2025年國產柔性屏出貨率已經占6成以上，柔性屏已經成為智能手機主流屏幕顯示技術。AMOLED屏幕憑借其自發光，高對比度，響應速度快，高屏占比，低功耗等優勢成為中高端手機的首選。

日常生活中，隨著指紋和面容識別，二維碼支付的普及，加上戶外強光觸發的高亮度，均需要全屏提亮，對屏驅IC可以支持的負載電流提出了更高的要求。數模龍頭艾為電子首推25球1.2A帶載 AMOLED屏幕電源驅動芯片：AWP37579CSR，封裝面積是第一代25球屏驅IC AW37577ECSR的96%，通過整體電路以及工藝優化，帶載能力從800mA提升到1.2A，助力手機戶外亮度提升，改善戶外用戶體驗。

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持續提升用戶視覺體驗

“1.2A驅動能力”助力戶外顯示效果提升

手機亮度近些年一直是各大終端的宣傳亮點之一，2025年發布的國產旗艦機可以支持的HBM亮度達到1800nits，2026年會向2000nits甚至2200nits轉變。AWP37579CSR通過整體電路以及工藝優化，在電池電壓2.9V下可以滿足1.2A的帶載能力要求。

圖1 手機屏幕亮度與負載電流的對應關系

圖2 AWP37579CSR帶載能力曲線

從“源”端優化閃屏

目前使用的直板屏幕ELVDD電壓一般是固定的4.6V，屏驅IC輸入電壓供電范圍2.5V~4.8V，因此ELVDD通路需要通過Boost架構去升壓，實際手機在滿充時電壓會達到4.7V左右，對同步Boost來講無法實現100%的占空比，因此在Boost的輸入和輸出接近的時候要引入Downmode模式，通過體二極管進行續流，由同步Boost變換成異步Boost來實現。手機系統在滿充時后級可能會存在瞬態抽載導致供電端電壓出現較大的波動，PMIC在Boost和Downmode之間反復切換，最終導致閃屏。

AWP37579CSR一方面將進入Downmode對應的VIN電壓點提高到4.56V，進入Downmode的概率更小；另一方面將VOUT和負載電流的變化引入環路，調節進出Downmode所需的占空比變化，在輸入電壓頻繁快速跳變的情況下，環路響應速度更快，常用負載10~200mA下ELVDD紋波在20mV水平，有效優化閃屏問題。

圖3 模式切換示意圖

圖4 ELVDD模式切換波形

02

提升電池續航能力

支持更低的IC正常工作電壓

國產旗艦機電池已經進入7000mAh時代，隨著硅基負極電池的應用與普及，電池的厚度可以做到8mm左右，在實現超長續航的同時又輕薄。

硅基負極電池最低電壓可以到2.75V，為了適應硅基負極電池下沉趨勢，AWP37579CSR UVLO 閾值做到2.05V，同時在輸入電壓2.5V條件下，可保證1A的輸出電流能力。

支持息屏顯示（AOD）低功耗模式

AMOLED屏幕每一個像素點獨立控制且自發光，使AOD模式成為可能。AOD模式下通過點亮部分像素點顯示日期和時間等信息，僅顯示區域耗電，可大幅減小電池功耗。目前發布的國產旗艦機可以支持最小1~2nits的亮度。AWP37579CSR可以通過AS脈沖指令進入降頻模式，大幅度優化1~50mA負載區間內效率，降低功耗。如圖5所示，VIN=3.7V，ELVSS=-1V，10mA負載下AOD模式屏驅IC的效率可提高近10%。

圖5 AOD低功耗模式效率對比曲線

支持更寬的ELVSS電壓域

手機屏幕日常使用亮度下ELVSS電壓一般為-1V~-2V，可以保證整個屏幕面板所以像素點都可以正常發光，第一代25球AMOLED驅動可支持ELVSS的最高電壓為-1V。隨著屏幕發光材料的優化，發光點像素的正向導通壓降下降，ELVSS電壓有了進一步升高的趨勢。AWP37579CSR支持ELVSS輸出電壓范圍達到-0.5V，在保證正常發光的同時，可以進一步降低功耗。日常使用亮度下，假設流過整個面板平均電流為200mA，-0.5V相比于-1V的ELVSS電壓，屏幕功耗直接降低100mW，面板功耗下降約10%，平均每天續航可提高2%~3%。

圖6 屏幕面板簡化模型

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小型化：為手機主板黃金面積節省空間

國產旗艦機的電池容量越來越高，但同時手機厚度只能維持在7~8mm，只能通過減小手機主板面積來為大容量電池騰出空間，主板面積減小意味著IC更加集成，PCB密度更高，外圍器件尺寸更小。第一代25球屏驅IC典型應用是L1=4.7μH（ELVDD），L2=2.2μH（ELVSS）和L3=10μH（AVDD）。
AWP37579CSR在支持第一代外圍器件的基礎上，增加對更小感值支持（L1=2.2μH(ELVDD), L2=1.0μH (ELVSS) 和L3=4.7μH(AVDD)）。對同類型電感而言，感值越小，電感飽和電流越大，換而言之，支持更小感值的電感可以降低目前電感尺寸，給手機主板讓出更多空間，同時針對同類型電感，小感值會帶來DCR降低，重載損耗降低，提升效率、減小熱量、提升手機亮度。
圖7是AMOLED驅動IC及外圍參考布局，三通道電感尺寸均由2520減小到2016，再加上IC減小的封裝面積，IC及外圍器件的有效面積由29.44mm2降低到23.91 mm2，降低18.8%左右。

圖7 芯片及外圍布局示意圖

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信號滿格，帶來無限暢玩體驗

不只更快更強，更是更穩更聰明：讓高亮顯示與信號從此和諧共存，在日常使用手機或平板時，您是否遇到過這些惱人的瞬間？

場景一：通勤路上的關鍵時刻

您正坐在高速行駛的地鐵或高鐵上，重要客戶發來視頻會議邀請。您接起電話，屏幕亮起，準備溝通細節。然而，畫質精美的OLED屏幕似乎成了信號的“殺手”——對方的聲音開始斷斷續續，畫面卡頓，甚至通話意外中斷。這很可能就是因為屏幕電源的電磁噪聲干擾了設備在高速移動中已脆弱的基站信號接收。

場景二：家中的娛樂死角

周末晚上，您蜷在客廳角落的沙發里，準備享受一部高清流媒體電影。手機屏幕點亮，色彩絢爛。但當您連接蜂窩網絡后，視頻卻頻繁緩沖，甚至自動降為模糊畫質。您可能歸咎于樓宇間信號差，附近基站遠，但真相或許是：屏幕全亮時產生的干擾，恰好影響了設備對蜂窩的信號接收，讓您錯失了最佳的觀影體驗。

這些問題背后的共同元兇，很有可能是OLED屏幕電源芯片工作時產生的電磁噪聲（Desense）。它像一道無形的“雜波屏障”，削弱了設備接收微弱射頻信號的能力，直接導致信號格虛高、通話掉線、網速下降。

數模龍頭艾為電子帶來根本性的解決方案——AWP37579CSR超低Desense的AMOLED Power IC。不僅追求電源的高效與穩定，更致力于從源頭凈化電磁環境，讓顯示與通信這對“室友”從此和諧共存，互不干擾。搭載艾為芯片的設備，在電梯、車庫、高速移動中，通話更清晰，視頻會議更流暢，在線游戲延遲更低，減少“關鍵時刻掉鏈子”的尷尬。

更優的EMC性能也為工程師提供了更高的射頻性能冗余， 射頻工程師無需為規避干擾而采用復雜昂貴的多層板設計或額外屏蔽罩以及其他規避措施，顯著降低BOM成本和結構設計難度。助力設備“全場景穩定連接”。

艾為提供的不僅是一顆芯片，更是一種讓高端設備告別信號焦慮的確定性。 讓我們攜手，共同定義下一代智能終端的基礎體驗。

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AWP37579CSR產品介紹

Input voltage: 2.5V ~ 4.8V

Excellent line and load transient response

Programmable output voltage by ESWIRE from 4.6V to 5V in 100mV steps (Default: 4.6V)

Programmable output voltage by ESWIRE from -6.6V to -0.5V in 12.5mV steps (Default: -4V)

Programmable output voltage by ASWIRE from 6.5 V to 8.0V in 50mV or in 100mV steps (Default: 7.6V)

Max Output current for ELVDD and ELVSS

1000mA @ VIN=2.5V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -4V

1000mA @ VIN=2.7V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -5.5V

1200mA@ VIN=2.9V, ELVDD=4.6V, ELVSS= -4V

150mA Max Output current for AVDD

Short Circuit Protection (SCP)

WLCSP 2.017×2.017 - 25B

圖8 AWP37579CSR pin map

圖9 AWP37579CSR典型應用圖