TE Connectivity (TE) 的NanoRF光學混合模塊提供85GHz最大額定頻率和50Ω 阻抗額定值。這些模塊在背板上采用浮動插件，其引導功能可在連接前對預對準觸點，從而降低損壞的可能性。NanoRF模塊在基于VPX的嵌入式計算機系統的通用連接器模塊內提供高密度射頻和光學連接。TE NanoRF光學混合模塊適合用于電子對抗、導彈引導、戰術通信以及雷達應用。

數據手冊；*附件：TE Connectivity NanoRF光學混合模塊數據手冊.pdf

特性

• 可提高密度和速度
• 背板上浮動插件包含觸點和光學安裝架
• 外形小巧
• 具有對準特性，實現可靠、無螺柱插配

TE Connectivity NanoRF光學混合模塊技術解析

一、產品概述與核心創新

?TE Connectivity NanoRF光學混合模塊?代表了下一代VPX模塊技術的重要突破。該產品通過創新的設計理念，在小型化封裝中實現了?密度和速度的顯著提升?。

?關鍵技術特征?：

• 采用背板側浮動插芯設計，集成NanoRF接觸件和光學安裝座
• 配備對中特征，確保可靠的無短截線插配
• 專門針對VPX嵌入式計算系統的高密度RF和光學連接需求

二、應用領域與市場定位

?核心應用場景?：

• 雷達系統
• 電子戰設備
• 導彈制導系統
• 戰術通信系統

?目標市場細分?：

• 地面防御
• 導彈防御
• C5ISR（指揮、控制、通信、計算機、網絡、情報、監視和偵察）

三、接口標準與機械特性

?通用插配接口?：
支持CableMT和邊緣安裝收發器，為客戶提供額外的模塊化選擇和靈活性。多種插槽配置和連接器模塊已加入VITA 65.0和65.1標準，確保不同VPX硬件供應商之間的互插性和互操作性，建立穩健的供應鏈體系。

?材料選擇?：
提供基卡和夾層邊緣安裝或電纜選項，滿足不同應用需求。

四、電氣性能參數詳解

?高頻性能?：

• 額定最高頻率：85 GHz
• 隔離度（電纜對電纜）：
  27至40 GHz：≥ 90 dB
  3至27 GHz：≥ 100 dB
  30至3 GHz：≥ 120 dB
  3至30 MHz：≥ 140 dB

?測試標準?：

• 測試包含電纜對邊緣發射的板端接效應
• 依據EIA 364-90方法B進行測試
• 阻抗：50歐姆

?駐波比性能?：

• 表面VSWR（電纜對電纜）：
  至40 GHz最大1.4:1（0.047和0.086電纜）
  40至50 GHz最大1.5:1（0.086電纜）
  40至67 GHz最大1.5:1（0.047電纜）
  67至85 GHz最大1.6:1（0.047電纜）
• 電纜對PCB邊緣發射：
  至40 GHz最大1.4:1
  40至67 GHz最大1.5:1（0.047電纜）

五、機械可靠性與環境適應性

?耐久性能?：

• 插配循環次數：500次
• 工作溫度范圍：-55°C至+125°C
• 電纜直徑：
  插件卡：0.047
  背板選項：0.047和0.086