在半導體芯片高度集成化、應用場景多元化的當下，嵌入式存儲IP作為承載關鍵數據的核心單元，其可靠性、安全性與工藝適配性直接決定終端產品的性能上限。銳成芯微深耕嵌入式非易失性存儲（eNVM）IP領域，包括多次可編程（MTP）和一次可編程（OTP）等IP，并獲得了多家國際頭部芯片設計公司采用。

作為MTP的補充，銳成芯微雙技術路線布局OTP

隨著集成電路工藝往前演進，對低成本高可靠OTP的需求越來越迫切，核心應用覆蓋產品 ID 識別、缺陷修補、配置數據 / 程序代碼 / 密鑰 / 校準參數存儲等場景，無需依賴外部組件即可提升芯片性能或安全性。

為此，銳成芯微以浮柵Floating Gate OTP和反熔絲Anti-fuse OTP雙技術路線布局，前者主要面向90nm以上平臺，后者主要面向90nm及其以下平臺，實現全工藝節點覆蓋，打造行業領先的OTP IP解決方案，為消費電子、汽車電子、工業控制等領域注入安全存儲新動能。

銳成芯微專利技術布局Anti-fuse OTP IP

得益于在嵌入式非易失性存儲（eNVM）IP領域多年的積累，構建了全球知識產權體系，銳成芯微自主研發的反熔絲Anti-fuse OTP，目前已獲得美國、韓國等海內外國家和地區的專利授權，覆蓋反熔絲型存儲單元及存儲器結構等關鍵領域，提供安全可控的IP解決方案。

該專利技術兼具高可靠性、讀取速度快、寬讀取電壓域適配等特性，尤其適用于40/22nm及FinFET先進工藝節點。

全工藝兼容，無需額外光罩。這一特性對22nm及以下FinFET工藝至關重要。額外光罩會使制造成本增加30%以上，同時引入良率波動風險，通過工藝兼容設計，可直接降低客戶流片成本與周期，提升方案市場競爭力。

銳成芯微22nm Anti-fuse OTP IP實測：適配低功耗場景核心需求

22nm作為AIoT、可穿戴設備及汽車電子等領域芯片的核心制程，這些應用對嵌入式非易失性存儲（eNVM）的低功耗、高可靠性、抗干擾能力需求突出，而該制程下eNVM IP開發面臨短通道效應、寄生電容等挑戰。得益于多年自主研發經驗及專利積累，銳成芯微基于22nm ULL（Ultra-Low Leakage，超低漏電?）工藝平臺開發了反熔絲Anti-fuse OTP IP，在測試中表現出了優異性能。

Anti-fuse OTP的核心價值體現在卓越的安全性、超低靜態功耗、高編程良率與可靠性、工藝兼容性與靈活性等，銳成芯微的Anti-fuse OTP IP的核心性能可通過實測數據直觀呈現。

關鍵性能參數

編程電壓

● IP支持單電源供電編程，無需額外升壓模塊, 能有效簡化電源設計復雜度；

● 編程電壓范圍：3.0V~3.5V，支持低功耗制造工藝；

● 在22nm工藝節點中具備顯著優勢；

● 適合物聯網終端、可穿戴設備等電池供電產品的需求。

圖1：編程電壓范圍（3.0V~3.5V）

編程時間

● 支持多檔位編程時間配置: 20us/50us/100us；

● 用戶可根據實際應用需要，靈活調節編程時間，提高生成效率。

圖2：可配置多檔位編程時間(20us/50us/100us)

讀數閾值

● 編程前、后Icell電流閾值充分注

>25uA @ Vps = 0.8V;

>40uA @ Vps = 0.9V;

● 確保足夠冗余。

*注：讀取電流遠超20uA閾值，確保了充足的讀數冗余與可靠性。

圖3. 存儲單元讀0/讀1電流閾值

可靠性（耐久度）

● 經72小時250℃高溫烘烤后，Icell數值無變化；

● 產品適用于汽車電子發動機艙、工業控制高溫工況等嚴苛場景；

● 存儲ECU固件、以及關鍵配置參數等核心數據。

圖4. 存儲單元經過72h 250℃ 高溫烘烤后 Icell無變化

銳成芯微eNVM IP戰略：覆蓋全場景需求

銳成芯微深耕嵌入式非易失性存儲（eNVM）IP十余載，與全球20余家晶圓廠和過百家芯片設計公司達成了eNVM IP合作，在MTP、BCD eFlash、Floating Gate OTP等領域已取得良好的成績。銳成芯微eNVM IP獲得國內外頭部芯片設計企業采用，包括三家全球前十大Fabless芯片公司。

隨著工藝往前演進，銳成芯微加大投入，進一步布局反熔絲Anti-fuse OTP IP和新型存儲RRAM IP，作為現有嵌入式非易失性存儲IP的補充，從而為客戶提供更全面的eNVM IP支持。22nm Anti-fuse OTP IP的推出，是銳成芯微eNVM戰略布局的重要組成部分。

未來，銳成芯微將繼續深耕嵌入式非易失性存儲IP，協同晶圓廠和芯片設計公司上下游伙伴，深化工藝與應用場景的融合，以自主核心技術為支撐，為市場提供高品質的、特色化的嵌入式非易失性存儲IP技術與服務。

關于銳成芯微

成都銳成芯微科技股份有限公司（簡稱：Actt；銳成芯微）成立于2011年，是集成電路知識產權（IP）產品設計、授權的國家級“專精特新”高新技術企業。公司立足低功耗技術，逐步發展和構建完成以模擬及數模混合IP、嵌入式存儲IP、無線射頻通信IP及有線連接接口IP為主的產品格局，擁有國內外專利超150件，先后與全球超30家晶圓廠建立了合作伙伴關系，覆蓋平面CMOS、FinFET、eFlash、BCD等多種工藝平臺，累計推廣IP 1000多項，服務全球數百家集成電路設計企業，產品廣泛應用于汽車電子、工業控制、物聯網、無線通信、邊緣計算等領域。

銳成芯微始終以為合作伙伴提供高品質的IP產品與服務為中心，秉承誠信、責任、合作、共贏的價值理念，致力于打造深度協同的合作關系，成為產業生態中卓越的集成電路IP伙伴。