近日，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)估報(bào)告》引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。報(bào)告顯示，中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)已超越韓國(guó)，躍居全球第二，僅次于美國(guó)，這一結(jié)論與該機(jī)構(gòu)2022年的評(píng)估結(jié)果形成鮮明對(duì)比，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局正發(fā)生深刻變化。

中國(guó)在關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全面突破

報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)在四大核心半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)對(duì)韓國(guó)的超越。在高密度電阻存儲(chǔ)技術(shù)（ReRAM）方面，中國(guó)得分94.1%，高于韓國(guó)的90.9%，優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大了3.2 個(gè)百分點(diǎn)；AI芯片領(lǐng)域，中國(guó)以88.3% 的得分領(lǐng)先韓國(guó)4.2個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到84.1%；功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)得分79.8%，大幅超越韓國(guó)的67.5%；下一代高性能傳感技術(shù)方面，中國(guó)以 83.9% 的得分高于韓國(guó)的81.3%。在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域，兩國(guó)得分雖同為74.2%，但中國(guó)在封裝材料創(chuàng)新與異構(gòu)集成設(shè)計(jì)上展現(xiàn)出更強(qiáng)的迭代能力。

韓國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)猶存，但挑戰(zhàn)加劇

盡管三星電子與SK海力士在全球DRAM、NAND及HBM市場(chǎng)仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但中國(guó)企業(yè)的追趕速度令人矚目。長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層3D NAND閃存良率突破95%，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5內(nèi)存實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，合肥長(zhǎng)鑫17nm DRAM 工藝進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段。KISTEP報(bào)告指出，美國(guó)對(duì)華技術(shù)限制反而加速了中國(guó)存儲(chǔ)芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，2024年中國(guó)存儲(chǔ)芯片自給率同比提升12個(gè)百分點(diǎn)至38%，預(yù)計(jì)2026年將突破50%。

韓國(guó)維持代差優(yōu)勢(shì)但面臨壓力

在尖端芯片制造領(lǐng)域，韓國(guó)目前仍保持顯著優(yōu)勢(shì)。三星電子3nm GAA 工藝良率已達(dá)65%，2nm 工藝計(jì)劃于2025年下半年試產(chǎn)，其3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)可將生產(chǎn)成本降低22%。相比之下，中國(guó)中芯國(guó)際N+2工藝（相當(dāng)于 7nm）量產(chǎn)良率穩(wěn)定在85%以上，但更先進(jìn)制程仍受制于EUV 光刻機(jī)禁運(yùn)。不過(guò)，中國(guó)在芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)局部領(lǐng)先，華為海思5nm麒麟芯片設(shè)計(jì)能力、寒武紀(jì)思元590 AI芯片算力密度均達(dá)到國(guó)際頂尖水平。

中韓競(jìng)爭(zhēng)呈現(xiàn) “雙軌并行” 特征

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起得益于“舉國(guó)體制+市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)”的雙重動(dòng)力。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)模達(dá)3440億元，重點(diǎn)支持設(shè)備材料、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域；2024年中國(guó)大陸晶圓代工產(chǎn)能同比增長(zhǎng)15%至每月 885萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2030年將超越中國(guó)臺(tái)灣成為全球最大代工中心。韓國(guó)則憑借數(shù)十年積累的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)構(gòu)建護(hù)城河，三星電子單月300萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能占全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)45%份額，其“垂直整合+供應(yīng)鏈控制”模式短期內(nèi)難以復(fù)制。

技術(shù)博弈進(jìn)入 “臨界點(diǎn)”

KISTEP報(bào)告警示，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨四大挑戰(zhàn)：中國(guó)技術(shù)追趕速度超預(yù)期、美國(guó)技術(shù)管制導(dǎo)致供應(yīng)鏈重構(gòu)、核心人才流失（2024年韓國(guó)半導(dǎo)體人才凈流出量同比增長(zhǎng)40%）、AI芯片等新興領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇。中國(guó)則需突破光刻機(jī)、EDA 工具等“卡脖子”環(huán)節(jié)，同時(shí)應(yīng)對(duì)美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制的持續(xù)加碼。

這場(chǎng)半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)賽已超越單純的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)層面，演變?yōu)樯婕皣?guó)家戰(zhàn)略安全、產(chǎn)業(yè)政策導(dǎo)向、全球供應(yīng)鏈重構(gòu)的復(fù)雜博弈。正如KISTEP院長(zhǎng)樸成賢所言：“當(dāng)技術(shù)迭代速度超過(guò)摩爾定律預(yù)期，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)規(guī)則正在被重新書(shū)寫(xiě)。”

審核編輯 黃宇