【2025年3月17日,德國慕尼黑訊】目前，許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年9月推出CoolSiC肖特基二極管2000V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為1500 VDC的應用，是太陽能和電動汽車充電樁的理想之選。

這款TO-247-2封裝的2000V CoolSiC肖特基二極管G5的額定電流范圍為10A至80A。相比1200V 解決方案，這款產(chǎn)品能使開發(fā)人員在應用中實現(xiàn)更高功率等級，同時將器件數(shù)量減半，從而簡化整體設(shè)計，并有助于從多電平拓撲結(jié)構(gòu)無縫過渡到兩電平拓撲結(jié)構(gòu)。

此外，TO-247-2封裝的肖特基二極管還采用.XT互聯(lián)技術(shù)，大大降低了熱阻抗，提高了熱管理能力。它還通過HV-H3TRB可靠性測試，驗證了在潮濕環(huán)境中的穩(wěn)定性。這款二極管沒有反向恢復和正向恢復，且具有正向電壓低的特點，從而確保了系統(tǒng)性能的提升。

2000V二極管系列可與英飛凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝CoolSiC MOSFET 2000V完美匹配。除TO-247-2封裝外，CoolSiC肖特基二極管2000V還提供TO-247PLUS-4 HCC封裝。