SS6952T為電機(jī)一體化應(yīng)用提供一種大電流單通道集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。SS6952T有一路H橋驅(qū)動(dòng)，可提供最大峰值電流7A，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)刷式直流電機(jī)，或者螺線管或者其它感性負(fù)載。

SS6952T的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路，包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和混合衰減。

SS6952T提供了一種低功耗睡眠模式來關(guān)斷內(nèi)部電路，以達(dá)到非常低的靜態(tài)電流。這種睡眠模式通過設(shè)置nSLEEP引腳來實(shí)現(xiàn)。內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護(hù)，短路保護(hù)，欠壓鎖定保護(hù)和過溫保護(hù)，并提供一個(gè)故障輸出管腳nFAULT引腳。

SS6952T提供一種帶有裸露焊盤的eTSSOP28封裝，能有效改善散熱性能，且是無鉛產(chǎn)品，引腳框架采用100％無鉛電鍍。

應(yīng)用原理圖

功能特色

1. 單通道H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器· 單個(gè)直流有刷電機(jī)

· 一個(gè)步進(jìn)電機(jī)單相· PWM控制接口

2. 固定頻率下電流控制可選擇· 2bits 電流控制，提供4個(gè)電流臺(tái)階3. 低導(dǎo)通阻抗的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)· 24V，Ta = 25°C時(shí)可實(shí)現(xiàn)7.0A最大驅(qū)動(dòng)電流（在保證散熱良好條件下）· 24V，Ta= 25°C時(shí)RDS(HS+LS)為150mΩ（典型值HS + LS）4. 最大供電耐壓50V

5. 睡眠模式低電流6. 內(nèi)置3.3V基準(zhǔn)電壓7. 帶散熱片的表面貼裝封裝

引腳示意圖

保護(hù)機(jī)制

01

如果VM電壓低于欠壓鎖定閾值，芯片內(nèi)部所有電路都不工作并且內(nèi)部邏輯都清零。直到VM電壓升高至比UVLO閾值高時(shí)才恢復(fù)工作。

02

過熱保護(hù)（TSD）

如果芯片溫度超過安全范圍，所有的H橋場效應(yīng)管都將關(guān)斷，并且nFAULT引腳將被拉低。一旦溫度降至安全水平，將自動(dòng)恢復(fù)正常工作。

03

過流保護(hù)（OCP）

MODE2=”1”：每個(gè)功率管的電流限制模擬電路通過移除柵極驅(qū)動(dòng)來限制功率管的電流。如果模擬電流限制持續(xù)時(shí)間比OCP的尖峰時(shí)間（2.6us）長，所有的H橋場效應(yīng)管都將關(guān)斷，并且nFAULT引腳將被拉低，芯片將保持不工作。經(jīng)過10ms的等待時(shí)間后芯片重新工作，nFAULT引腳重新置高，并繼續(xù)檢測OCP。若在此時(shí)OCP故障仍存在，則芯片在10ms的等待時(shí)間后繼續(xù)工作，以此循環(huán)下去，直到OCP故障取消。

MODE2=”0”：每個(gè)功率管的電流限制模擬電路通過移除柵極驅(qū)動(dòng)來限制功率管的電流。如果模擬電流限制持續(xù)時(shí)間比OCP的尖峰時(shí)間（2.6us）長，所有的H橋場效應(yīng)管都將關(guān)斷，并且nFAULT引腳將被拉低，芯片將保持不工作。直到芯片故障排除，并且需要重新上電，或者通過nSLEEP、nRESET管腳重新復(fù)位芯片。

高邊和低邊功率管的過電流條件；即短路接地、短路到電源或電動(dòng)繞組間短路，都會(huì)導(dǎo)致過電流關(guān)斷。注意過電流保護(hù)不使用用于PWM電流控制的電流感應(yīng)電路，與ISENSE電阻或基準(zhǔn)電壓VREF無關(guān)。

框圖