近日，北方華創正式發布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備——NMC612H。該設備聚焦先進邏輯與先進存儲領域關鍵刻蝕工藝需求，針對超高深寬比、超高均勻性、精確形貌控制等挑戰，攻克了全新一代精準偏壓控制、射頻多態脈沖控制、超高速通訊網絡控制等多項技術難題，搭配全國產超百區獨立控溫靜電卡盤及具備完全自主知識產權的溫控算法，將ICP小尺寸刻蝕的深寬比提升到數百比一，均勻性帶入埃米級時代，標志著北方華創持續引領高端ICP刻蝕設備領域的發展方向，突破性技術優勢可滿足更先進節點的芯片制造要求，攜手芯片制造商共同迎接AI時代的機遇與挑戰。

全球算力與存儲芯片需求的爆發，帶動半導體設備市場持續增長。干法刻蝕作為半導體設備核心品類，市場份額超過20%，預計2026年全球市場規模將達到171億美元。其中，ICP刻蝕設備占比60%，約103億美元[1]，在芯片制造鏈條中占據不可或缺的地位。

[1] 信息來源：SEMI半導體制造設備市場規模(2024年12月)。

芯片制造中更精細的尺寸要求，帶來了工藝步驟數量的成倍增加，芯片更小的關鍵尺寸(CD)與節距(Pitch)由多輪沉積和ICP刻蝕工藝協同定義，每一步的微小差異，都會被后續的環節指數級放大。

在此背景下，北方華創精研更先進節點刻蝕工藝的難點、痛點，打造出全新一代高端ICP刻蝕產品612H，該產品具備以下四大優勢：

1.全新一代精準偏壓控制(Pulsed DC Voltage，PDV)：實現電子伏特量級、窄能量分布的離子入射能量和離子方向的精確控制，滿足更小線寬、更高深寬比結構的超高精度刻蝕需求。

2.量產級超百區精細控溫靜電卡盤：通過具備完全自主知識產權及全國產供應鏈的超百區獨立控溫靜電卡盤，實現優于0.3°C的溫度均勻性控制。

3.射頻多態脈沖(MLP)及快速匹配算法成套解決方案：匹配時間由秒級降低至毫秒級，具備同步脈沖、異步脈沖以及三頻同啟等多種RF模式，實現對單步工藝配方等離子體成分和能量的精確調控。

4.原位原子層沉積(ALD)模塊：具備同腔室內任意交替使用ALD沉積和刻蝕工藝能力，突破了傳統刻蝕設備的功能局限，賦予產品更多更廣的應用場景。

在實際工藝表現上，NMC612H不僅在ICP平臺上實現了小尺寸開口下數百比一的高深寬比刻蝕能力，還將Patterning[2]刻蝕CD[3]均勻性控制在了1個硅原子直徑范圍內，真正實現了對刻蝕形貌的單原子層級精確控制，確保刻蝕工藝能力滿足下一代高端芯片的規格需求。

[2] 圖形化或圖形轉移: 指把掩膜版(mask)上的電路圖形通過光刻、刻蝕等步驟轉移到硅片上的全過程。

[3] 關鍵尺寸或臨界線寬：CD值決定晶體管溝道長度、線寬精度，是衡量制程先進程度的核心指標之一。

除了硬件全面升級外，NMC612H還創新性配備了人工智能賦能的工藝配方優化及大數據分析平臺(AI+RDF[4])，依托北方華創擁有自主知識產權的海量工藝數據庫，讓刻蝕工藝調試和機臺數據診斷從工程師的經驗主導升級為AI輔助+專家經驗協同，有效加速問題定位、保障運行穩定性，為客戶帶來了整體運營效率的提升。

[4] RDF: Recipe Diagnosing Function。

依托在刻蝕領域25年的技術優勢與應用經驗，北方華創通過了各領域頭部客戶的嚴苛驗證，累計客戶端ICP裝機超過8000腔，月度穩定量產12英寸產品超500萬片。NMC612系列ICP刻蝕產品已深度嵌入國內各主流Fab產線，全面覆蓋從成熟制程到更先進技術代的邏輯、存儲、功率、傳感等多元芯片制造場景，并在嚴苛的大規模量產環境中證明了其高穩定性、低缺陷、極佳均勻性的核心競爭優勢。

在國際半導體產業格局加速變革的背景下，北方華創作為ICP刻蝕技術引領者，始終以“推動產業進步，創造無限可能”為使命，深度協同產業鏈上下游合作伙伴聯合研發與創新，推動關鍵設備從“滿足量產”走向“定義路線”，持續致力于設備與工藝的迭代升級，貢獻AI時代的中國力量!