【2026年3月13日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布,全球領先的筆記本適配器制造商群光電能已采用其CoolGaN? G5晶體管,為核心客戶提供多款筆記本適配器。該設計方案展示了氮化鎵(GaN)功率半導體如何加速向更緊湊、更節能的充電解決方案轉型,從而使主流計算設備實現更小的尺寸和更好的可持續性。

筆記本適配器
這款新適配器設計方案的核心是專為在各種工作條件下實現快速開關和低導通損耗而設計的英飛凌CoolGaN? G5晶體管。英飛凌的高壓(HV)GaN晶體管采用名為混合漏極GIT(柵極注入晶體管)的高性能基礎設計,可提供極高可靠性的高壓柵極性能、出色的動態導通電阻(R DS(on) )表現與硬開關性能,以及顯著提升的飽和電流,從而全面提升了器件的可靠性。基于此,英飛凌最新高壓系列G5晶體管的標準性能指標(如RDS(on) *Qg)較前代產品最多可提升30%。
英飛凌科技氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示:“CoolGaN? G5晶體管體現了我們對可靠、高性能功率半導體的承諾。此次與群光電能合作為頭部客戶的適配器供貨,凸顯了氮化鎵技術如何在確保穩定性的前提下,為終端用戶帶來更小體積、更快充電、更低能耗的實際效益。”
群光電能研發副總裁王洋表示:“英飛凌CoolGaN? G5晶體管為我們提供了充足的設計余量,使我們能夠在緊湊的尺寸內實現更高的功率密度和效率。此次合作幫助我們打造出符合筆記本客戶高端用戶體驗期望的充電解決方案。”
基于群光電能的設計能力和英飛凌高壓G5 GaN晶體管,該方案的工程亮點包括:運用GaN的快速開關特性,優化PFC和DC/DC級的高頻電源架構;充分考慮EMI的設計,通過優化布局、濾波和開關波形,實現低噪聲并滿足嚴格的電磁兼容標準;以及能夠在緊湊型機械外殼中實現更低溫度下的運行,并能夠保持在100-300W持續輸出功率的熱管理優化方案。
英飛凌擁有強大的產品組合,過去一年已發布逾40款GaN新產品,是對于尋求優質GaN解決方案的客戶來說首選的合作伙伴。公司正按計劃推進GaN 300 mm晶圓規模化制造,首批樣品已交付客戶。300 mm GaN工藝可顯著提升高質量GaN產品的產能和交付速度,進一步鞏固英飛凌在GaN市場的領導地位。
供貨信息
如欲了解關于英飛凌GaN晶體管G5系列的最新信息,敬請訪問:英飛凌官網。
關于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約57,000名員工(截至2025年9月底),在2025財年(截至9月30日)的營收約為147億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的 OTCQX 國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。
英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。
-
英飛凌
+關注
關注
68文章
2550瀏覽量
143085 -
適配器
+關注
關注
9文章
2137瀏覽量
71414 -
晶體管
+關注
關注
78文章
10423瀏覽量
148243
發布評論請先 登錄
毫歐科普:詳解合金電阻在電源適配器上的應用
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
搭載羅姆EcoGaN? Power Stage IC的小型高效AC適配器被全球電競品牌MSI采用
驅動650V CoolGaN? GIT G5用于電機控制應用:IFX SOI EiceDRIVER?驅動器的探索
搭載羅姆GaN器件的小型高效AC適配器被微星科技采用
英飛凌推出首款100V車規級晶體管,推動汽車領域氮化鎵(GaN)技術創新
群光電能采用英飛凌CoolGaN? G5晶體管,為一線筆記本品牌打造高功率適配器
評論