Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半橋簡化了設計，減少了元件數量，減少了電路板空間。通過在6mmx8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器實現了簡化。與傳統的電流檢測電阻器相比，低側電流檢測仿真降低了功耗。它允許低側散熱焊盤連接到冷卻PCB電源接地。

數據手冊：*附件：Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半橋數據手冊.pdf

高側GaN功率FET可通過低側參考柵極驅動引腳（INH）或高側參考柵極驅動引腳（GDH）進行控制。在具有挑戰性的電源開關環境中，高側柵極驅動信號電平轉換器將INH引腳信號可靠地傳輸到高側柵極驅動器。智能開關GaN自舉FET沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并具有零反向恢復電荷。

Texas Instruments LMG2652支持轉換器輕負載效率要求和突發模式運行，具有低靜態電流和快速啟動時間。保護特性包括FET導通聯鎖、欠壓閉鎖（UVLO）、逐周期電流限制和過熱關斷。

特性

• 650 V GaN功率FET半橋
• 140mΩ低側和高側GaN FET
• 集成柵極驅動器，具有<100ns低傳播延遲
• 電流檢測仿真，具有高帶寬和高精度
• 低側基準（INH）和高側基準（GDH）高側柵極驅動引腳
• 低側（INL）/高側（INH）柵極驅動聯鎖
• 高側（INH）柵極驅動信號電平轉換器
• 智能開關自舉二極管功能
• 高側啟動：< 8μs
• 低側/高側逐周期過流保護
• 過溫保護
• AUX空閑靜態電流：250μA
• 輔助待機靜態電流：50μA
• BST空閑靜態電流：70μA
• 8mm×6mm QFN封裝，帶雙散熱焊盤

應用

• 交流/直流適配器和充電器
• 交流/直流USB壁式電源
• 交流/直流輔助電源
• 移動壁式充電器設計
• USB壁式電源插座

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