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FIB在半導體分析測試中的應用

金鑒實驗室 ? 2025-07-24 11:34 ? 次閱讀
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FIB介紹

聚焦離子束(FIB)技術作為一種高精度的微觀加工和分析工具,在半導體失效分析與微納加工領域,雙束聚焦離子束(FIB)因其“穩、準、狠、短、平、快”的技術特征,被業內譽為“微創手術刀”。它通過聚焦離子束直接在材料上進行操作,無需掩模,能夠實現納米級精度的成像和修改,特別適合需要高精度的任務。


截面量測

以鎵離子源為核心,FIB 技術通過精確調控離子束與樣品表面的相互作用,實現納米級的精細操作。




缺陷分析

案例1:針對膜層內部缺陷通過FIB精細加工至缺陷根源處,同時結合前段生產工藝找出缺陷產生點,通過調整工藝解決產品缺陷。


案例2:產品工藝異常或調整后金鑒通過FIB獲取膜層剖面對各膜層檢查以及厚度的測量檢測工藝穩定性。


TEM制樣

透射電子顯微鏡(TEM)是研究材料微觀結構的重要手段,但需要制備超薄樣品。FIB 技術能夠精確地將樣品減薄到納米級厚度,同時保持樣品的結構完整性,為 TEM 分析提供高質量的樣品。通過 FIB 制備的樣品可以清晰地觀察到材料的晶體結構、界面特征和缺陷分布等信息。

1.FIB粗加工

2.納米手轉移

3.FIB精細加工完成制樣



氣相沉積(GIS)

FIB GIS系統搭載Pt氣體,其作用除了對樣品表面起到保護作用,還能根據其導電特性對樣品進行加工。FIB加工前為材料提供保護層,或用于材料精加工。

納米材料電阻無法直接進行測量,通過FIB GIS系統對其沉積Pt,將其連接到電極上進行四探針法測電阻。

結語

聚焦離子束(FIB)技術作為一種高精度的微觀加工和分析工具,在半導體量產中具有廣泛的應用前景。它能夠實現納米級精度的成像和修改,特別適合缺陷分析、電路修改、光掩模修復、TEM 樣品制備和故障分析等任務。

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