來源：得一微電子YEESTOR

近日，在2026半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮上，得一微電子(YEESTOR)憑借其創新的AI-MemoryX顯存擴展技術，榮獲“年度AI優秀創新獎”。該獎項旨在表彰本年度在技術原創性與市場競爭力方面表現突出，特別是在填補國內空白或實現關鍵技術替代方面取得顯著成效的AI產品。此次獲獎，是業界對得一微電子持續創新和技術引領能力的高度認可，其AI存力技術發展路徑正成為推動產業智能進化的重要力量。

AI-MemoryX顯存擴展技術，賦能AI智能普惠

得一微電子AI-MemoryX技術的核心突破在于，以系統級創新破解了大模型訓練與微調中的顯存容量瓶頸。該技術將單機可用顯存容量從傳統顯卡的幾十GB量級，顯著提升至10TB級別。這一突破大幅降低了對昂貴高速顯存(如HBM)的依賴，使更多企業、科研機構及獨立開發者都能以更經濟的成本，高效開展大模型訓練與微調。

通過打破顯存資源的成本與規模壁壘，AI-MemoryX技術正加速在政務、醫療、教育、辦公等多個關鍵領域的落地與普及，更廣泛地賦能千行百業實現智能化升級。

AI存力芯片設計，推動產業智能進化

AI-MemoryX技術是得一微電子“AI存力芯片”技術路徑下的率先實踐。公司以“AI存力芯片設計，重構計算范式”為使命，通過存儲控制、存算互聯與存算一體三大技術支柱，致力于讓每比特數據創造更多智能。

目前，得一微電子已構建覆蓋AI 手機、AI PC、AIoT、AI汽車及AI Infra基礎設施五大終端領域的完整產品矩陣，為智慧終端、智能汽車及智算中心提供全場景AI存力解決方案。通過系統級的存力提升，得一微電子助力各行業構建更具韌性、效率與自主性的存力基座，從容應對智能化轉型中日益增長的數據密集型挑戰。

展望未來，隨著AI與實體經濟加速融合，得一微電子將持續深化AI存力芯片的技術創新，并與產業鏈生態伙伴緊密協作，共同推動存算架構演進與融合，攜手邁向更高效、普惠、可持續的智能未來。