Wolfspeed 第四代 (Gen 4)碳化硅 MOSFET 技術平臺榮獲 2025 亞洲金選獎年度大獎

EE Awards Asia 2025 亞洲金選獎頒獎典禮于 12 月 5 日在中國臺北隆重召開。在《EE Times》及《EDN》專業技術媒體與科技人士的共同見證、票選下，發布半導體體電子產業界年度業者和應用產品推薦榜單，以及最佳設計解決方案。

亞洲金選獎（EE Awards Asia）的誕生來自于工程師信賴的選擇，期能以創新專業的模式達成“與電子產業共創未來、和工程師一起改變世界”的宗旨，共同支持創新及努力！經過多輪角逐，Wolfspeed 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術平臺榮獲“技術平臺獎-年度最佳車用平臺”。

Wolfspeed 第四代 （Gen 4） 碳化硅 MOSFET 技術平臺專為改善高功率設計中常見的開關行為與設計挑戰而開發。 此平臺提供 750V、1200V 及 2300V 等多種電壓等級，為 Wolfspeed 功率器件產品線制定了長期技術發展藍圖。Wolfspeed 第四代 （Gen 4） 碳化硅 MOSFET 技術將為高功率車用領域以及工業應用與可再生能源系統的設計者提供顯著的性能增強。

專為極端環境而設計，確保長期可靠運作

Wolfspeed 第四代（Gen 4）器件具備高達 2.3 微秒的短路耐受時間，為關鍵應用提供額外的安全裕量。 相較于前代技術，該平臺將宇宙射線瞬態故障率（FIT）改善達 100 倍，確保在不同海拔高度下皆能維持可靠性能。 體二極管設計優化可提升系統效能與耐用性，實現更快開關速度、更低損耗與減少振鈴現象——使 VDS過沖降低 80%。 經過優化設計的第四代 (Gen 4) 芯片通過 185 °C 連續運作與 200 °C 有限壽命運作認證，為追求極致性能的設計提供靈活空間。

專為全面提升系統效率而設計

Wolfspeed 第四代（Gen 4）器件可在工作溫度下實現特定導通電阻降低達 22%，有效減少輕載與滿載時的導通損耗。 在硬開關應用中，更能帶來開關損耗降低 15% 的優勢。 此效能提升結合第四代器件優異的 175°C RDS(on)表現，充分體現 Wolfspeed 對實際工作環境中可靠性能的承諾。

專為降低系統成本與縮短開發周期而設計

Wolfspeed 新一代平臺能采用更小型、更經濟的被動與濾波組件，從而縮短系統開發時間并降低成本。 此外，第四代（Gen 4）器件可在相同封裝尺寸下實現高達 30% 的功率輸出提升。 其集成的新型軟恢復體二極管設計能大幅降低反向恢復時的 EMI 干擾，不僅簡化 EMI 認證流程，更可縮減 EMI 濾波器的尺寸需求。

基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發，Wolfspeed 近期推出了最新的車規級 1200V 第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET E4MS 系列。

E4MS 系列采用了軟恢復體二極管，可實現快速開關，同時將過沖和振鈴降至最低，從而為工程師提供了更大的設計空間，以便在應用中調整和優化性能。與前代 E3M 系列器件相比，E4MS 系列在開通能量 Eon、反向恢復能量 Err和關斷能量 Eoff損耗均有改善，同時在 125°C條件下的導通電阻 RDS(on)降低了 22%。這種平衡設計可在廣泛的拓撲結構中提供最大的性能和效率。

除了改進的開關性能外，E4MS 系列還提供瞬態過壓能力、在高母線電壓下更長的使用壽命以及寬柵極電壓兼容性，以實現簡化的即插即用替換。作為車規級產品組合的一部分，E4MS 系列通過 AEC-Q101 認證。

專注于車載充電器、DC/DC 轉換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統的汽車系統工程師們，現在可以利用我們最新的第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET，設計出更緊湊、更可靠的功率系統，通過簡化且具有成本效益的設計實現了多供應商采購靈活性，既能滿足嚴苛的汽車標準，又能優化供應鏈靈活性。

關于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）在全球范圍內推動碳化硅技術采用方面處于市場領先地位，這些碳化硅技術為全球最具顛覆性的創新成果提供了動力支持。作為碳化硅領域的引領者和全球最先進半導體技術的創新者，我們致力于為人人享有的美好世界賦能。Wolfspeed 通過面向各種應用的碳化硅材料、功率模塊、分立功率器件和功率裸芯片產品，助您實現夢想，成就非凡(The Power to Make It Real)。