今天兆易創新（GigaDevice）宣布，其1.2V超低功耗SPI NOR Flash GD25UF系列已實現8Mb至256Mb全線容量擴展。這一舉措精準響應了從高性能AI計算到低功耗電池供電設備等多元應用場景的差異化存儲需求。該產品憑借低電壓與超低功耗優勢，為可穿戴設備、智能耳機、AI ASIC平臺、醫療電子等高速發展的新興應用市場提供強有力支撐，在顯著延長終端設備續航能力的同時，將進一步推動產品向邊緣AI與超小型化演進，加速新一代智能終端的創新升級。

深度適配SoC低電壓演進，重塑系統設計架構
隨著半導體工藝的持續革新，為了追求更高的能效比，先進的主控芯片與處理器工作電壓已逐步跨入1.2V時代。兆易創新GD25UF系列SPI NOR Flash應需而生，其1.14V至1.26V的工作電壓完美匹配了這一低電壓主控平臺趨勢。

GD25UF系列能夠與1.2V主控實現電源系統的無縫銜接，開發者無需再為存儲器額外配置電壓轉換電路或復雜的電源管理模塊。這種架構上的精簡不僅大幅減少了外圍元器件的數量，降低了系統整體BOM成本，更從源頭上消除了電壓轉換過程中的能量損耗，顯著提升了能源利用效率。

雙向容量擴展：滿足AI計算與小型化雙重挑戰
隨著AI基礎設施由超大規模數據中心向邊緣側不斷延伸，在更大規模模型、更復雜推理任務以及海量數據傳輸趨勢的推動下，AI服務器、高性能計算平臺及機器學習系統正面臨與日俱增的需求壓力。從超大規模數據中心的代碼存儲，到CXL等高帶寬內存互連架構，再到光模塊的高速數據傳輸，穩定可靠的本地非易失性存儲正變得愈發關鍵。為此，GD25UF系列將容量進一步擴展至256Mb，以提供更充足的存儲空間，推動AI推理效率與系統靈活性的提升。

與此同時，針對物聯網、智能可穿戴設備及光模塊等對空間布局極其苛刻的應用場景，GD25UF系列提供低至8Mb的小容量選擇，并支持WLCSP晶圓級封裝。這一舉措確保了在極度受限的物理空間內，依然能提供卓越的存儲性能，助力終端產品實現極致的輕量化設計。

卓越的功耗與可靠性表現
GD25UF具備優異的功耗與性能表現。該系列支持單通道、雙通道、四通道及DTR四通道SPI模式，最高時鐘頻率STR 120MHz，DTR 80MHz，數據吞吐量高達80MB/s。GD25UF系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式，較于傳統的1.8V Flash產品，該系列的工作電壓降低約33%，功耗可降低50%至70%。這一突破性表現對于智能健康監測、單電池供電的物聯網設備而言至關重要，能有效延長設備的續航時間，提升用戶體驗。

此外，該系列展現了極高的可靠性，支持10萬次擦寫及20年數據保存期限，其工作溫度范圍廣泛覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃及-40℃~125℃，能夠滿足從嚴苛工業環境到高性能車規級的全溫度等級要求。目前，兆易創新GD25UF系列各容量型號均已量產，該系列產品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP多種封裝選擇，客戶可聯系當地銷售代表或授權代理商獲取樣品及詳細技術支持。

審核編輯 黃宇