DRV8841雙H橋驅動IC:高性能電機驅動解決方案
引言
在電子工程師的日常設計中,電機驅動是一個常見且關鍵的領域。一款性能優良的電機驅動IC能夠為設計帶來諸多便利,提升系統的穩定性和性能。今天,我們就來深入探討德州儀器(TI)的DRV8841雙H橋驅動IC,看看它在電機驅動方面有哪些獨特的優勢和特點。
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一、產品概述
DRV8841是一款集成式雙H橋電機驅動解決方案,專為打印機、掃描儀和其他自動化設備應用而設計。它可以用于驅動一個或兩個有刷直流電機、雙極步進電機或其他負載,通過簡單的PWM接口就能輕松與控制器電路連接,所需資源極少。該IC的主要特點包括:
- 雙H橋設計:能夠同時驅動多個電機,適用于復雜的電機控制場景。
- PWM控制接口:支持可選的固定頻率電流調節和兩位電流控制,可實現多達四個電流級別,方便對電機電流進行精確控制。
- 低MOSFET導通電阻:在24V和 (T{A}=25^{circ} C) 條件下,最大驅動電流可達2.5A,高側和低側的組合 (R{DS(ON)}) 僅為400mΩ,有效降低了功率損耗。
- 寬工作電源電壓范圍:8.2V至45V的電壓范圍,使其能夠適應不同的電源環境。
- 低電流睡眠模式:可通過專用的nSLEEP引腳設置,關閉內部電路以實現極低的靜態電流消耗,節省系統功耗。
- 內置3.3V參考輸出:可用于為其他電路提供穩定的參考電壓。
- 熱增強型表面貼裝封裝:有助于提高散熱性能,保證芯片在高溫環境下的穩定運行。
- 多種保護功能:具備過流保護(OCP)、熱關斷(TSD)、欠壓鎖定(UVLO)和故障狀態指示引腳(nFAULT),有效保護芯片和電機免受損壞。
二、應用領域
DRV8841的應用范圍非常廣泛,涵蓋了多個領域:
- 打印機和掃描儀:在這些設備中,精確的電機控制對于打印和掃描質量至關重要。DRV8841的高性能和精確控制能力能夠滿足其對電機驅動的嚴格要求。
- 辦公自動化機器和游戲機:為設備中的電機提供穩定的驅動,確保設備的正常運行和良好的用戶體驗。
- 工廠自動化和機器人:在工業環境中,對電機的可靠性和性能要求極高。DRV8841的多種保護功能和寬電壓范圍使其能夠適應復雜的工業環境,為自動化生產和機器人運動提供可靠的動力支持。
三、詳細特性分析
(一)PWM電機驅動
DRV8841包含兩個帶有電流控制PWM電路的H橋電機驅動器。電機控制電路通過PWM信號對電機電流進行精確調節,所有VM引腳必須連接到電機電源電壓,以確保穩定的供電。
(二)消隱時間
在H橋中電流啟用后,xISEN引腳的電壓在固定的3.75μs時間內被忽略,然后才啟用電流檢測電路。這個消隱時間不僅避免了電流檢測的干擾,還設定了PWM的最小導通時間。
(三)橋控制
| AIN1和AIN2輸入引腳直接控制AOUT1和AOUT2輸出的狀態,BIN1和BIN2輸入引腳則控制BOUT1和BOUT2輸出的狀態。控制輸入具有約100kΩ的內部下拉電阻,確保在無輸入信號時輸出處于穩定狀態。通過不同的輸入組合,可以實現電機的正反轉和制動等功能。具體邏輯如下表所示: | xIN1 | xIN2 | xOUT1 | xOUT2 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | L | L | |
| 0 | 1 | L | H | |
| 1 | 0 | H | L | |
| 1 | 1 | H | H |
(四)電流調節
電機繞組中的電流通過固定頻率的PWM電流調節(電流斬波)進行調節。當H橋啟用時,電流根據繞組的直流電壓和電感以一定速率上升。一旦電流達到斬波閾值,橋將關閉電流,直到下一個PWM周期開始。對于步進電機,電流調節可用于微步進控制;對于直流電機,可用于限制啟動和堵轉電流。如果不需要電流調節功能,可以將xISENSE引腳直接接地,xVREF引腳連接到V3P3。PWM斬波電流由比較器設置,它將連接到xISEN引腳的電流檢測電阻兩端的電壓乘以5后與參考電壓進行比較。參考電壓從xVREF引腳輸入,并通過2位DAC進行縮放,允許設置100%、71%、38%的滿量程電流以及零電流。計算公式如下: [I{CHOP }=frac{V{REFX }}{5 × R_{ISENSE }}]
(五)衰減模式
在PWM電流斬波期間,H橋驅動電流通過電機繞組,直到達到PWM電流斬波閾值。此時,H橋可以進入三種不同的衰減模式:
- 快速衰減模式:達到斬波電流閾值后,H橋反轉狀態,允許繞組電流反向流動。當繞組電流接近零時,橋關閉以防止反向電流流動。
- 慢速衰減模式:通過啟用橋中的兩個低側FET,使繞組電流再循環。
- 混合衰減模式:開始為快速衰減,在固定的PWM周期的75%時間后切換到慢速衰減模式。衰減模式由DECAY引腳的狀態選擇,邏輯低選擇慢速衰減,開路選擇混合衰減,邏輯高設置快速衰減模式。該引腳具有約130kΩ的內部上拉電阻和約80kΩ的內部下拉電阻。
(六)保護電路
DRV8841具備完善的保護功能,確保芯片和電機在各種異常情況下的安全:
- 過流保護(OCP):每個FET上的模擬電流限制電路通過移除柵極驅動來限制電流。如果模擬電流限制持續時間超過OCP時間,H橋中的所有FET將被禁用,nFAULT引腳將被拉低。設備將保持禁用狀態,直到施加nRESET引腳信號或移除并重新施加VM電壓。
- 熱關斷(TSD):如果芯片溫度超過安全限制,H橋中的所有FET將被禁用,nFAULT引腳將被拉低。當芯片溫度降至安全水平時,操作將自動恢復。
- 欠壓鎖定(UVLO):當VM引腳的電壓低于欠壓鎖定閾值電壓時,設備中的所有電路將被禁用,內部邏輯將被復位。當 (V_{M}) 上升到UVLO閾值以上時,操作將恢復。
四、應用設計實例
(一)典型應用電路
以控制雙極步進電機為例,DRV8841的典型應用電路如下:
(二)設計要求
| 設計參數 | 參考 | 示例值 |
|---|---|---|
| 電源電壓 | VM | 24V |
| 電機繞組電阻 | R L | 3.9Ω |
| 電機繞組電感 | I L | 2.9mH |
| 檢測電阻值 | RSENSE | 200mΩ |
| 目標滿量程電流 | I FS | 1.25A |
(三)詳細設計步驟
- 電流調節:在步進電機中,設定的滿量程電流 (I{FS}) 是通過任一繞組的最大電流,它取決于xVREF模擬電壓和檢測電阻值 (R{SENSE}) 。計算公式如下: [I{FS}(A)=frac{x V R E F(V)}{A{v} × R{SENSE }(Omega)}=frac{x V R E F(V)}{5 × R{SENSE }(Omega)}] 為了實現 (I{FS}=1.25 ~A) ,當 (R{SENSE}) 為0.2Ω時,xVREF應為1.25V。
- 衰減模式選擇:DRV8841支持三種不同的衰減模式,根據實際應用需求選擇合適的衰減模式可以優化電機的性能。在電機繞組電流達到斬波閾值后,DRV8841將繞組置于其中一種衰減模式,直到PWM周期結束,然后開始新的驅動階段。消隱時間 (t{BLANK}) 定義了電流斬波的最小驅動時間,在 (t{BLANK}) 期間, (I_{TRIP}) 被忽略,繞組電流可能會超過跳閘水平。
- 檢測電阻選擇:為了獲得最佳性能,檢測電阻應滿足以下要求:
- 表面貼裝,以減小寄生參數。
- 低電感,避免電感對電流檢測的影響。
- 額定功率足夠高,以承受電機電流產生的功率損耗。
- 放置在靠近電機驅動器的位置,減少信號干擾。檢測電阻的功率損耗計算公式為 (P = I_{rms}^{2} ×R) 。例如,如果電機的RMS電流為2A,使用0.1Ω的檢測電阻,則電阻的功率損耗為 (2 A^{2} ×0.1Omega = 0.4 ~W) 。由于功率電阻通常比標準電阻更大、更昂貴,因此常見的做法是在檢測節點和地之間并聯多個標準電阻,以分散電流和熱量。
五、電源和布局建議
(一)電源設計
DRV8841的工作電源電壓范圍為8.2V至45V,在設計電源時,需要注意以下幾點:
- 局部去耦電容:在VMA和VMB引腳分別使用兩個額定電壓為VMx的0.1-μF陶瓷電容,盡可能靠近引腳放置,以提供高頻去耦。
- 大容量電容:除了局部去耦電容外,還需要根據應用要求選擇合適的大容量電容。大容量電容的大小取決于多種因素,如電源類型、可接受的電源電壓紋波、電源布線中的寄生電感、電機類型、電機啟動電流和電機制動方法等。數據手冊通常會提供建議值,但需要進行系統級測試來確定合適的大容量電容。
(二)布局設計
合理的布局設計對于DRV8841的性能至關重要,以下是一些布局指南:
- VMA和VMB引腳:使用低ESR的陶瓷旁路電容(推薦值為0.1-μF,額定電壓為VMx)將VMA和VMB引腳旁路到GND。電容應盡可能靠近引腳放置,并使用粗走線或接地平面連接到設備的GND引腳。
- CP1和CP2引腳:在CP1和CP2引腳之間放置一個低ESR的陶瓷電容(推薦值為0.01-μF,額定電壓為VMx),并盡可能靠近引腳。
- VMA和VCP引腳:在VMA和VCP引腳之間放置一個低ESR的陶瓷電容(推薦值為0.1-μF,額定電壓為16V),并盡可能靠近引腳。同時,在VCP和VMA之間放置一個1-MΩ電阻。
- V3P3引腳:使用額定電壓為6.3V的陶瓷電容將V3P3旁路到地,并盡可能靠近引腳。
(三)熱考慮
DRV8841具有熱關斷(TSD)功能,如果芯片溫度超過約150°C,設備將被禁用,直到溫度降至安全水平。為了避免芯片進入TSD狀態,需要注意以下幾點:
- 功率損耗計算:DRV8841的功率損耗主要由輸出FET的導通電阻 (R{DS(ON)}) 決定。每個H橋在運行直流電機時的平均功率損耗可以大致估算如下: [P = 2 × R{DS(ON)} × I{OUT}^{2}] 其中,P是一個H橋的功率損耗, (R{DS(ON)}) 是每個FET的電阻, (I{OUT}) 是施加到每個繞組的RMS輸出電流。總設備損耗是兩個H橋的功率損耗之和。由于 (R{DS(ON)}) 隨溫度升高而增加,因此在設計散熱片時需要考慮這一點。
- 散熱設計:PowerPAD?封裝使用外露焊盤來散熱,為了確保良好的散熱效果,需要將該焊盤與PCB上的銅層進行熱連接。在多層PCB上,可以通過添加多個過孔將熱焊盤連接到接地平面;在沒有內部平面的PCB上,可以在PCB的兩側添加銅面積來散熱。如果銅面積在PCB的另一側,可以使用熱過孔將熱量從頂層傳遞到底層。
六、總結
DRV8841是一款功能強大、性能優良的雙H橋驅動IC,具有多種先進的特性和完善的保護功能。它在電機驅動領域有著廣泛的應用前景,能夠滿足不同電子工程師在設計中的各種需求。在實際應用中,我們需要根據具體的設計要求,合理選擇參數和應用電路,同時注意電源和布局設計,以充分發揮DRV8841的優勢。希望通過本文的介紹,能夠幫助電子工程師更好地了解和使用DRV8841,為電機驅動設計帶來更多的靈感和解決方案。大家在使用DRV8841的過程中遇到過哪些問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。
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