件的正常工作和可靠性。大家在使用過(guò)程中有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似MOSFET的一些特殊問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)交流分享。

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