IC China 2025

11月23至25日，為期三天的第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會（IC China 2025）在北京國家會議中心圓滿收官！本屆展會以 “凝芯聚力?鏈動未來” 為主題，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院聯(lián)合主辦，匯聚了半導(dǎo)體材料、設(shè)備、設(shè)計、制造、封測全產(chǎn)業(yè)鏈眾多領(lǐng)軍企業(yè)與創(chuàng)新力量。作為陜西省重點產(chǎn)業(yè)鏈（半導(dǎo)體及集成電路）鏈主企業(yè)，龍騰半導(dǎo)體在陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的帶領(lǐng)下，與西安本地多家優(yōu)秀企業(yè)共同參展，攜核心產(chǎn)品與創(chuàng)新技術(shù)精彩亮相，與來自全國各地的行業(yè)同仁、合作伙伴展開面對面深度交流對接。

展會現(xiàn)場，龍騰半導(dǎo)體集中展示了超結(jié)MOSFET、IGBT及模塊、中低壓SGT MOSFET、中低壓溝槽MOSFET、高壓平面MOSFET、碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等產(chǎn)品體系，憑借卓越的性能表現(xiàn)，廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)制造、汽車電子、新能源發(fā)電、光伏儲能等多元場景。

產(chǎn)品技術(shù)層面，超結(jié)MOSFET系列采用多次外延工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的電壓承受能力、更低的導(dǎo)通電阻及更寬的安全工作區(qū)；IGBT產(chǎn)品家族兼具高性能與系列化優(yōu)勢，單管與模塊均采用場截止技術(shù)與微溝槽柵結(jié)構(gòu)結(jié)合的設(shè)計，通過優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)實現(xiàn)低飽和壓降與低開關(guān)損耗的平衡；SiC MOSFET依托平面柵小元胞設(shè)計與襯底減薄技術(shù)，展現(xiàn)高擊穿電壓、低導(dǎo)通損耗與高溫穩(wěn)定工作的優(yōu)勢。

龍騰半導(dǎo)體一直以 “高效、可靠、高性價比” 為產(chǎn)品服務(wù)核心導(dǎo)向，憑借全產(chǎn)業(yè)鏈布局與持續(xù)迭代的創(chuàng)新實力，構(gòu)筑起強勁的產(chǎn)品競爭優(yōu)勢，依托設(shè)計、研發(fā)、材料、設(shè)備、測試、服務(wù)的一體化創(chuàng)新模式，實現(xiàn)工藝自主可控，既保障了產(chǎn)品參數(shù)的高度一致性與穩(wěn)定性，又能快速響應(yīng)客戶個性定制化需求，為下游應(yīng)用提供精準(zhǔn)適配的功率半導(dǎo)體解決方案。

此次參展是龍騰半導(dǎo)體鏈接全國行業(yè)優(yōu)質(zhì)資源與踐行推動國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的實踐。未來，龍騰半導(dǎo)體將繼續(xù)深化上下游伙伴協(xié)同合作，聚焦核心技術(shù)攻關(guān)，以更前沿的技術(shù)、優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、完善的服務(wù)，在提升國產(chǎn)功率半導(dǎo)體自給率的道路上穩(wěn)步前行，為中國半導(dǎo)體制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入更多陜西 “芯” 力量！