淺談JEDEC半導體可靠度測試與規(guī)范
說明：JEDEC半導體業(yè)界的一個標準化組織，制定固態(tài)電子方面的工業(yè)標準(半導體、記憶體)，成立超過50年是一個全球性的組織，他所制訂的標準是很多產業(yè)都能夠接手與采納的，而且它的技術資料很多都是是開放不收費的，只有部分資料需要收費，所以有需要都可以到官方網站注冊下載，內容包含了專業(yè)術語的定義、產品的規(guī)格、測試方法、可靠度試驗要求..等涵蓋內容非常廣。

JEP122G-2011半導體元件的失效機制和模型
說明：加速壽命試驗用于提早發(fā)現(xiàn)半導體潛在故障原因，并估算可能的失效率透過本章節(jié)提供相關活化能與加速因子公式，用于加速壽命測試下進行估算與故障率統(tǒng)計。
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JEP150.01-2013與組裝固態(tài)表面安裝組件相關的應力測試驅動失效機理
說明：GBA、LCC貼合在PCB上，采用一組較常使用的加速可靠度測試，用來評鑑生產工藝與產品的散熱，找出潛在的故障機制，或是可能造成錯誤失敗的任何原因。
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JESD22-A100E-2020循環(huán)溫濕度偏壓表面凝結壽命試驗
說明：透過溫度循環(huán)+濕度+通電偏壓，來測試非密封封裝的固態(tài)器件在潮濕環(huán)境中的可靠度，這個測試規(guī)范采用[溫度循環(huán)+濕度+通電偏壓]的手法，可以加速水分子通過外部保護材料(密封劑)與通過金屬導體之間的界面保護層來滲透，這樣的測試會讓表面產生結露，可以用來確認待測品表面的腐蝕與遷移現(xiàn)象。
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JESD22-A101D.01-2021穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命測試
說明：本標準規(guī)定了在施加偏壓的條件下進行溫度-濕度壽命測試的定義方法和條件，該測試用來評估潮濕環(huán)境中非氣密包裝的固態(tài)設備可靠性(如:密封IC器件)，
采用高溫和高濕條件以加速水分通過外部的保護材料(密封劑或密封)，或沿著外部保護涂層與導體與其他穿過部件之間的界面滲透。
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JESD22-A102E-2015封裝IC無偏壓PCT試驗
說明：用來評價非氣密封裝器件在水汽凝結或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性，樣品在高壓下處于凝結的、高濕度環(huán)境中，以使水汽進入封裝體內，暴露出封裝中的弱點，如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗用來評價新的封裝結構或封裝體中材料、設計的更新。應該注意，在該試驗中會出現(xiàn)一些與實際應用情況不符的內部或外部失效機制。由于吸收的水汽會降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉變溫度，當溫度高于玻璃化轉變溫度時，可能會出現(xiàn)非真實的失效模式。
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JESD22-A104F-2020溫度循環(huán)
說明：溫度循環(huán)(TCT)測試是讓IC零件經受極高溫和極低溫之間，來回溫度轉換的可靠度測試，進行該測試時將IC零件重復暴露于這些條件下，經過指定的循環(huán)次數(shù)，過程成被要求其指定升降溫的溫變率(℃/min)，另外需確認溫度是否有效滲透到測試品內部。
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JESD22-A105D-2020功率和溫度循環(huán)
說明：本測試適用于受溫度影響的半導體元器件，過程中需要在指定高低溫差條件下，開啟或關閉測試電源，溫度循環(huán)還有電源測試，是確認元器件的承受能力，目的是模擬實際會遇到的最差狀況。
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JESD22-A106B.01-2016溫度沖擊
說明：進行此溫度沖擊測試，是為了確定半導體元器件，對于突然暴露在極端高低溫條件下的抵抗力及影響，此試驗其溫變率過快并非模擬真正實際使用情況，其目的是施加較嚴苛的應力于半導體元器件上，加速其脆弱點的破壞，找出可能的潛在性損害。
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JESD22-A110E-2015有偏壓的HAST高度加速壽命試驗
說明：依據(jù)JESD22-A110規(guī)范，THB和BHAST都是進行元器件高溫高濕的試驗，而且試驗過程需要施加偏壓，目的是加速元器件腐蝕，而BHAST與THB的差別在于可以有效的縮短原本進行THB試驗所需的試驗時間
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JESD22A113I塑料表面貼裝器件的可靠性測試之前的預處理
說明：針對非密閉SMD零件，在電路板組裝過程，因為本身會因為封裝水氣導致SMD出現(xiàn)損壞，預處理可以模擬在組裝過程可能出現(xiàn)的可靠度問題，透過此規(guī)范的測試條件找出SMD與PCB在回流銲組裝的潛在瑕疵。
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JESD22-A118B-2015無偏壓高速加速壽命試驗
說明：評估非氣密性封裝元件在無偏壓條件下抗潮濕能力，確認其耐濕性、堅固性與加速腐蝕及加老化，可以做為類似JESD22-A101測試但是測試溫度更高，此試驗為采用非結露溫度與濕度條件，進行高度加速壽命試驗，本試驗須能控制壓力鍋體內的升降溫速度與降溫時的濕度
推薦設備：HAST

JESD22-A119A-2015低溫存儲壽命試驗
說明：在不加任何偏壓情況下，借由模擬低溫環(huán)境評定產品于長時間承受與對抗低溫的能力，此試驗過程不施加偏壓，試驗結束后回到常溫才能夠進行電性測試
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JESD22-A122A-2016功率循環(huán)測試
說明：提供固態(tài)元件封裝功率循環(huán)測試標準與方法，透過偏壓的開關週期會造成封裝體內溫度分布不均勻(PCB、連接器、散熱器)，還有模擬待機睡眠模式與全載運轉，并作為固態(tài)元件封裝的相關連結的生命週期測試，此試驗可補充與增加JESD22-A104或JESD22-A105的測試結果，此試驗無法模擬嚴苛的環(huán)境如：引擎室或飛機與太空梭。
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JESD94B-2015特定應用資格使用基于知識的測試方法
說明：使用相關可靠度測試手法針對設備進行測試，提供了可以擴展的方法到其他故障機制和測試環(huán)境，并使用相關壽命模型推估壽命
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