文章來源：芯長征科技 作者：芯長征科技

隨著人工智能技術從虛擬走向現實，具身智能與人工智能數據中心（AIDC）已成為驅動科技產業升級的核心賽道。政策層面，具身智能納入國家“十五五”戰略布局，AIDC建設被納入《算力基礎設施高質量發展行動計劃》，兩大領域均迎來政策與市場的雙重紅利。江蘇芯長征微電子集團股份有限公司依托芯片設計、模塊封裝、檢測設備自主可控的垂直產業鏈，以Virtual-IDM模式打造高適配性功率半導體產品，為兩大領域提供可靠器件支撐。

一、具身智能領域：低壓MOS助力智能設備高效運行

具身智能設備（如工業協作機器人、智能移動載體、康復輔助設備）的核心訴求集中在高功率密度、低損耗、小體積與寬溫適配，48V電源架構已成為行業主流，對100V等級功率器件提出明確需求。芯長征針對性推出低壓MOS產品MPGS10R015AMH，精準匹配場景需求。

產品名稱：MPGS10R015AMH

來源：芯長征

核心參數：

①核心電氣參數：漏源電壓（VDS）=100V，該參數決定器件可承受的最大電源電壓，適配具身智能設備、小型電源等低壓供電場景；

②連續漏極電流（ID）=353A，這一特性可滿足小型智能機械臂關節電機、便攜式智能設備驅動模塊等的電流需求，保障負載動作穩定；

③導通電阻（RDS(on)）=1.5mΩ_max@VD=10V，低導通電阻能顯著降低電流通過時的功率損耗，減少器件發熱，既適配設備長時間運行，也能提升能量利用效率；

④封裝：TOLL，該封裝具備小體積、散熱效率較高的特點，適合智能設備中高密度的電路布局，節省PCB板空間。同時，工業級MOSFET通常工作溫度范圍為-55℃~150℃，此寬溫特性可讓器件適配戶外、工業車間等溫差較大的場景，避免溫度波動影響性能；

⑤開關特性參數：作為增強型N溝道MOSFET，其開關響應速度較快，柵極電荷（Qg）通常處于低水平區間，可快速響應柵極電壓信號變化，縮短開關延遲。該特性適配具身智能設備傳感器反饋后的快速動作調整、電源模塊高頻開關等場景，提升AIDC設備響應靈敏度；

技術亮點：

①超低導通損耗，能效優勢顯著；

②高電流承載能力，適配重載場景；

③精準閾值電壓，驅動控制更可靠；

④小體積封裝，適配高密度集成需求；

⑤適配多場景，兼容性與通用性強；

應用場景：

集中在各類具身智能載體的AIDC核心動力與電源管理模塊，具體如下：

①工業與協作機器人關節驅動；

②具身智能移動設備動力控制；

③康復與輔助類智能穿戴設備；

④邊緣端具身智能設備電源模塊；

⑤具身智能交互設備驅動電路；

客戶價值：

①降低AIDC算力研發與生產成本，減少客戶綜合投入；

a. 簡化電路與散熱設計成本；

b. 適配高密度集成，節省空間成本；

②提升AIDC算力終端設備性能，優化客戶產品體驗；

a. 保障設備長時間穩定運行；

b. 延長設備續航，適配多場景使用；

③增強產品市場競爭力，助力客戶拓展場景與收益；

a. 支撐產品差異化功能開發；

b. 適配多場景拓展，擴大客戶市場覆蓋；

④降低AIDC算力運維與售后成本，提升客戶服務口碑；

二、AIDC領域：SiCMOS適配高壓高效供電需求

AIDC算力需求持續激增，單機架功耗已從10kW級邁向150kW級，800V HVDC與固態變壓器（SST）架構成為解決傳統供電線損大、能效低的核心方案，對1200V等級高壓功率器件的低損耗、高可靠性與擴容能力提出嚴苛要求。芯長征推出兩款SiCMOS模塊，完美適配場景升級需求。

（1）產品名稱：MPFFB240M12E3

來源：芯長征

核心參數：

①電壓參數

a. 漏源電壓（Vdss）：1200V，作為寬禁帶碳化硅器件，該高壓規格可適配中大功率場景下的高壓供電系統，滿足新能源、工業電源等領域的高壓轉換需求;

b. 柵源電壓：穩態與瞬態耐壓能力優異，瞬態最大柵源電壓可達+23V和-10V；較常規器件擴大的電壓窗口提升了驅動靈活性，也降低了驅動電路設計難度;

②導通電阻參數：導通電阻（Rds(on)）為4mΩ，該低導通電阻特性是其核心優勢之一。在同樣芯片面積下，搭配M1H增強型技術，能有效減少導通損耗，提升模塊效率，同時降低AIDC算力系統的散熱需求，適配高頻工作場景；

③溫度參數：

a. 過載工作結溫（Tvjop）：過載工況下最高可達175℃，寬溫度適應范圍讓AIDC算力模塊能應對工業設備、新能源裝置等高強度運行時的發熱場景，減少因高溫導致的停機故障；

b. 模塊集成NTC溫度傳感器，可實時監測工作溫度，便于系統及時調整運行狀態，進一步保障器件在復雜溫度環境下的穩定工作；

④封裝與結構參數：

a. 封裝規格：采用EasyDUAL?2B封裝，部分型號采用氮化鋁陶瓷材料，模塊高度僅12.25mm，屬于同類產品中較輕薄的規格，利于AIDC設備內部緊湊布局。

b. 采用PressFIT壓接技術，不僅簡化了裝配流程，還能提升AIDC算力模塊與電路板連接的可靠性；同時模塊雜散電感極低，可減少開關過程中的電壓尖峰，保護器件并提升系統穩定性。

⑤其他關鍵特性參數

a. 依托寬禁帶（WBG）碳化硅材料，具備優異的高頻工作能力，能助力系統實現更高功率密度，減少無源元件體積；且DCB基板材料導熱性出色，可快速導出工作熱量，進一步降低散熱系統的設計成本。

b. 支持并聯使用，通過多模塊并聯可適配更大功率場景，同時能實現良好的均流表現，增強大功率系統運行時的穩定性，適配充電樁、工業變頻器等大功率設備的功率擴展需求。

技術亮點：

①基于M1H增強型技術的卓越電氣性能；

a. 低損耗且穩定的導通特性；

b. 柵極驅動安全且靈活；

c. 寬溫域穩定運行；

②優化的封裝與結構設計；

a. 低雜散電感與高可靠性裝配；

b. 高效散熱與溫度可控；

③適配大功率場景的拓展能力；

a. 支持并聯擴容且均流性好；

b. 高頻適配性提升系統集成效率；

應用場景：

作為1200V、4mΩ的碳化硅半橋模塊，憑借高壓適配、低損耗、支持并聯擴容等特性，契合AIDC（人工智能數據中心）高功率密度、高效率的供電需求，主要應用于其核心供配電環節，具體領域如下：

①高壓直流（HVDC）供電系統；

②固態變壓器（SST）核心部件；

③服務器側54V/48V配電網絡轉換器；

④大功率冗余電源模塊；

客戶價值：

AIDC設備作為適配高壓場景的碳化硅半橋模塊，契合AIDC對高功率、高效率、高穩定性的核心訴求，其客戶價值集中在降低綜合成本、提升AIDC算力部署能力、保障供電可靠等多個關鍵維度，具體如下：

①大幅壓縮AIDC設備運營與能耗成本；

②助力提升AIDC機房算力密度與空間利用率；

③強化AIDC設備供電穩定性，降低業務中斷風險；

④提升AIDC方案適配性，降低AIDC設備研發與升級成本；

（2）產品名稱：MPFFB530MK3

來源：芯長征

核心參數：

①電氣核心參數：

電壓規格漏源極電壓（VDSS，Tvj=25°C）=1200V

柵源峰值電壓（VGSS）=-10V/20V

柵極閾值電壓（VGS(th)）=3.45-5.15V

電流規格直流漏極電流（IDnom，Tvj=175°C，VGS=15V）=500A

脈沖漏極電流（IDpulse）=1000A

直流體二極管正向電流（ISD，Tvj=175°C，VGS=?5V）=160A

電阻與損耗漏源通態電阻（RDS(on)，Tj=25°C）=2mΩ；

內部柵極電阻（RGint，Tvj=25°C）=0.8Ω

結-散熱器熱阻（RthJH）=0.104K/W

開關與電容特性開通延遲時間（tdon，電感負載，Tvj=25°C）=83.4ns

關斷延遲時間（tdoff，電感負載，Tvj=25°C）=22.0ns

輸入電容（Ciss，f=1MHz，Tvj=25°C）=39.7nF

輸出電容（Coss，f=1MHz，Tvj=25°C）=2.20nF

反向傳輸電容（Crss，f=1MHz，Tvj=25°C）=0.302nF

②機械與封裝參數

a. 封裝規格：采用AG-62MMHB封裝，屬于62mm系列半橋模塊，外形長度106.4mm，寬度61.4mm；

b. 其他機械特性：支持預先涂抹熱界面材料，適配標準構造技術，便于集成到各類電力電子設備的散熱和裝配體系中。

③其他關鍵參數

a. 工作結溫范圍為-40-150°C，能適配工業場景的復雜溫度環境；

b. 具備高宇宙射線抗性、卓越的柵極氧化層可靠性和高抗濕性，同時集成堅固的體二極管，適配UPS、儲能、太陽能、充電樁等工業應用場景的嚴苛工況。

技術亮點

1200V規格的CoolSiC?MOSFET半橋模塊，融合了M1H芯片技術與62mm封裝優勢，技術亮點集中在電能轉換效率、運行可靠性、適配靈活性等多個關鍵維度，具體如下：

①高效電能轉換，降低AIDC設備系統能耗與散熱壓力：

a. 低損耗與高電流密度設計；

b. 高速開關性能；

②高可靠性設計，適配復雜嚴苛工況；

a. 多重環境與工況抗性;

b. 堅固的集成體二極管;

③結構與工藝優化，提升AIDC算力適配性與量產穩定性；

a. 對稱封裝與標準工藝；

b. 靈活的裝配選項；

應用場景：

AIDC算力正朝著超高功率密度、高轉換效率的方向升級，800V高壓直流架構已成為其核心供配電趨勢。作為1200VCoolSiC?MOSFET半橋模塊，憑借低損耗、高可靠性等特性，主要應用于AIDC設備的供配電核心設備中，具體場景如下：

①固態變壓器（SST）核心部件；

②高壓直流（HVDC）電源系統；

③不間斷電源（UPS）升級適配；

④配套儲能系統功率轉換；

客戶價值：

AIDC設備憑借CoolSiC?M1H芯片技術與62mm封裝的核心優勢，適配AIDC在高壓供電、高效算力保障等場景的核心需求，能從成本控制、運營穩定性、系統升級適配等多方面為客戶創造顯著價值，具體如下：

①降低AIDC設備全生命周期成本，優化客戶投入回報：

a. 削減硬件與散熱成本；

b. 減少長期能耗與維護開支；

②保障AIDC算力持續穩定輸出，降低客戶業務風險；

③適配技術升級趨勢，提升客戶系統靈活擴展性；

④降低技術落地門檻，助力客戶快速部署應用；

三、結語：以技術實力賦能賽道升級

從具身智能設備的精準驅動到AIDC的高效供電，芯長征始終以垂直產業鏈為根基，聚焦AIDC設備場景核心需求打造功率半導體產品。依托Virtual-IDM模式的整合優勢與自主研發實力，芯長征在低壓MOS與高壓SiCMOS領域形成差異化競爭力，為兩大新興賽道提供兼具可靠性與性價比的器件解決方案。

未來，芯長征將持續深耕功率半導體技術，緊跟具身智能與AIDC產業發展趨勢，迭代優化產品性能，拓展更多AIDC設備應用場景。無論是智能機器人的靈活運動，還是AIDC算力中心的穩定供電，芯長征都將以專業的產品與服務，成為產業鏈合作伙伴的堅實支撐。歡迎關注芯長征，了解更多產品動態與技術進展，共探科技產業升級新機遇