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TPSM83102/TPSM83103 1.2A輸出電流Buck-Boost模塊技術解析

科技觀察員 ? 2025-08-19 09:46 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPSM8310x降壓-升壓模塊是恒定頻率峰值電流模式控制降壓-升壓MicroSiP? 電源模塊,針對較小的解決方案尺寸和高效率進行了優化。該電源模塊集成了電感器,可簡化設計、減少外部元件并節省PCB面積。這些器件的峰值電流限制為3A(典型值),輸入電壓范圍為1.6V至5.5V。TPSM8310x為系統前置穩壓器和穩壓器提供電源解決方案。

數據手冊:*附件:TPSM83102,TPSM83103數據表.pdf

根據輸入電壓,當輸入電壓與輸出電壓大致相等時,Texas Instruments TPSM8310x會自動以升壓、降壓或3周期降壓-升壓模式運行。模式之間的轉換以定義的占空比進行,避免了不必要的模式切換,從而降低了輸出電壓紋波。8μA靜態電流和省電模式可在輕載至空載條件下實現最高效率。

特性

  • 輸入電壓范圍:1.6 V至5.5 V
    • 設備輸入電壓 > 1.65V(啟動)
  • 輸出電壓范圍:1.2 V至5.5 V
    • PFM模式下支持1.0V Vout
  • 高輸出電流能力:3 A峰值開關電流
    • 1.5A I out (VIN ≥ 3V、VOUT = 3.3V時)
    • 1.2A I out (VIN ≥ 2.7V、VOUT = 3.3V時)
  • 有源輸出放電(僅限TPSM83101)
  • 在整個負載范圍內具有高效率
    • 8μA典型靜態電流
    • 自動省電模式和強制PWM模式
  • 峰值電流降壓-升壓模式架構
    • 無縫模式轉換
    • 正向和反向電流操作
    • 啟動至預偏置輸出
    • 固定頻率運行,2MHz開關頻率
  • 安全和穩健的操作特性
    • 過流和短路保護
    • 集成軟啟動,采用有源斜坡
    • 過熱和過壓保護
    • 帶負載斷開功能的真正關斷功能
    • 正向和后向電流限制
  • 小尺寸解決方案
    • 具有集成電感器的MicroSiP?電源模塊
    • 2.0mm × 2.6mm × 1.2mm(最大值)8引腳μSiP封裝

功能框圖

1.png

TPSM83102/TPSM83103 1.2A輸出電流Buck-Boost模塊技術解析

產品概述

TPSM83102和TPSM83103是德州儀器(TI)推出的1.2A輸出電流Buck-Boost電源模塊,采用創新的μSiP封裝技術(2.6mm×2.0mm×1.2mm)。該系列器件具有以下核心特性:

  • ?寬輸入電壓范圍?:1.6V至5.5V(啟動時需>1.65V)
  • ?可調輸出電壓?:1V至5.5V(通過I2C精確調節)
  • ?高效率架構?:
    • 8μA超低靜態電流
    • 支持自動節能模式和強制PWM模式
    • 輕載效率>90%(3.3V輸出時)
  • ?峰值電流模式控制?:
    • 3A峰值開關電流
    • 無縫模式切換(Buck/Boost/Buck-Boost)
    • 固定2MHz開關頻率

關鍵電氣特性

絕對最大額定值

參數最小值最大值單位
輸入電壓-0.36.0V
瞬態輸入電壓(<10ns)-0.37V
工作結溫-40150°C

典型性能參數

  • ?轉換效率?:
    • VIN=3.3V, VOUT=3.3V時可達95%
    • 負載電流0.1mA至1.5A范圍內效率>80%
  • ?保護功能?:
    • 過流保護:3.35A(典型值)
    • 短路保護:可通過寄存器配置
    • 熱關斷閾值:150°C(帶遲滯)

應用設計指南

1. 關鍵元件選型

?輸入電容?:

  • 推薦值:22μF(X5R/X7R陶瓷電容)
  • 示例型號:GRM187R61A226ME15(0603封裝)

?輸出電容?:

  • 推薦值:47μF(X5R/X7R陶瓷電容)
  • 示例型號:GRM219R60J476ME44(0805封裝)

2. I2C編程接口

器件支持標準/快速/快速+模式(最高1Mbps),7位地址默認為0x6A。關鍵寄存器包括:

? VOUT寄存器(地址0x03) ?:

  • 輸出電壓=1.000+(VOUT[7:0]×0.025)V (0x00≤VOUT[7:0]≤0xB4)
  • 例如:設置0x5C對應3.3V輸出

? CONTROL2寄存器(地址0x05) ?:

  • 位7(FPWM):強制PWM模式使能
  • 位2:0(TD_RAMP):軟啟動時間配置(0.256ms至24.32ms可調)

布局建議

  1. ?熱管理?:
    • 結至環境熱阻RθJA=100°C/W
    • 建議在S1/S2/SM引腳下方添加散熱過孔陣列
  2. ?EMI優化?:
    • 器件下方設置10-20pF層間縫合電容
    • 初級側可添加鐵氧體磁珠(10kΩ@高頻)
  3. ?高壓隔離?:
    • 保持初級-次級≥8mm爬電距離
    • 避免頂層走線穿越器件本體

行業應用方案

  1. ?TWS耳機?:
    • 鋰電池(3.0-4.2V)轉3.3V系統供電
    • 利用<8μA靜態電流延長待機時間
  2. ?工業傳感器?:
    • 4-20mA環路供電(12-24V)轉3.3V
    • 支持-40°C至125°C工作溫度
  3. ?光學模塊?:
    • 5V主電源轉3.3V/1.8V多軌供電
    • 2MHz高頻開關減少對光信號的干擾

版本對比

特性TPSM83102TPSM83103
默認EN狀態CONVERTER_EN=0CONVERTER_EN=1
I2C地址0x6A/0x68/0x69/0x6B0x6A
封裝μSiP-8(2.6×2.0×1.2mm)μSiP-8(2.6×2.0×1.2mm)

該系列器件通過集成Buck-Boost控制器、功率MOSFET和補償網絡,在極小尺寸內實現了完整的電源解決方案,特別適合空間受限的便攜式設備應用。其先進的模式切換算法可有效降低輸出電壓紋波,相比傳統方案可節省30%的PCB面積。

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