STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁面EEPROM采用先進(jìn)的專有NVM技術(shù)。M95P08-x具有字節(jié)靈活性、頁面可更改性、高頁面循環(huán)性性能，以及等同于EEPROM技術(shù)的超低功耗。這些8-MbSPI頁面EEPROM器件組織為2048可編程頁面，每個頁面512字節(jié)，可通過SPI總線訪問，具有高性能雙路和四路SPI輸出。該器件提供兩個額外的（識別）512字節(jié)頁面：一個包含識別數(shù)據(jù)，并根據(jù)要求包含UID；第二個可用于存儲敏感的 應(yīng)用參數(shù)（可永久鎖定為只讀模式）。附加狀態(tài)、配置和易失性寄存器設(shè)置所需的設(shè)備配置，而安全寄存器則提供有關(guān)設(shè)備狀態(tài)的信息。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁面 EEPROM數(shù)據(jù)手冊.pdf

M95P08-I的工作電源電壓范圍為1.6至3.6 V，環(huán)境溫度范圍為-40°C至+85°C。M95P08-E的擴(kuò)展溫度范圍為-40°C至+105°C，支持高達(dá)80MHz的時鐘頻率。STMicroelectronics M95P08-x頁面 EEPROM具有高達(dá)512字節(jié)的字節(jié)和頁寫入指令。寫入指令包括自定時自動擦除和編程操作，從而實(shí)現(xiàn)靈活的數(shù)據(jù)字節(jié)管理。也接受頁面/塊/扇區(qū)/芯片擦除命令，并將存儲器設(shè)置為擦除狀態(tài)。存儲器可通過512字節(jié)頁面進(jìn)行快速編程，還可使用帶有緩沖器負(fù)載指令的頁面程序進(jìn)一步優(yōu)化，以隱藏SPI通信延遲。

特性

• 接口
  • 支持串行外設(shè)接口 (SPI) 和雙路/四路輸出
  • 1.6V至3.6V寬范圍
  • 溫度范圍
    • 工業(yè)溫度范圍：-40°C至+85°C
    • 擴(kuò)展溫度范圍：-40°C至+105°C
  • 閱讀
    • 單輸出讀取：50MHz
    • 單路/雙路/四路輸出（帶一個空字節(jié)）的快速讀取：80MHz
• 存儲器
  • 8MB頁面EEPROM
    • 64Kb區(qū)，4Kb扇區(qū)
    • 頁面尺寸：512字節(jié)
    • 2x識別頁面
  • 在整個溫度范圍內(nèi)500k次寫入循環(huán)
  • 數(shù)據(jù)保留
    • 100年
    • 50萬次后10年
• 超低功耗
  • 深度掉電模式下典型值為0.6μA
  • 待機(jī)模式下典型值為16μA
  • 10MHz時讀取單電流典型值為800μA
  • 頁面寫入典型值：1.5mA
  • 電流峰值控制<3mA
• 高寫入/擦除性能
  • 快速寫入/編程/擦除時間
    • 512字節(jié)的字節(jié)和頁面寫入（包括自動擦除和編程）典型值：2ms
    • 頁面程序：1.2ms（典型值）(512字節(jié))
    • 頁面擦除典型值：1.1ms
    • 扇區(qū)擦除典型值：1.3ms
    • 塊擦除典型值：4ms
    • 芯片擦除典型值：4ms
  • 頁面程序，帶緩沖負(fù)載
• ECC，實(shí)現(xiàn)高內(nèi)存可靠性（DEC、TED）
• 用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入
• 輸出緩沖器可編程強(qiáng)度
• ISO26262工作狀態(tài)標(biāo)志
• 軟件重置
• 按塊進(jìn)行寫保護(hù)，提供頂部/底部選項(xiàng)
• 應(yīng)要求提供唯一ID
• 電子標(biāo)識
• 支持串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 模式
• JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商標(biāo)識
• 增強(qiáng)型ESD保護(hù)HBM（人體模型）
• ECOPACK2型2mm x 3mm DFN8、SO8N或WLCSP8封裝
• 無鹵，符合RoHS指令

框圖

M95P08-x：面向超低功耗應(yīng)用的8Mbit SPI頁面EEPROM

概述

STMicroelectronics推出的 M95P08-I 與 M95P08-E 是一款基于先進(jìn)非易失性存儲器（NVM）技術(shù)的 8Mbit SPI頁面EEPROM 。該器件不僅具備傳統(tǒng)EEPROM的字節(jié)級靈活性與頁可改寫性，還融合了Flash存儲器的高密度與高耐久性特性，特別適用于對功耗和可靠性有嚴(yán)苛要求的嵌入式系統(tǒng)。

主要特性

超低功耗設(shè)計(jì)

• 深功耗下降模式 ：典型功耗僅 0.6 μA
• 待機(jī)模式 ：典型功耗 16 μA
• 讀取功耗 ：在10 MHz頻率下，單輸出讀取電流僅為 800 μA
• 寫入功耗 ：頁面寫入電流典型值為 1.5 mA

高性能存儲結(jié)構(gòu)

• 容量 ：8 Mbit（1 MB），組織為 2048頁 × 512字節(jié)
• 塊與扇區(qū) ：
  • 16個64 KB塊
  • 256個4 KB扇區(qū)
• 額外識別頁 ：提供兩個512字節(jié)的識別頁，支持存儲設(shè)備ID、UID或用戶參數(shù)

快速操作性能

• 頁面寫入（含自動擦除） ：典型 2 ms
• 頁面編程 ：典型 1.2 ms
• 頁面擦除 ：典型 1.1 ms
• 扇區(qū)/塊/芯片擦除 ：均支持，時間在 1.3 ms 至 4 ms 之間

高可靠性

• 寫入耐久性 ：全溫度范圍內(nèi) 500,000 次寫循環(huán)
• 數(shù)據(jù)保存期限 ： 100 年 （在500k次循環(huán)后仍可保持10年）
• ECC糾錯 ：支持雙比特糾錯（DEC）與三比特錯誤檢測（TED）

接口與通信

SPI接口與多輸出模式

• 支持標(biāo)準(zhǔn)SPI模式（CPOL=0/CPHA=0 或 CPOL=1/CPHA=1）
• 支持 單線、雙線和四線輸出讀取 ，最高時鐘頻率達(dá) 80 MHz
• 四線模式下，DQ0–DQ3 可同時輸出4位數(shù)據(jù)，大幅提升讀取吞吐量

引腳復(fù)用設(shè)計(jì)

數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制

硬件與軟件保護(hù)

• 塊保護(hù)位（BP2–BP0） 與 頂/底控制位（TB） 可配置保護(hù)區(qū)域
• 寫保護(hù)引腳（W） 可鎖定狀態(tài)寄存器，防止誤寫
• 深功耗下降模式 下，所有編程與擦除指令被忽略

狀態(tài)與安全寄存器

• 狀態(tài)寄存器 ：包含WIP（寫入中）、WEL（寫使能）等關(guān)鍵狀態(tài)位
• 安全寄存器 ：提供ECC錯誤標(biāo)志、操作狀態(tài)標(biāo)志等，支持系統(tǒng)級診斷

典型應(yīng)用場景

• 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 ：傳感器數(shù)據(jù)記錄、配置參數(shù)存儲
• 工業(yè)控制系統(tǒng) ：固件備份、事件日志存儲
• 醫(yī)療電子 ：低功耗、高可靠性的數(shù)據(jù)存儲需求
• 汽車電子 ：符合ISO26262功能安全要求的存儲方案

封裝選項(xiàng)

M95P08系列提供多種封裝形式，包括：

• SO8N （8引腳小外形封裝）
• DFN8 （2×3 mm 超薄雙扁平無引線封裝）
• WLCSP8 （晶圓級芯片尺寸封裝）

所有封裝均符合 ECOPACK2 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素且符合RoHS指令。