電子發燒友網報道（文/黃山明）作為一家成立于2017年的年輕公司，英韌科技自創立以來一直專注于存儲賽道，以成為全球存儲主控芯片的領軍企業為愿景。此次在MemoryS 2025存儲峰會上，英韌科技帶來了一款新的主控芯片，這顆芯片在技術上有了哪些突破？針對當前洶涌而來的AI技術，又有哪些布局？為此，電子發燒友網采訪到了英韌科技的CEO劉剛和數據存儲技術副總裁陳杰。

英韌科技CEO劉剛

英韌科技數據存儲技術副總裁陳杰博士

IG5222主控芯片，4K隨機讀寫破120萬IOPS

據劉剛介紹，當前英韌科技員工規模在300人左右，其中70%以上為研發人員，這些人員基本來自于Marvell、東芝、戴爾等國際大廠，從業經驗基本在十年以上。近幾年，英韌科技業績增長迅猛，目前也是國家級專精特新小巨人及高新技術企業。

營收的高增長在于英韌科技當前產品相對較為豐富，在7年間研發了10顆主控芯片。在消費級芯片市場，英韌科技目前與國內一線的模組廠都有合作，也進入到了國內外的OEM前裝市場；在企業級市場，產品上已經全面適配長江存儲的顆粒，因此在國內信創市場上，正處于高速增長的階段。

此次英韌科技帶來了一顆主控芯片IG5222，據陳杰博士透露，該芯片是一款PCIe Gen4 DRAMless主控芯片，相較以往的產品，該芯片優勢在于具有更好的性能、更低的功耗和更小的芯片面積，因此該主控的性價比和能效比都非常高。

同時，在Gen4市場中，IG5222也刷新了性能的新指標，比如在4K Random Read/ Write均超過120萬次IOPS，成為行業中新的標桿。此外在兼容性、適配性和成熟度上也做了相應的優化。

據英韌科技的實測結果來看，該主控在 PCIe信道接收端實測的插入損耗冗余度，相比國際大廠性能提升了60%。因此，兼容性和可靠性遠高于行業標準, 并全面支持Intel近期推出的 DLRM（動態 PCIe 鏈路管理技術），確保在各種鏈路環境下的穩定運行，目前英韌科技已經在今年年初全面通過了該項技術的測試驗證。

在AI方面，該主控芯片也針對模型數據的實時加載做了一些優化，例如PCIe 4.0主控芯片已經全面支持NVMe?2.0，不僅進一步優化了HMB的性能，還增加了DOE（Data Object Exchange， 數據對象交換）功能，因此在針對一些數據中心及AI的計算中，對于大數據塊的高速傳輸，尤其是在一些傳輸加密數據的應用場景下有著巨大的優勢。

積極應對AI對存儲帶來的新變化

而近期DeepSeek的爆火，英韌科技也非常關注其技術動向。陳杰博士表示，目前看到對存儲的影響，主要在針對高性能、高帶寬存儲需求的調整，例如HBM的需求有所下降，反映出AI算法優化正改變算力對高性能存儲硬件的依賴。

由于DeepSeek主要是AI算法的優化，因此為數據分層提供了一個可能，讓當下存儲從“HBM+DDR”的模式，轉變為“DDR+SSD”的模式，這對于存儲控制器廠商而言將帶來巨大機遇。

從應用場景來看，盡管DeepSeek擺脫了對“HBM+DDR”存儲架構的強需求，但仍然對存儲海量數據、高帶寬、高密度有一定的要求。這就倒逼企業做出更為積極的應對。

此外，從英韌科技的角度來看，盡管大容量和高帶寬存儲對于數據處理至關重要，但同樣不可忽視的是數據必須安全、可靠地存儲在介質上。因此，在進行控制器設計的第一天，英韌科技就特別注重數據的安全性和可靠性。確保數據不僅能夠快速有效地被訪問，同時也保證了數據在存儲介質上的安全與穩定，這是英韌科技設計產品時所堅持的核心原則之一。

在與浪潮信息的合作中，英韌科技的PCIe 4.0企業級產品，已成功部署到其元腦R1推理服務器當中。由于其出色的讀寫性能和單盤存儲能力，幫助整機帶寬提升10%以上。在數據可靠性和穩定性上，平均無故障時間（MTBF）較業界提升40%，誤碼率（UBER）達到10e-18，較同類產品降低90%，特別是智能動態溫控技術，能夠保障DeepSeek長時間負載不掉速且穩定運行。

值得一提的是，隨著市場對于大容量存儲需求的提升，閃存顆粒的物理容量也越來越大，將導致單盤存儲容量不斷增加，這就對存儲主控芯片的設計提出了新的挑戰。因為隨著對大容量的支持，勢必要加入額外的硬件資源，因此會導致芯片的面積成本增加。

面對這一挑戰，英韌科技采用了創新性的思維，沒有去進行簡單的硬件堆砌，而是采用自主研發的"硬件加速引擎"架構開辟了差異化技術路徑。該方案通過深度優化存儲協議處理流程，將關鍵算法模塊進行硬件化設計，在保證功能完整性的同時，顯著降低了邏輯資源占用。因此，不僅避免了芯片面積不必要的增大，同時也提升了性能和效率。而能夠做到這一點，源自于英韌科技在存儲主控芯片領域深厚的積累與芯片架構的深刻理解，才能完成這一技術上的創新。

針對未來市場，目前英韌科技已經完成了PCIe 5.0芯片的布局，目前正在向著高端企業級SSD方向延伸。下一步的技術路線將會沿著PCIe接口速度持續迭代下去，同時推動閃存通道的高速接口的技術演進，并有望在明年帶來PCIe 6.0的相關產品。