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安世半導體兩款產品入圍2025年度全球電子成就獎評選

安世半導體 ? 來源:安世半導體 ? 2025-08-29 09:58 ? 次閱讀
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全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards)是電子產業界享有盛譽的年度獎項,旨在評選并表彰對全球電子產業創新做出突出貢獻的企業與產品。該獎項以其權威性和國際影響力,成為衡量企業創新實力的重要標尺。

2025年度WEAA評選現已進入白熱化階段,安世半導體Nexperia)憑借其領先的技術實力,兩款重磅功率產品創新型銅夾片CCPAK1212封裝 NextPower 80/100 V MOSFET與頂部散熱型X.PAK封裝的1200 V SiC MOSFET成功入圍“年度功率半導體”獎項候選名單!

入圍明星產品

01創新型銅夾片CCPAK1212封裝 NextPower 80/100 V MOSFET

這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212封裝,具有業內領先的功率密度和優越性能。創新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色,因此這些器件非常適合電機控制電源、可再生能源系統和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項,可實現高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊,并配備Nexperia交互式數據手冊,便于無縫集成。

· 應用市場 ·

非常適合電機控制、電源、可再生能源系統、人工智能服務器熱插拔功能以及其他對電力需求較高的應用。

02頂部散熱型X.PAK封裝的1200 V SiC MOSFET

該系列器件在溫度穩定性方面表現出色,采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術在封裝環節的便捷優勢以及通孔技術的高效散熱能力,確保優異的散熱效果。此款產品精準滿足了眾多高功率(工業)應用領域對分立式SiC MOSFET不斷增長的需求,該系列器件借助頂部散熱技術的優勢,得以實現卓越的熱性能表現。

· 應用市場 ·

適合電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器開關電源、不間斷電源和電動機驅動。

安世半導體始終致力于為全球客戶提供高效、可靠的半導體解決方案,推動技術創新與產業升級。您的認可對我們至關重要!

Nexperia (安世半導體)

Nexperia(安世半導體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者,Nexperia(安世半導體)的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域,幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導體)為全球客戶提供服務,每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導體)擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證,充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia:效率致勝。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:安世半導體雙項明“芯”產品入圍全球電子成就獎!快來為創新力量投票!

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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