2025 年半導體市場在AI需求爆發與全產業鏈復蘇的雙重推動下，呈現出強勁的增長態勢。以EDA/IP先進方法學、先進工藝、算力芯片、端側AI、精準控制、高端模擬、高速互聯、新型存儲、先進封裝等為代表的技術創新，和以AI數據中心、具身智能、新能源汽車、工業智能、衛星通信、AI眼鏡等為代表的新興應用，開啟新一輪的技術和應用革命。過去的一年，半導體助力夯實數字經濟高質量發展的全新底座，新的一年，半導體行業又將如何推動端云協同、普惠智能的普及之路呢。

最近，由電子發燒友網策劃的“2026半導體產業展望”專題正式發布。電子發燒友網已經連續數年策劃并推出“半導體產業展望”系列專題，每次一經上線都反響熱烈、好評如潮。這里匯聚了半導體高管們對往年發展的回顧與總結，以及對新年市場機會和形勢的前瞻預測。他們的睿智和洞察給了產業界莫大的參考和啟發。今年來自國內外的半導體創新領袖企業高管們又帶來哪些前瞻觀點？此次，電子發燒友網特別采訪了安森美中國區銷售副總裁 Roy Chia，以下是他對2026年半導體產業的分析與展望。

2025年半導體行業發展形勢與安森美成績

Roy Chia表示，全球半導體市場銷售的強勢增長主要得益于AI浪潮的推動。目前，云端服務器與數據中心等支持AI大模型的底層基礎建設，仍是AI半導體需求的主要驅動力。盡管整體市場向好，但行業環境復雜且充滿不確定性，全球半導體市場依然面臨諸多挑戰，需以審慎警醒的態度對待。

在這樣復雜且不確定的2025年行業環境中，安森美彰顯出了強勁的業務韌性。公司聚焦AI數據中心、新能源汽車等戰略性高增長領域，成功實現了關鍵業務突破，為企業長期增長奠定了堅實基礎。

在汽車電子領域，安森美通過靈活的產品組合，快速響應高壓平臺市場需求，強化了EliteSiC M3e MOSFET與VE - Trac模塊的市場領先優勢。同時，針對多元化應用場景，優化IGBT與SiC混合方案配比，確保持續提供高效解決方案。此外，公司創新推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體技術，為功率密度、能效和耐用性樹立了新標桿，為實現“更小體積、更高功率”提供了可能。

安森美還持續投資于差異化智能電源與智能感知技術，這些技術正定義下一代智能、高能效系統，并賦能AI數據中心、新能源汽車、機器人等關鍵應用場景。公司的PowerTrench? T10 MOSFET與EliteSiC 650V MOSFET組合方案，成為AI數據中心功率半導體的理想選擇。

在產能方面，作為全球少數幾家具備從晶體生長、晶圓制造到成品封裝垂直整合能力的SiC供應商之一，安森美通過端到端的供應鏈掌控，保障了產品性能、質量和交付可靠性。過去一年，公司還與國內外多家戰略客戶深化合作，進一步鞏固了在車規級功率半導體和智能感知領域的領先地位。

AI浪潮推動半導體技術創新與安森美進展

Roy Chia指出，當前AI正從云端向邊緣和終端設備全面延伸，這種“AI + 全場景”融合趨勢正在深刻重塑半導體技術的發展路徑。一方面，AI數據中心對能效、功率密度和熱管理提出了前所未有的嚴苛要求；另一方面，端側AI應用迫切需要低功耗、高集成度與強環境適應性的智能感知與電源解決方案。

2025年，安森美在AI領域持續推進技術創新與產品布局。在AI數據中心電源解決方案方面，公司通過持續迭代SiC技術平臺深化EliteSiC系列研發，重點優化器件電容與柵極驅動兼容性以適配高功率架構需求。同時，升級硅基PowerTrench T10系列器件，提升其在DC - DC轉換中的大電流承載能力及熱穩定性，滿足AI服務器多相供電場景。PowerTrench? T10 MOSFET與EliteSiC 650V MOSFET的組合方案已實現超過97.5%的能效標準，符合Open Rack V3規范要求。此外，SiC JFET技術成功融入EliteSiC電源產品組合，顯著提升模塊效率，支撐AI數據中心對高功率密度的需求。

在功率器件技術創新方面，安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)技術，該創新方案通過優化效率、功率密度和耐用性，為800V DC - DC轉換器等AI核心部件實現更高能效比的設計目標提供關鍵支持。針對端側AI市場，公司通過Treo模擬混合信號平臺與RSL15超低功耗藍牙MCU的協同，構建了智能電源與感知一體化解決方案，有效激活了邊緣設備對低功耗、高集成度應用的市場需求。

2025-2026年新應用領域拓展與布局規劃

Roy Chia介紹，在2025年，安森美聚焦AI數據中心、新能源汽車以及光儲充一體化等戰略性高增長領域，成功實現了關鍵業務突破，并堅定聚焦智能電源與智能感知的戰略方向，為把握未來市場機遇奠定了堅實基礎。

展望2026年，安森美認為AI數據中心市場將在生成式人工智能、機器學習等技術的強勁驅動下迎來顯著增長，但隨之而來的能耗問題將急劇凸顯，市場對高能效的功率轉換及電源管理解決方案的需求日益迫切。為此，安森美將持續投資于差異化智能電源與智能感知技術，這些技術將定義下一代智能、高能效系統，以高度差異化的創新產品組合賦能AI數據中心、人形機器人等關鍵應用場景，從而把握新興市場的增長機遇。

2026年半導體行業增長形勢、機遇挑戰與安森美預期

Roy Chia表示，展望2026年，安森美認為全球半導體市場仍將面臨諸多挑戰，公司對此保持審慎樂觀的態度。行業真正的全面復蘇將源于邊緣AI的深度應用，這有望成為驅動產業發展的新動力。

在這一背景下，AI數據中心對高能效功率器件的需求持續上升，新能源汽車還將繼續推動功率半導體的市場需求；同時，端側AI的快速爆發也催生了對低功耗、高集成度及高度定制化芯片的強勁需求。

安森美面臨的挑戰主要來自競爭日趨激烈的市場，尤其在寬禁帶半導體領域，客戶對功率器件在效率、功率密度和散熱性能等方面的要求不斷提高。安森美將繼續聚焦AI數據中心、汽車、工業等應用場景，確保產品在供應韌性、質量和成本控制方面的競爭優勢，并通過系統級創新和差異化產品組合，精準把握新興增長機會。此外，公司也將繼續與戰略客戶深化協同開發，以提供高度差異化、貼近應用場景的解決方案，堅定推進可持續增長。