這個十二月，捷報連連！揚杰科技先于12月4日獲頒“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”，彰顯其在碳化硅全產業(yè)鏈的垂直整合實力；隨后在12月6日，又憑借過硬的產品與技術，一舉奪得“國產功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎”與“功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎”。

中國SiC器件IDM十強企業(yè)獎項

12月4日，2025年行家說三代半年會—碳化硅&氮化鎵產業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮在深圳舉行，本次大會由行家說主辦，聚焦SiC創(chuàng)新應用，SiC&GaN終端應用，技術、市場及未來走勢，通過技術演講、數據報告、高端對話、行業(yè)評選和產品展示，進一步探討SiC 和 GaN 全球市場規(guī)模及未來發(fā)展空間和挑戰(zhàn)。

會上，行家說為揚州揚杰電子科技股份有限公司頒發(fā)“中國SiC器件IDM十強企業(yè)獎項”。

SiC MOSFET

光伏儲能、OBC領域“優(yōu)質之選”

揚杰科技近日推出了杰冠微自產SiC MOSFET產品。卓越的電性性能，高效率，高可靠性與魯棒性；工藝穩(wěn)定，品質把控嚴格；擺脫外部限制，供貨穩(wěn)定，交期可控；更提供全方位的技術支持，為客戶投資保駕護航！

產品特點：

1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著優(yōu)異的溫升表現，提高了產品的可靠性；

2.自研工藝，柵氧層質量高，壽命長，閾值電壓穩(wěn)定；

2.擊穿電壓和耐壓能力高，通流能力優(yōu)秀；

3.動態(tài)性能良好，SiC MOSFET 在開關過程中具有較小的開關損耗和快速恢復時間。

國產功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎

功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎

緊隨其后，在12月6日舉行的亞洲電源技術發(fā)展論壇暨頒獎典禮上，揚杰科技再次憑借在功率半導體領域的出色表現，榮獲世紀電源網評選的《國產功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎》與《功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎》。

這兩項榮譽進一步印證了公司在車規(guī)級功率器件及IGBT產品領域的技術領先性與市場認可度，體現了其在多元化功率半導體產品布局上的協同發(fā)展與綜合競爭力。

車規(guī)IGBT單管：TO-247-3L

給空調壓縮機控制器裝上“短路防護盾”

新一代TO-247-3L封裝1200V車規(guī)級IGBT單管，產品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導通損耗，具有較強的短路能力，產品參數一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于壓縮機控制器等各類中低頻應用領域。

產品特點：

1. 精細微溝槽工藝平臺，極具性價比的芯片方案；

2. 電壓等級為1200V，電流等級為40A@Tc=100℃ ；

3. 低導通損耗，適用于中低頻應用領域；

4. 具有極強的短路能力(器件在20V的高驅動電壓條件下依舊保證10us以上的短路能力)

展望未來

未來，揚杰科技將繼續(xù)依托IDM模式優(yōu)勢，加速SiC、IGBT等新產品研發(fā)與產業(yè)化進程，協同上下游伙伴共建健康生態(tài)，以更高效、更可靠的功率半導體解決方案，賦能能源變革與產業(yè)升級，持續(xù)為我國半導體產業(yè)的高質量發(fā)展注入強勁動能。

關于揚杰

揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。產品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產品解決方案。公司產品廣泛應用于汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、智能安防、工業(yè)、消費類電子等諸多領域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導體伙伴。