TPS51601A 是一款同步降壓 MOSFET 驅動器，具有 集成升壓開關。這款高性能驅動程序能夠 驅動具有最高 速度和最低的開關損耗。自適應死區時間控制和 包括擊穿保護。

TPS51601A 采用節省空間的 8 引腳 3 mm × 3 mm SON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。
*附件：tps51601a 雙通道高效同步 MOSFET 驅動器數據表.pdf

特性

• 高壓同步降壓驅動器
• 用于 Bootstrap作的集成升壓開關
• 自適應死區時間控制和擊穿保護
• 0.4-Ω 低側驅動的灌電流電阻
• 用于高側驅動的 1.0-Ω 源電阻
• 跳用于提高輕負載效率的引腳
• 自適應過零檢測，實現最佳輕負載效率
• 8 引腳 3 mm × 3 mm SON （DRB） 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?名稱?：TPS51601A
• ?類型?：雙通道高效同步MOSFET驅動器
• ?特點?：集成升壓開關、自適應死區控制、防直通保護、自適應零交叉檢測
• ?封裝?：8引腳3mm×3mm SON（DRB）包裝
• ?操作溫度?：-40°C至105°C

2. 主要功能

• ?高電壓同步降壓驅動?：能驅動高側和低側N通道FET，具有高速和低開關損耗。
• ?集成升壓開關?：用于自舉操作，提高驅動效率。
• ?自適應死區控制?：最小化高側和低側驅動信號之間的非重疊時間，防止直通。
• ?防直通保護?：確保高側和低側MOSFET不會同時導通。
• ?自適應零交叉檢測?：優化輕載效率，通過檢測電感電流零交叉點來關閉低側驅動。
• ?SKIP引腳?：用于改善輕載效率，通過強制連續導通模式（FCCM）或斷續導通模式（DCM）來控制。

3. 電氣特性

• ?供電電壓?：VDD范圍為4.5V至5.5V
• ?輸入電壓范圍?：VPWM、SKIP、BST至SW、DRVH至SW、DRVL均為-0.3V至6V
• ?輸出電壓范圍?：SW為-1V至32V
• ?門極驅動輸出?：高側源電阻為1.0Ω，低側源電阻為0.4Ω
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：UVLO開啟閾值為3.5V至3.9V，關閉閾值為3.3V至3.7V

4. 熱特性

• ?熱阻?：θJA（結到環境）為42.6°C/W，θJC（結到外殼頂部）為3.0°C/W

5. 應用領域

• ?移動核心調節器產品?
• ?高頻DC-DC轉換器?
• ?高輸入電壓DC-DC轉換器?
• ?多相DC-DC轉換器?

6. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SON（DRB）
• ?訂購編號?：TPS51601ADRBT（250單位綠色卷帶和卷盤）、TPS51601ADRBR（3000單位綠色卷帶和卷盤）

7. 布局指南

• ?低側門極驅動布局?：建議長度不超過1英寸，DRVL寬度與長度比為1:10，如果可能的話為1:5。
• ?解耦電容?：建議在VDD和GND之間使用至少2.2μF的陶瓷電容。

8. 注意事項

• ?靜電保護?：設備內置有限的靜電保護，存儲或處理時應將引腳短路或放置在導電泡沫中以防止靜電損壞。