CSD97374Q4M NexFET? 功率級是高度的 優化設計,適用于高功率、高密度同步降壓轉換器。本產品 集成驅動IC和NexFET技術,完成功率級開關功能。這 驅動IC內置可選二極管仿真功能,可改善DCM作 輕載效率。此外,驅動IC支持支持連接待機的ULQ模式 適用于 Windows 8。PWM輸入處于三態,靜態 電流降低至 130 μA,并具有即時響應。當 SKIP# 保持在三態時,當前 降低至 8 μA(恢復開關通常需要 20 μs)。這種組合會產生一個 采用3.5mm×4.5mm外形的大電流、高效率、高速開關器件 包。此外,PCB 封裝也經過優化,有助于縮短設計時間并簡化 完成整體系統設計。
*附件:csd97374q4m.pdf
特性
- 15 A 時超過 92% 的系統效率
- 最大額定連續電流 25 A,峰值 60 A
- 高頻工作(高達 2 MHz)
- 高密度 SON 3.5 mm × 4.5 mm 封裝
- 超低電感封裝
- 系統優化的PCB封裝
- 超低靜態 (ULQ) 電流模式
- 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號
- 帶 FCCM 的二極管仿真模式
- 輸入電壓高達 24 V
- 三態 PWM 輸入
- 集成自舉二極管
- 擊穿保護
- 符合 RoHS 標準 – 無鉛端子電鍍
- 無鹵素
參數
方框圖

?1. 產品概述?
CSD97374Q4M是德州儀器(TI)設計的高性能同步降壓功率級模塊,集成驅動IC與NexFET技術,適用于高功率密度DC/DC轉換場景。其核心特點包括:
- ?高效率?:系統效率超92%(15A負載),支持高頻操作(最高2MHz)。
- ?高電流能力?:連續電流25A,峰值電流60A。
- ?緊湊封裝?:3.5mm×4.5mm SON封裝,優化PCB布局以降低寄生電感。
- ?智能模式?:支持超低靜態電流(ULQ)模式(130μA)和二極管仿真模式(DCM),提升輕載效率。
- ?兼容性?:適配3.3V/5V PWM信號,輸入電壓范圍至24V。
?2. 關鍵特性?
- ?電氣參數?:輸入電壓4.5V-5.5V(VDD),最大24V(VIN);開關頻率達2MHz。
- ?保護功能?:欠壓鎖定(UVLO)、三態PWM輸入、集成自舉二極管及防直通保護。
- ?熱性能?:結溫范圍-40°C至150°C,熱阻低至2.5°C/W(結至板)。
?3. 應用場景?
?4. 設計支持?
- ?功率損耗曲線?:提供不同輸入電壓、頻率下的損耗數據(如12V輸入時典型損耗2.3W@15A)。
- ? 安全操作區(SOA) ?:基于PCB布局和散熱條件的電流-溫度邊界指導。
- ?布局建議?:優先放置輸入電容靠近VIN/PGND引腳,優化熱過孔設計以提升散熱。
?5. 封裝與訂購?
- 封裝類型:8引腳VSON-CLIP(DPC),卷帶包裝(2500片/卷)。
- 符合RoHS標準,提供無鉛選項。
?6. 文檔與支持?
- 包含詳細引腳功能、電氣特性、典型曲線及修訂歷史。
- 可通過TI官網獲取更新通知和社區技術支持(E2E論壇)。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
PWM
+關注
關注
116文章
5869瀏覽量
225586 -
靜態電流
+關注
關注
3文章
447瀏覽量
22232 -
同步降壓轉換器
+關注
關注
0文章
894瀏覽量
13988 -
NexFET
+關注
關注
0文章
54瀏覽量
8576
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
CSD95377Q4M 20 V 35 A SON 3.5 x 4.5 mm 同步降壓 NexFET? 功率級數據手冊
CSD95377Q4M NexFET? 功率級是一種高度優化的設計,適用于高功率、高密度同步降壓
CSD97376Q4M 30 V 20 A SON 3.5 x 4.5 mm 同步降壓 NexFET? 功率級數據手冊
CSD97376Q4M NexFET? 功率級是一種高度優化的設計,適用于高功率、高密度同步降壓
深入解析CSD95379Q3M同步降壓NexFET?功率級
深入解析CSD95379Q3M同步降壓NexFET?功率級 在電子設計領域,功率級器件的性能對于
CSD97376Q4M同步降壓NexFET?功率級:高效設計與應用指南
CSD97376Q4M同步降壓NexFET?功率級:高效設計與應用指南 在電子設計領域,功率級器
CSD95375Q4M同步降壓NexFET?功率級:高性能設計的理想之選
CSD95375Q4M同步降壓NexFET?功率級:高性能設計的理想之選 在電子設計領域,功率級
深入解析CSD97370Q5M同步降壓NexFET功率級器件
深入解析CSD97370Q5M同步降壓NexFET功率級器件 在電子設計領域,功率級器件的性能直
CSD97374Q4M同步降壓NexFET?功率級:高效與高性能的完美結合
CSD97374Q4M同步降壓NexFET?功率級:高效與高性能的完美結合 在電子設計領域,電源管理一直是至關重要的環節。今天,我們將深入探
CSD17578Q3A 30V N-Channel NexFET? 功率 MOSFET 深度解析
: csd17578q3a.pdf 一、特性亮點 1. 低損耗設計 這款 MOSFET 專為降低功率轉換應用中的損耗而設計,其 30V、6.3mΩ 的參數,配合
CSD17576Q5B 30V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
概述 CSD17576Q5B 是一款 30V、1.7mΩ 的 SON 5x6 - mm
CSD97374Q4M 30V 25A SON 3.5 x 4.5mm 同步降壓 NexFET? 功率級數據手冊
評論