該DRV8935為工業應用提供四個半橋驅動器。該器件可用于驅動多達四個電磁閥負載、兩個直流電機、一個步進電機或其他負載。每個通道的輸出級由配置在半橋中的N溝道功率MOSFET組成。簡單的PWM接口允許與控制器輕松連接。

該DRV8935采用單電源供電，支持4.5 V至33 V的寬輸入電源范圍。該DRV8935每通道可提供高達 2.5A 的峰值或 1.75A RMS 的輸出電流（取決于 PCB 設計）。
*附件：drv8935.pdf

提供低功耗睡眠模式，通過關閉大部分內部電路來實現低靜態電流消耗。提供內部保護功能，用于欠壓鎖定、每個 FET 上的過流保護、短路保護和過熱。故障情況由nFAULT引腳指示。

特性

• 四半橋驅動器
  • 最多可驅動四個電磁閥負載、兩個直流電機、一個步進電機或其他負載
• 集成電流檢測和調節
• 4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍
• 低R DS（開） ：330 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 24 V、25°C 時最大驅動電流為 2.5A
• 引腳對引腳兼容 -
  • DRV8932：33V，900 mΩ HS + LS
  • DRV8955：48V，330 mΩ HS + LS
  • 小封裝和占地面積
• 可配置的關斷時間PWM斬波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （2 μA）
• 用于低電磁干擾 （EMI） 的擴頻時鐘
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數

方框圖

產品概述

DRV8935是德州儀器(TI)推出的一款四路半橋驅動器，具有集成電流感應功能。該器件專為工業應用設計，可驅動多達四個螺線管負載、兩個直流電機、一個步進電機或其他負載。

主要特性

1. ?驅動能力?
   • 4.5V至33V工作電壓范圍
   • 低導通電阻：24V/25°C時330mΩ(高邊+低邊)
   • 24V/25°C時最大2.5A驅動電流
   • 與DRV8932(33V,900mΩ)和DRV8955(48V,330mΩ)引腳兼容
2. ?集成功能?
   • 集成電流感應和調節功能
   • 可配置關斷時間PWM斬波(7/16/24/32μs)
   • 支持1.8V/3.3V/5.0V邏輯輸入
   • 低電流睡眠模式(2μA)
   • 擴頻時鐘降低EMI
3. ?保護特性?
   • VM欠壓鎖定(UVLO)
   • 電荷泵欠壓(CPUV)
   • 過流保護(OCP)
   • 熱關斷(OTSD)
   • 故障條件輸出(nFAULT)

應用領域

• 冰箱風門和制冰機
• 紡織機械
• 辦公和家庭自動化
• 工廠自動化和機器人
• 洗衣機、烘干機和洗碗機
• 游戲機
• 通用螺線管負載

詳細技術規格

1. ?電氣特性?
   • 工作溫度范圍：-40°C至+125°C
   • 睡眠模式電流：2-4μA
   • 工作電流：5-6.5mA(無負載)
   • 電荷泵開關頻率：360kHz
   • 邏輯輸入高電平：1.5-5.5V
   • 邏輯輸入低電平：0-0.6V
2. ?保護功能?
   • VM欠壓鎖定閾值：4.1-4.35V(下降)
   • 過流保護：4A
   • 過流消隱時間：1.8μs
   • 熱關斷：150-180°C
   • 熱關斷滯后：20°C
3. ?封裝信息?
   • HTSSOP(28引腳)：9.7mm×4.4mm
   • VQFN(24引腳)：4.0mm×4.0mm
   • 兩種封裝均帶有散熱焊盤

設計要點

1. ?電流調節?
   • ITRIP電流(A) = VREF電壓(V)/1.32(V/A)
   • VREF12控制OUT1/OUT2的ITRIP
   • VREF34控制OUT3/OUT4的ITRIP
   • 可通過電阻分壓器從DVDD引腳設置VREF
2. ?功率計算?
   • 總功耗=導通損耗+開關損耗+靜態損耗
   • 導通損耗=4×(IOUT)2×RDS(ON)
   • 開關損耗=4×0.5×VM×IOUT×(tRISE+tFALL)×fPWM
   • 靜態損耗=VM×IVM
3. ?布局建議?
   • VM引腳旁路：0.01μF陶瓷電容(每個VM引腳)+大容量電容
   • CPH-CPL引腳：0.022μF陶瓷電容
   • VM-VCP引腳：0.22μF/16V陶瓷電容
   • DVDD引腳：0.47-1μF陶瓷電容
   • 散熱焊盤必須連接到系統地

功能模式

1. ? 睡眠模式(nSLEEP=0) ?
   • 所有內部MOSFET禁用
   • 電荷泵禁用
   • 典型睡眠電流2-4μA
2. ? 工作模式(nSLEEP=1) ?
   • 器件激活
   • 喚醒時間約0.8-1.2ms
3. ?nSLEEP復位脈沖?
   • 20-40μs脈沖可清除故障
   • 不影響電荷泵狀態

性能優勢

1. 相比傳統方案具有更低的導通電阻和更高的驅動能力
2. 集成電流感應簡化系統設計
3. 多種保護功能提高系統可靠性
4. 小封裝尺寸節省PCB空間
5. 低功耗睡眠模式適合電池供電應用