電子發燒友網報道（文/李彎彎）近日，長光華芯發布2025年半年報。上半年，公司實現營業收入2.14億元，同比大幅增長68.08%；歸母凈利潤達897.45萬元，成功實現扭虧為盈，去年同期為虧損4248萬元；扣非歸母凈利潤雖仍為負，但虧損幅度大幅收窄，從去年同期的-7272萬元減少至-1145.43萬元。

長光華芯始終專注于半導體激光芯片的研發、設計及制造，產品涵蓋高功率單管、高功率巴條、高效率VCSEL及光通信芯片等多個系列。通過緊跟下游市場趨勢，公司不斷推陳出新，優化生產工藝，布局生產線，形成了由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的完整產品矩陣，成為半導體激光行業的垂直產業鏈公司。其產品應用廣泛，涉及光纖激光器、固體激光器、激光智能制造裝備、醫學美容、激光雷達等眾多領域。

在研發與產業化方面，長光華芯成績卓著。公司建成了覆蓋芯片設計、外延生長、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺，以及2吋、3吋、6吋量產線，突破一系列關鍵技術，成為少數能夠研發和量產高功率半導體激光芯片的公司之一。同時，依托高功率半導體激光芯片的技術優勢，公司橫向拓展建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片兩大產品平臺，縱向延伸開發器件、模塊及終端直接半導體激光器，上下游協同發展，綜合實力逐步提升。

技術創新，引領高功率激光芯片發展

高功率半導體激光芯片領域，長光華芯持續引領技術創新。公司超高功率單管芯片在結構設計與研制技術上取得突破，雙結單管芯片創室溫連續功率超132W的新紀錄（芯片條寬500μm，工作效率62%），打破此前行業最高水平，開啟百瓦級單管芯片新紀元。在高功率和窄譜寬激光器方面，公司攻克光柵設計和材料生長等技術難點，開發的780nm寬條分布反饋（DFB）激光器室溫連續輸出功率超10W，創下780nm波段DFB激光器最高記錄。

公司推出的9XXnm 50W高功率半導體激光芯片，在330μm發光區內產生50W激光輸出，光電轉化效率高（≥62%），已實現大批量生產出貨，是目前市場上量產功率最高的半導體激光芯片。此外，公司不斷提升9XXnm光纖激光器泵浦源和8XXnm固體激光器泵浦源功率，降低單瓦材料成本。在特殊波長應用方面，推出的激光除草應用1470nm 300W光纖輸出半導體模塊、面部痤瘡治療應用1726nm波長鎖定100W光纖輸出半導體模塊已對外送樣，進一步拓展了半導體激光器的應用領域。

VCSEL技術領域，長光華芯同樣取得突破性進展。公司攻克低損耗多結VCSEL結構技術，將面發射芯片效率提升至74%，打破近20年VCSEL效率發展停滯局面，改變人們對VCSEL效率的固有認知。公司構建的多結VCSEL模式分析模型，解決了單模功率難以突破的難題，在直流驅動下實現20.2mW的單基橫模激光輸出，功率轉換效率42%，刷新單模VCSEL功率效率世界紀錄。

公司的VCSEL芯片應用廣泛，在消費電子領域，主要用于手機、AR/VR等終端的3D傳感；在光通信領域，應用于短距離傳輸的數據中心；在車載激光雷達芯片方面，已通過車規IATF16949和AECQ認證。此外，公司還積極布局車載EEL邊發射激光器及1550nm光纖激光器的泵浦源產品，鞏固其全套激光雷達光源方案提供商的市場地位。隨著技術發展，VCSEL未來有望在眼動追蹤、速度監測、PM2.5空氣質量監測等新興領域得到應用。

光通信產品崛起，市場規模持續擴大

面對光通信市場持續增長的需求和對高性能芯片的要求，長光華芯利用IDM平臺優勢加大研發投入，推出“國產替代”的高性能光通信芯片產品。公司擁有EML、VCSEL、CW Laser三種類型的光通信芯片，為市場提供高端芯片解決方案。報告期內，公司100G EML已實現量產，200G EML開始送樣，100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已達到量產出貨水平。

同時，公司超前布局硅光、薄膜鈮酸鋰等技術路線。通過全資子公司成立蘇州星鑰光子科技有限公司布局硅光方向，助力蘇州市打造光子產業創新集群；投資勻晶光電布局新材料方向，薄膜鈮酸鋰通過帶寬極限突破與集成工藝創新，重塑高速光通信架構。

在氮化鎵方向，長光華芯積極填補國內產業化空白。全資子公司與中科院蘇州納米所成立“氮化鎵激光器聯合實驗室”，并與團隊合資成立蘇州鎵銳芯光科技有限公司。氮化鎵作為第三代半導體材料，具有直接發光、高效率、高穩定性等優勢，其藍光和綠光波段的激光器產品在激光加工、激光顯示、激光照明、特殊通信等領域應用廣泛，市場需求超百億元且呈高復合增長趨勢。

鎵銳芯光團隊是國內最早從事氮化鎵基激光器研究的團隊，曾研制出國內首顆氮化鎵基藍光和綠光激光器芯片。目前，該公司研制的綠光激光器光功率已達1.2W，大功率藍光激光器光功率已達7.5W，均達到國際先進水平。