由青銅劍技術和基本半導體團隊聯合研發的驅動板BSRD-2427，是一款專門針對34mm碳化硅MOSFET半橋模塊設計的產品。該產品具有高可靠性、強適應性等特點，適用于碳化硅逆變弧焊機、碳化硅感應加熱等應用。

01產品特點

功率器件最高電壓1200V

單通道驅動功率1W，峰值電流±10A

絕緣電壓高達4000Vac

集成隔離DC/DC電源

集成原邊/副邊電源欠壓保護

集成米勒鉗位

02配套零件

BSRD-2427所應用到的雙通道隔離變壓器、單通道隔離驅動芯片、正激DCDC電源芯片三款零件均為公司自主研發產品，客戶可分別采購進行整體方案的設計。

隔離驅動專用正激DC-DC芯片BTP1521x

//產品特點

輸出功率可達6W

適用于給隔離驅動芯片副邊電源供電

正激電路（H橋逆變或推挽逆變）

軟啟動時間1.5ms

工作頻率可編程，最高工作頻率可達1.3MHz

VCC供電電壓可達24V

VCC欠壓保護點4.7V

工作環境-40~125℃

芯片過溫保護點150℃，過溫恢復點120℃

體積封裝小

//應用推薦電路圖

DC1和DC2接變壓器原邊線圈，副邊二極管橋式整流，組成開環的全橋拓撲（H橋逆變），輸出功率可達6W，輸出經過電阻和穩壓管分壓后構成正負壓，供碳化硅MOSFET使用，適用于給隔離驅動芯片副邊電源供電。

BTP1521推薦電路（功率6W情況下）

當副邊需求功率大于6W時，可以使用推挽逆變拓撲，通過DC1和DC2端控制外接的MOSFET增加輸出功率。

BTP1521推薦電路（功率大于6W情況下）

雙通道隔離變壓器TR-P15DS23-EE13

//產品特點

TR-P15DS23-EE13是驅動器專用的隔離電源變壓器

采用EE13骨架（磁芯材質鐵氧體）

可實現驅動器隔離供電，傳輸功率可達4W（每通道2W）

//BTP1521F搭配隔離變壓器TR-P15DS23-EE13典型應用介紹

全橋式拓撲，副邊兩路輸出，單路輸出功率可達2W，總輸出功率4W

輸入電壓15V，副邊全橋整流輸出全電壓（VISO-COM=23V）

輸出全電壓通過4.7V的穩壓管，將全電壓拆分成正電壓（VISO-VS=18V），負電壓（COM-VS=-4V）

BTP1521F的OSC管腳通過電阻R5=42.2kΩ接地，設置工作頻率為F=477kHz

工作頻率可以通過RF-set電阻設置，本公式提供了RF-set(kΩ)和F(kHz)之間的關系（典型值）：

隔離驅動BTD5350MCWR

//典型應用介紹

原方VCC供電電壓15V

BTD5350xx是電壓型輸入的電容隔離的驅動芯片，輸入INx是高阻抗引腳，如果輸入信號PCB布線不合理，容易導致輸入信號受到干擾。為了使芯片的輸入端表現為電流源特征，建議在PWM輸入接電阻R1=3kΩ到地。如果PWM電平為15V，則PWM線上的電流約為5mA，目的是使得PWM信號的線路上能產生足夠的電流，可以避免芯片輸入IN腳受到干擾，同時靠近芯片IN腳接濾波電容C1=100pF到地

副方電源VISO接+18V，COM接-4V，G連接到主功率板上的門極電阻

驅動芯片米勒鉗位Clamp連接到主功率板上碳化硅MOSFET門極

//典型半橋應用介紹---防橋臂直通互鎖設計

PWM1信號經過RC網絡連接到IN1+和IN2-，PWM2信號經過RC網絡連接到IN2+和IN1-，進行PWM信號輸入互鎖，當PWM1和PWM2同時為高電平時，驅動芯片BTD5350MCWR副邊同時輸出低電平，防止橋臂直通。

03適配模塊推薦

BSRD-2427驅動板可適配基本半導體34mm封裝全碳化硅MOSFET半橋模塊，該模塊采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。

產品特點

采用基本半導體第三代碳化硅MOSFET芯片技術，性能顯著提升

低導通電阻，高溫下RDS(on)表現優異，導通損耗更低，穩定性強

低開關損耗，支持高頻運行，功率密度大幅提升

高工作結溫，Tvj=175℃