美格納半導體公司宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產品組合。

在大功率設備中，能源效率對于降低功耗和確保穩定性至關重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術，這些新發布的第8代150V MXT MV MOSFET（MDES15N056PTRH，MDU150V113PTVRH）被創造出來。特別是，與上一代產品相比，MDES15N056PTRH的RDS（導通）（MOSFET的漏極和源極之間的電阻值）比上一代降低了22%，從而顯著提高了應用的能效。

與早期版本相比，MDES15N056PTRH和MDU150N113PTVRH的品質因數（FOM：RDS（on） x Qg）分別提高了23%和39%。這是通過增強核心單元和端接的設計來實現的。此外，D2PAK-7L （TO-263-7L） 和 PDFN56 等表面貼裝型封裝的使用減小了 MOSFET 的尺寸，從而實現了各種應用的靈活設計。這些應用的一些示例包括電機控制器、電池管理系統 （BMS）、家用太陽能逆變器和工業電源。

繼去年推出五款采用新封裝的第八代 200V 和 150V MOSFET 以及兩款新的 150V MXT MV MOSFET 產品之后，美格納現已推出另外兩款 150V MXT MV MOSFET 產品。據該公司稱，美格納將繼續擴大其高效MXT MOSFET產品組合，其中很快將包括采用180nm微細加工技術的新版本。