LM5109B 器件是一款高性價比的高壓柵極驅動器，旨在驅動 同步降壓或半橋中的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET 配置。浮動的 高側驅動器能夠在高達 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過經濟高效的 TTL 和 CMOS 兼容 input thresholds。堅固的電平轉換技術高速運行 同時功耗低，并提供從控制輸入邏輯到 高端柵極驅動器。低側和高側均提供欠壓鎖定 電源軌。該器件采用 8 引腳 SOIC 和熱增強型 8 引腳 WSON 封裝 包。
*附件：lm5109b.pdf

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET
• 1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流和 1.0A 拉電流）
• 輸入兼容獨立的 TTL 和 CMOS
• 自舉電源電壓至 108V DC
• 快速傳播時間（典型值為 30 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時間驅動 1000pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 2 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 8 引腳 SOIC 和耐熱性能增強型 8 引腳 WSON 封裝

參數

方框圖

一、產品概述

LMB 是一款高壓、峰值 A 的半橋柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側 N 溝道 MOSFET。該驅動器具有高電壓兼容性、快速傳播時間和低功耗特性，適用于多種電源轉換應用，如電流饋電推挽轉換器、半橋和全橋功率轉換器、固態電機驅動以及兩開關正向功率轉換器等。

二、主要特性

• ?高電壓兼容性?：支持高達 V 的軌電壓，浮動高側驅動器能夠處理高達 V 的 DC 電壓。
• ?峰值 A 輸出電流?：高側和低側輸出均具備 A 的峰值源電流和沉電流能力。
• ?快速傳播時間?：典型值為 ns，確保高效開關操作。
• ?輸入兼容性?：輸入與 TTL 和 CMOS 兼容，提供靈活的接口選項。
• ?低功耗?：內置 UVLO（欠壓鎖定）功能，減少不必要的功耗。
• ?熱增強型封裝?：提供 引腳 SOIC 和熱增強型 引腳 WSON 封裝選項，提高熱散性能。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正門極驅動電源，需使用低 ESR 和 ESL 電容在 VSS 附近局部解耦。
• ?HI/LI?：高側/低側控制輸入，與 TTL 和 CMOS 輸入閾值兼容。
• ?VSS?：地，所有信號均以此為參考。
• ?LO?：低側門極驅動器輸出，連接到低側 N-MOS 設備的門極。
• ?HS?：高側源連接，連接到自舉電容的負端和高側 N-MOS 設備的源極。
• ?HO?：高側門極驅動器輸出，連接到高側 N-MOS 設備的門極。
• ?HB?：高側門極驅動器正電源軌，連接到自舉電容的正端。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD 為 V 至 V，HB 為 VSS 至 VDD + V。
• ?輸入閾值?：低電平輸入電壓閾值（VIL）為 .V（典型值），高電平輸入電壓閾值（VIH）為 .V（典型值）。
• ?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/VOLL）典型值為 .V，高電平輸出電壓（VOH/VOHH）典型值為 .V。
• ?傳播延遲?：上下側開啟/關閉傳播延遲典型值為 ns 至 ns。

五、功能描述

• ?啟動與 UVLO?：上下側驅動器均包含 UVLO 保護電路，分別監測 VDD 和自舉電容電壓。UVLO 電路在供電電壓不足時禁止輸出，以防止外部 MOSFET 意外導通。
• ?電平移位?：高側輸入與高側驅動器級之間的電平移位電路，允許控制 HO 輸出，該輸出以 HS 為參考，并與低側驅動器提供出色的延遲匹配。
• ?輸出級?：輸出級與功率 MOSFET 的電源軌接口，具有高轉換速率、低電阻和高峰值電流能力，以實現高效的 MOSFET 開關。

六、應用信息

• ?典型應用?：LMB 可用于驅動半橋轉換器中的 MOSFET，實現高效的電源轉換。
• ?設計考慮?：包括選擇自舉電容和 VDD 電容、外部自舉二極管及其串聯電阻、外部門極驅動器電阻，以及估算驅動器功率損耗等。
• ?布局指南?：強調低 ESR 和 ESL 電容應靠近 IC 放置，以支持高峰值電流，并減少寄生電感以提高電路性能。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供 引腳 SOIC 和熱增強型 引腳 WSON 封裝選項。
• ?訂購信息?：詳細列出了不同封裝和狀態的訂購代碼，以及相關的封裝尺寸和帶卷信息。