K計劃項目組，8/3線上直播，坐標：中敏半導體(深圳)

策劃--唐石平，K計劃發起人；左3；

主持人--龐男女士，左2；曾在唐總主導的 “元器件工作組” 擔任執行秘書；

嘉賓--段工(BMS行業資深硬件專家) ，右2；

個人簡介：略

一、器件工程師工作內容及范圍

核心工作內容

• 基礎工作包括器件導入、認證導入、規范化管理，以及建立認證測試標準；同時涉及物料選題管控、新物料導入認證及物料手段生成。
• 負責制作每類物料 L3 級別的課程知識，補充各類物料參考認證測試標準（為行業通用標準，企業可根據自身需求調整）。

工作范圍拓展

• 并非僅局限于測試質檢，還需參與供應商生產環節、技術標準制定。
• 深度參與前端新技術、新方向的調研：包括新技術、新方向的選擇、驗證及導入公司，需持續了解技術趨勢。比如，新技術、新方向的東西，基本都是通過器件工程師參與選擇、驗證后導入公司。
• 測試只是基礎工作，更多精力需投入前端技術趨勢研判。

二、二三極管及 MOS 管認證測試規范

以二三極管、MOS 管為例，詳細測試項目及目的如下：

高溫反偏測試

• 操作：對二極管或 MOS 管，在其賦值上施加 80% 額定正向電壓，按 150 度結溫條件持續工作一段時間。
• 要求：期間器件反向耐壓、導通阻抗變化≤20%，漏電流增加量低于初始值的5倍。
• 目的：驗證器件邊界缺陷（若存在問題，可能導致導通阻抗或反向擊穿電壓比較大的變化，或者漏電流增加）。

高溫上升測試（針對 MOS 管）

• 操作：在柵源極之間加入額定柵極電壓，漏源極之間短路，，按 150 度結溫條件持續工作一段時間。
• 要求：柵源閾值電壓降低不超過20%或者漏電流不超過初始值的5倍；
• 目的：驗證柵極絕緣層可靠性（因 MOS 管柵極絕緣層易出問題，需重點測試）。

邏輯測試

• 因產品壽命長達 5-20 年，無法通過實際時長模擬壽命，故采用加速壽命測試替代，快速驗證器件長期工作可靠性。

三、器件失效問題及應對

失效后果

• 器件失效可能導致嚴重安全問題，如引發電池起火，因此可靠性測試需嚴格把控。

失效分析與經驗

• 以 MOS 管為例：其充電敏感性強，生產線需做好防護，否則易導致失效；失效后，驗證 “是否為正面失效” 難度極大，責任劃分復雜（可能涉及生產部、研發部等，如 “生產部可能存在操作問題，或研發部未采用合適系統工程”）。
  • 設計層面：若一顆 MOS 管可滿足測試標準，無需額外增加ESD 防護；若單顆不達標，則需追加。
  • 生產制程：生產中工作臺未接地、靜電流過大等，均可能引發問題。
  • 管控邏輯：需全流程管控，改進時需平衡成本（設計改動代價最低，如 “從設計上改進，成本投入最少”），同時合理設定公司標準（標準過低可能導致生產線無法達到，過高可能難以采購到符合要求的器件）。