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ADS62P49 雙通道,14位,250 MSPS 的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)技術手冊

科技綠洲 ? 2025-11-24 09:26 ? 次閱讀
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ADS62Px9/x8 是一系列雙通道14位和12位A/D轉(zhuǎn)換器,采樣率最高可達250 MSPS。它將高動態(tài)性能和低功耗結(jié)合在緊湊的64 QFN封裝中。這使得它非常適合多載波寬帶通信應用。

ADS62Px9/x8 具有增益選項,可用于在較低全尺度輸入范圍內(nèi)提升 SFDR 性能。它包含一個直流偏移校正環(huán)路,可用于取消ADC偏移。同時提供DDR LVDS(雙倍數(shù)據(jù)速率)和并行CMOS數(shù)字輸出接口

它包含內(nèi)部參考,而傳統(tǒng)的參考引腳和相關的解耦電容已被取消。不過,該設備也可以用外部參考驅(qū)動。該裝置在工業(yè)溫度范圍內(nèi)(–40°C至85°C)內(nèi)規(guī)范。
*附件:ads62p49.pdf

特性

  • 最大采樣率:250 MSPS
  • 14位分辨率 – ADS62P49/1 ADS62P48
  • 12位分辨率 – ADS62P29/ADS62P28
  • 總功率:1.25瓦,功率250 MSPS
  • 雙數(shù)據(jù)速率(DDR)LVDS和并行CMOS輸出選項
  • 編程增益最高可編程6dB,用于信噪比/SFDR權衡
  • 直流偏移校正
  • 90dB串擾
  • 支持輸入時鐘幅度最低至400 mVPP微分
  • 內(nèi)部與外部參考支持
  • 64-QFN封裝(9毫米×9毫米)

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品核心概述

ADS62Px9/x8 系列是德州儀器推出的雙路高精度高速 ADC 家族,含 14 位(ADS62P49/48)與 12 位(ADS62P29/28)分辨率版本,采樣率最高 250MSPS(ADS62P49/29)/210MSPS(ADS62P48/28),核心優(yōu)勢為高動態(tài)性能、可編程增益與靈活輸出接口,適用于多載波寬帶通信、數(shù)字預失真(DPD)、醫(yī)療成像、便攜式儀器等場景。工作溫度范圍 –40°C 至 +85°C,采用 64 引腳 VQFN 封裝(9×9×1.5mm,0.5mm 引腳間距),單模擬電源(3.15V3.6V)+ 數(shù)字驅(qū)動電源(1.7V1.9V)供電,集成內(nèi)部基準與直流偏移校正功能,支持 DDR LVDS / 并行 CMOS 雙輸出模式,總功耗低至 0.92W(210MSPS),滿足高速高精度信號采集需求。

二、關鍵特性與規(guī)格

1. 核心性能參數(shù)

  • 分辨率與線性度 :14 位版本無丟失碼,積分非線性誤差(INL)最大 ±5 LSB(典型 ±2.5 LSB),差分非線性誤差(DNL)最大 ±1.3 LSB(典型 ±0.6 LSB);12 位版本 INL 最大 ±5 LSB(典型 ±1 LSB),DNL 最大 ±1.3 LSB(典型 ±0.2 LSB);增益誤差最大 ±2% FS(含基準與通道誤差),偏移誤差最大 ±20mV(典型 ±2mV),溫漂低(偏移溫漂 0.02mV/°C)。
  • 動態(tài)性能:@170MHz 輸入、0dB 增益時,14 位版本 SNR 典型 71 dBFS,無雜散動態(tài)范圍(SFDR)典型 75 dBc,信號失真比(SINAD)典型 69.8 dBFS,有效位數(shù)(ENOB)11.3 位;12 位版本 SNR 典型 69.4 dBFS,SFDR 典型 75 dBc,SINAD 典型 68.3 dBFS;通道串擾 90 dB,互調(diào)失真(IMD)85 dBFS,二次諧波失真(HD2)典型 –85 dBc。
  • 輸入特性:差分輸入滿量程 2Vpp(0dB 增益),共模電壓 1.5V±0.1V;輸入帶寬 700MHz(25Ω 源阻抗),支持 2Vpp 輸入時最高 500MHz 輸入頻率、1Vpp 輸入時最高 800MHz 輸入頻率;內(nèi)置基準(無需外部 decoupling),支持外部基準模式(VCM 引腳輸入 1.3V~1.7V)。
  • 功耗與輸出:總功耗 0.92W1.25W(隨采樣率變化),全局掉電功耗典型 45mW;DDR LVDS 輸出差分電壓 275425mVpp,共模電壓 1.0~1.4V,負載阻抗 100Ω;并行 CMOS 輸出高電平 ≥DRVDD-0.1V,低電平 ≤0.1V,支持最大 5pF 負載電容。

2. 核心功能

  • 可編程增益:支持 0~6dB 增益調(diào)節(jié)(0.5dB 步進),增益提升可優(yōu)化 SFDR 性能(最高提升 8dB),代價為 SNR 輕微下降,適配不同輸入幅度場景的動態(tài)性能平衡。
  • 靈活輸出配置:通過引腳或寄存器選擇 DDR LVDS(最高 250MSPS)或并行 CMOS(最高 210MSPS)輸出,數(shù)據(jù)格式支持二進制補碼 / 偏移二進制;LVDS 模式采用雙數(shù)據(jù)率傳輸,單對差分線承載 2 位數(shù)據(jù),降低引腳數(shù)量。
  • 校準與校正:集成直流偏移校正功能,可校正 ±10mV 偏移,校正時間常數(shù)可編程(256k 512M 時鐘周期);支持通道獨立或公共控制,含精細增益微調(diào)(+0.001dB +0.134dB)。
  • 低功耗設計:支持全局掉電、單通道待機與時鐘停止低功耗模式,待機喚醒時間僅 1ms,全局掉電喚醒時間 30ms,適配功耗敏感場景。

三、封裝與引腳

1. 封裝信息

  • 64 引腳 VQFN 封裝:尺寸 9.0mm×9.0mm×1.5mm,引腳間距 0.5mm;結(jié)到環(huán)境熱阻 23°C/W,結(jié)到板熱阻 4.2°C/W;MSL 等級 3,支持 260°C 回流焊(168 小時濕度預處理),裸露熱焊盤需接地以保證散熱與電氣性能。

2. 關鍵引腳功能

  • 電源與地:AVDD(模擬供電,3.3V 典型值)、DRVDD(數(shù)字驅(qū)動供電,1.8V 典型值);AGND(模擬地)、DRGND(數(shù)字驅(qū)動地),熱焊盤與 DRGND 內(nèi)部連通,需可靠接地。
  • 輸入與基準:INP_A/INM_A、INP_B/INM_B(雙路差分模擬輸入);CLKP/CLKM(差分時鐘輸入,支持正弦波 / LVPECL/LVDS/CMOS 驅(qū)動);VCM(內(nèi)部基準模式下輸出 1.5V 共模電壓,外部基準模式下為基準輸入)。
  • 控制與輸出:RESET(復位引腳,控制串 / 并行配置模式)、SEN/SCLK/SDATA(串行配置接口);CTRL1CTRL3(電源管理控制引腳);LVDS 模式輸出 CLKOUTP/CLKOUTM(差分時鐘)、DAxP/M/DBxP/M(雙路差分數(shù)據(jù));CMOS 模式輸出 CLKOUT(單端時鐘)、DA0DA13/DB0~DB13(并行數(shù)據(jù))。

四、工作模式與核心功能

1. 核心工作模式

  • 采樣與轉(zhuǎn)換:雙路同步采樣,每路采用流水線架構,轉(zhuǎn)換延遲 22 個時鐘周期;時鐘支持差分 / 單端輸入,最小采樣率 1MSPS,支持 40%~60% 占空比(內(nèi)置占空比穩(wěn)定器)。
  • 增益與校正:06dB 可編程增益對應輸入滿量程 1Vpp2Vpp 線性縮放;偏移校正通過串行寄存器啟用,校正環(huán)路自動估算并補償直流偏移,可凍結(jié)校正結(jié)果或動態(tài)更新。
  • 輸出接口:LVDS 模式采用 DDR 傳輸,上升沿輸出偶數(shù)位、下降沿輸出奇數(shù)位,數(shù)據(jù)速率為采樣率的 2 倍;CMOS 模式支持多路復用輸出(雙路數(shù)據(jù)復用至單總線,僅適用于 ≤65MSPS)。
  • 測試與診斷:支持全 0 / 全 1、交替、斜坡、自定義測試圖案輸出,可通過串行接口讀取內(nèi)部寄存器狀態(tài),便于系統(tǒng)調(diào)試。

2. 配置方式

  • 并行配置:RESET 引腳接高,通過 SEN/SCLK/CTRL1~3 引腳直接配置參考源、輸出接口與電源模式,無需軟件初始化。
  • 串行配置:RESET 引腳接低,通過 3 線串行接口(SEN/SCLK/SDATA)訪問內(nèi)部寄存器,支持增益、校正、輸出模式等精細化配置,寄存器地址 8 位 + 數(shù)據(jù) 8 位,時鐘頻率最高 20MHz。

五、應用場景與設計支持

1. 典型應用

  • 高速雙路信號采集:無線通信基站的多通道接收、醫(yī)療成像設備的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、便攜式儀器的高精度信號采集。
  • 寬帶信號處理:數(shù)字預失真(DPD)系統(tǒng)中的反饋信號采集、多載波信號解調(diào),適配 500MHz 以上寬帶輸入場景。

2. 設計資源

  • 輸入驅(qū)動:模擬輸入需差分驅(qū)動,源阻抗建議 <50Ω,高頻場景(>300MHz)推薦使用傳輸線變壓器;輸入引腳串聯(lián) 5~15Ω 電阻抑制寄生振蕩,需通過 VCM 引腳提供 1.5V 共模偏置。
  • 時鐘設計:時鐘源推薦低抖動(<145fs rms 孔徑抖動),差分時鐘幅度 0.4Vpp~1.6Vpp,單端 CMOS 時鐘需通過電容耦合至 CLKP 引腳,CLKM 接地。
  • 電源與去耦:模擬電源與數(shù)字電源需獨立供電,就近并聯(lián) 0.1μF 低電感電容去耦;模擬地與數(shù)字地單點共地,避免串擾影響動態(tài)性能。
  • 布局要點:裸露熱焊盤需大面積接地,模擬信號路徑遠離數(shù)字電路,LVDS 輸出走線特性阻抗匹配 100Ω,CMOS 輸出走線長度控制在短距離內(nèi)以減少負載電容。

六、可靠性與訂單信息

  • 可靠性保障:ESD 防護等級(人體模型)2kV;絕對最大額定值:模擬電源 –0.3V3.9V,數(shù)字電源 –0.3V2.2V,引腳電壓 –0.3V~AVDD+0.3V,結(jié)溫 125°C,滿足工業(yè)環(huán)境嚴苛要求。
  • 可訂購型號:提供 14 位(ADS62P49IRGCR/CT、ADS62P48IRGCR/CT)與 12 位(ADS62P29IRGCR/CT、ADS62P28IRGCR/CT)版本,供貨形式為卷盤裝(2000 片 / 大卷、250 片 / 小卷),引腳鍍層為 NIPDAU,符合 RoHS 標準。
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