存儲器市場持續(xù)飛漲，帶動存儲器大廠增加投資。2018年上半SK海力士(SK Hynix)投資規(guī)模年增約1倍，三星電子(Samsung Electronics)也增加投資約1兆韓元(約合8.9億美元)，且三星電子以逼近9兆韓元（約合80億美元）的研發(fā)投入刷新韓國紀(jì)錄。

據(jù)韓媒News 1報導(dǎo)，2018年上半三星電子半導(dǎo)體部門進行13.34兆韓元（約合118億美元）投資，比2017年同期增加約1兆韓元；SK海力士則進行8.10兆韓元（約合71.6億美元）投資，幾乎是2017年同期(4.97兆韓元)的兩倍。

受惠于市場景氣成長帶動，三星電子半導(dǎo)體部門營業(yè)利益從2017年上半14.34兆韓元（約合127億美元）飆升到2018年上半23.16兆韓元（約合205億美元），增加近10兆韓元（約合88.5億美元），同期SK海力士營業(yè)利益也由5.52兆韓元（約合49億美元）增加到9.94兆韓元（約合88億美元）。

三星電子在第2季法說會中表示，投資用在擴增影像傳感器產(chǎn)能，華城DRAM 11產(chǎn)線將轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)影像傳感器，目標(biāo)2019年上半啟動量產(chǎn)，擴產(chǎn)規(guī)模會視客戶需求做彈性調(diào)整。

SK海力士表示，清州M15工廠將在2018年下半完工，2018年下半的投資規(guī)模至少會有2018年上半的水平；2019年也會對無錫工廠進行設(shè)備投資，持續(xù)擴大產(chǎn)能。

另據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，三星電子在2018年上半投入的研發(fā)經(jīng)費達到歷史新高，金額為8.78兆韓元。相較于2011年研發(fā)投入約4兆韓元，2012年約5兆韓元，2013~2017每年上半維持7兆韓元水平，2018年上半首次突破8兆韓元。

三星電子2017年投入約16.81兆韓元進行研發(fā)，是韓國業(yè)界單一年度最高研發(fā)支出。進入2018年才統(tǒng)計至第2季，研發(fā)經(jīng)費已逼近9兆韓元，業(yè)界認(rèn)為紀(jì)錄可望再度更新。