国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

粒度控制在結(jié)晶過程中的從小規(guī)模試驗(yàn)到放大應(yīng)用

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來源:深圳市賽姆烯金科技有限 ? 2025-02-18 09:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

結(jié)晶作為API生產(chǎn)的最后一道工序,除了用于純化外,還可以實(shí)現(xiàn)晶型與粒度控制。晶型和粒度影響口服藥物生物利用度。其中,粒度分布(PSD)是一個(gè)重要的粉體性質(zhì),它影響晶漿的過濾速率、濾餅的干燥效率、原輔料混合、制粒和壓片等下游工藝。產(chǎn)品的粒度與結(jié)晶過程諸多控制條件有關(guān),包括過飽和度、溶劑體系、雜質(zhì)種類與含量、晶種比表面積、晶種點(diǎn)、攪拌強(qiáng)度與反應(yīng)釜內(nèi)流體力學(xué)等,在過程控制中需要綜合考慮。在實(shí)驗(yàn)室規(guī)模完成工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)粒度控制后,結(jié)晶工藝在生產(chǎn)規(guī)模的表現(xiàn)備受考驗(yàn)。此外,對(duì)于無(wú)法避免的油析現(xiàn)象,在其結(jié)晶過程中的粒度調(diào)控又會(huì)采用什么樣的策略。本文將對(duì)以上內(nèi)容進(jìn)行討論。

影響粒度的工藝參數(shù)

粒數(shù)衡算是粒度控制的理論基礎(chǔ)。粒數(shù)衡算模型會(huì)在后文提及,這里用較為簡(jiǎn)單的方式理解粒數(shù)衡算即為一張餅(一定的初始濃度)給多少人分(顆粒數(shù)),他們能長(zhǎng)胖(大粒度)還是會(huì)變瘦(小粒度)。即在一定的初始濃度下,如果成核數(shù)多,則產(chǎn)品的粒度小;成核少,產(chǎn)品的粒度大。工藝參數(shù)對(duì)產(chǎn)品粒度的影響,總結(jié)于下表。

bb47a56e-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

結(jié)晶工藝參數(shù)通過影響過飽和度、二次成核、晶體生長(zhǎng)和體系顆粒數(shù)等使產(chǎn)品粒度分布產(chǎn)生差異。結(jié)晶是由成核和生長(zhǎng)組成的,高過飽和度意味著初級(jí)和二次成核占據(jù)主導(dǎo),產(chǎn)生更多顆粒,從而粒度變小。產(chǎn)生高過飽和度的結(jié)晶參數(shù)有高起始濃度、低溫或高反溶劑比例下加晶種,快速冷卻與快速滴加反溶劑等。在高過飽和度下制備的小顆粒產(chǎn)品一般情況下晶體生長(zhǎng)不夠完善,可能會(huì)存在表面粗糙的問題從而形成團(tuán)聚物。低過飽和度成核速率慢,會(huì)得到較大粒度的晶體。工藝參數(shù)的調(diào)控正好相反,故在此不做贅述。從控制的角度出發(fā),API的結(jié)晶工藝更傾向選擇加晶種。晶種提供的比表面積對(duì)產(chǎn)品粒度的影響分為兩種情況。仍存在二次成核,但更大的晶種量和小粒度晶種可以一定程度抑制二次成核,使終點(diǎn)晶核數(shù)量降低,最終產(chǎn)品粒度大。若晶種提供的比表面積足夠多,導(dǎo)致體系不存在二次成核,那么通過粒數(shù)衡算可知,晶種越多,產(chǎn)品的粒度越小。通常第一種情況更為常見。粗料帶進(jìn)結(jié)晶體系的雜質(zhì)和結(jié)晶溶劑有時(shí)會(huì)與晶面作用,通過影響晶體生長(zhǎng)和生長(zhǎng)方向改變晶體的粒度和晶體形貌。這種情況需要具體分析,后文有案例說明。總之對(duì)于一定濃度的結(jié)晶體系,決定產(chǎn)品粒度大小的關(guān)鍵因素是結(jié)晶終點(diǎn)的顆粒數(shù)。

通過后處理,減小粒度

如前文所述,為了實(shí)現(xiàn)工藝控制和讓晶體更完整的生長(zhǎng),一般會(huì)選擇在低過飽和度下讓結(jié)晶工藝穩(wěn)健進(jìn)行。在放大中,由于攪拌能量與湍流程度一般會(huì)低于小試,預(yù)期會(huì)得到相比于實(shí)驗(yàn)室規(guī)模更大粒度的產(chǎn)品。這種情況會(huì)選擇后處理的方式減小粒度獲得符合目標(biāo)粒度分布的產(chǎn)品。與氣流粉碎相比,在結(jié)晶體系中對(duì)引流的晶漿使用超聲和濕磨更易得到均勻的顆粒。雖然氣流粉碎也可以通過調(diào)控進(jìn)料速度,進(jìn)料和粉碎壓力實(shí)現(xiàn)粒度控制,但過程中缺少在線監(jiān)控和實(shí)時(shí)調(diào)控。這些在超聲和濕磨過程中都可以實(shí)現(xiàn)。示意圖如下。案例1通過在小反應(yīng)釜超聲的方法將片狀的大顆粒打碎成不規(guī)則小顆粒,隨后在大反應(yīng)釜中通過反復(fù)升降溫得到粒度均一并且形貌更為規(guī)則的小粒度產(chǎn)品。特別注意案例2,它不僅降低了粒度還改變了晶體形貌,操作的關(guān)鍵點(diǎn)是反復(fù)交替使用濕磨和升降溫。

bb6a873c-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

這種溶解-晶體生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)粒度控制的方法較為常見,尤其是針對(duì)PSD出現(xiàn)雙峰的情況。對(duì)于復(fù)雜項(xiàng)目,需要綜合運(yùn)用反復(fù)升降溫與濕磨/超聲。其中對(duì)于溶解度隨溫度變化不大的體系,可以嘗試良溶劑和反溶劑反復(fù)滴加。對(duì)于溶劑的要求為:良溶劑期待高溶解度,反溶劑低溶解度,以降低溶劑體積。另外在溶劑溶解度有限的情況下,也可以嘗試滴加高溫良溶劑和低溫反溶劑。對(duì)于下圖這個(gè)案例,良溶劑和反溶劑反復(fù)滴加可以降低小粒度,增加大顆粒的體積分?jǐn)?shù)。另外對(duì)于溶解度低的化合物,可以嘗試DCM、丙酮和EA與醇的組合增加溶解度,降低溶劑體積,提升PMI。

bb8e78b8-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

小試DoE建立用于生產(chǎn)粒度控制的經(jīng)驗(yàn)?zāi)P?/p>

研究思路如下:

bbbfd372-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

使用前提為在實(shí)驗(yàn)室配置與生產(chǎn)規(guī)模反應(yīng)釜和攪拌槳等比例縮小的設(shè)備。車間控溫系統(tǒng)與小試傳熱效率相當(dāng),設(shè)定溫度、夾套溫度和反應(yīng)釜內(nèi)溫隨時(shí)間的變化曲線在生產(chǎn)和小試規(guī)模應(yīng)基本一致。用加晶種的批次結(jié)晶舉例說明,實(shí)驗(yàn)變量為晶種大小,晶種量和攪拌速率。

在實(shí)驗(yàn)室需要優(yōu)先開發(fā)基礎(chǔ)結(jié)晶工藝,在小規(guī)模得到晶型、粒度分布、純度、殘留溶劑、收率等指標(biāo)合格的產(chǎn)品。隨后在小規(guī)模對(duì)試驗(yàn)變量設(shè)計(jì)DoE試驗(yàn),用得到的數(shù)據(jù):產(chǎn)品粒度分布、轉(zhuǎn)速、晶種粒度分布和晶種量擬合經(jīng)驗(yàn)?zāi)P偷玫侥P蛥?shù)a-e。考慮到粒度分布,此模型應(yīng)為曲面。在實(shí)驗(yàn)變量范圍內(nèi),改變晶種大小、晶種量和轉(zhuǎn)速做三組試驗(yàn),檢驗(yàn)?zāi)P皖A(yù)測(cè)粒度分布的準(zhǔn)確性。

隨后在中試規(guī)模分別用能量和線速度計(jì)算攪拌轉(zhuǎn)速,進(jìn)行兩組試驗(yàn),將粒度分布結(jié)果與預(yù)測(cè)值對(duì)比,從而選擇轉(zhuǎn)速計(jì)算方式。根據(jù)目標(biāo)粒度分布通過經(jīng)驗(yàn)?zāi)P陀?jì)算和設(shè)計(jì)放大規(guī)模需要使用的攪拌槳轉(zhuǎn)速、晶種量和晶種大小,進(jìn)行1-2組中試規(guī)模的驗(yàn)證試驗(yàn)。通過試驗(yàn)結(jié)果與預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)的偏差,調(diào)整試驗(yàn)變量,從而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)品粒度控制。

放大結(jié)晶與小試相比,總質(zhì)量/傳熱表面積明顯增加,導(dǎo)致傳熱效率降低,釜壁產(chǎn)生溫差后結(jié)晶形成晶疤。對(duì)于這種情況選擇梯度降溫、設(shè)置等溫?cái)嚢璩绦颉⒒驃A套小幅度回溫可以解決。另外還需要關(guān)注反應(yīng)釜材料和化合物氫鍵受體數(shù)量。比如玻璃反應(yīng)釜容易和氫鍵受體多的化合物形成氫鍵產(chǎn)生晶疤。對(duì)于這種情況,在溶劑體系中加入長(zhǎng)鏈醇如正丁醇提供氫鍵供體,減少化合物與反應(yīng)釜壁形成氫鍵的可能性方可解決晶疤問題。

bbeac32a-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

運(yùn)用粒數(shù)衡算模型預(yù)測(cè)放大規(guī)模產(chǎn)品粒度分布

研究對(duì)象為冷卻和溶析耦合的加晶種間歇結(jié)晶,因此運(yùn)用簡(jiǎn)化的一維粒數(shù)衡算方程建立模型,如下圖所示。其中母液濃度、顆粒數(shù)與粒度隨時(shí)間的變化通過在線紅外和FBRM獲得。使用兩步生長(zhǎng)模型計(jì)算生長(zhǎng)速率。其中溶解度隨溫度和溶劑比例的變化曲面回歸得到計(jì)算模型。攪拌功率、攪拌槳尺寸、溶劑密度和粘度等參數(shù)體現(xiàn)在生長(zhǎng)速率模型中。此外計(jì)算方程還考慮了晶體破碎而造成的二次成核。研究思路為先在小試規(guī)模收集溶解度、濃度、粒度和顆粒數(shù)等數(shù)據(jù)。隨后選擇合適的模型回歸得到動(dòng)力學(xué)參數(shù)。最后通過模型計(jì)算放大規(guī)模下濃度、成核速率與生長(zhǎng)速率隨時(shí)間的變化,最終預(yù)測(cè)產(chǎn)品的粒度分布。

bc0b9000-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

bc369444-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

油析結(jié)晶粒度控制

通常油析需要通過更換溶劑體系、降低母液起始濃度和調(diào)控工藝參數(shù)在結(jié)晶過程中規(guī)避掉。但對(duì)于一些化合物,尤其是研發(fā)早期低純度的物料,油析很難避免。那么對(duì)于不貼壁流動(dòng)性較好的油相,可以充分利用它做粒度控制。方法如下圖所示。低攪拌速率下將在結(jié)晶體系中得到大油滴。由于它具有較大的體積,溶質(zhì)碰撞頻次和幾率提升,更容易發(fā)生初級(jí)成核,因此在此階段得到更多顆粒,粒度小。晶核在晶體生長(zhǎng)過程中,在油滴內(nèi)部發(fā)生擴(kuò)散,API從高濃度擴(kuò)散至低濃度的晶體表面,由于油滴相濃度高和流動(dòng)性差的特點(diǎn)API在擴(kuò)散過程易中發(fā)生二次成核。因此對(duì)于油析結(jié)晶,低攪拌轉(zhuǎn)速得到大油滴,使產(chǎn)品粒度降低。而高轉(zhuǎn)速,得到小油滴,產(chǎn)品粒度增加。這是因?yàn)樾∮偷蔚捏w積限制使初級(jí)成核速率降低,因此只能得到少量的晶核。在隨后的結(jié)晶過程中,由于較小的油滴體積,晶核更大概率被排到連續(xù)相中。油滴吸附在晶核表面完成晶體生長(zhǎng),最終得到大粒度產(chǎn)品。對(duì)于一些化合物,油析結(jié)晶得到的粒度分布有時(shí)可以到達(dá)均相結(jié)晶做不到的粒度范圍。

bc671e0c-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

通過下圖幫助理解油析結(jié)晶。油析是指由溶劑比例、母液濃度、雜質(zhì)等產(chǎn)生的液液分層(LLPS)現(xiàn)象。LLPS曲線可以通過配置飽和液以一定速率降溫檢測(cè)。對(duì)于一定投料量的油析結(jié)晶,API會(huì)在油相和連續(xù)相分配。當(dāng)良溶劑比例增加時(shí),連續(xù)相中API比例變多,油相API比例減少。在結(jié)晶初始階段,油相先發(fā)生初級(jí)成核,濃度沿著LLPS曲線下降。一段時(shí)間后連續(xù)相發(fā)生成核與晶體生長(zhǎng),連續(xù)相的濃度降低。隨著結(jié)晶的推進(jìn),化合物從油相逐漸擴(kuò)散至連續(xù)相,提升連續(xù)相的濃度,直至油相消失。最后形成連續(xù)相,油析結(jié)晶轉(zhuǎn)化為均相結(jié)晶。油析結(jié)晶過程中,油相的溶劑比例決定晶體形貌和長(zhǎng)徑比。此外更大比例的良溶劑,使API在連續(xù)相的分配增加,因此導(dǎo)致連續(xù)相中初級(jí)和二次成核變多,最終產(chǎn)生更多的小顆粒,降低產(chǎn)品粒度,并且粒度分布容易形成雙峰。

bc8c31c4-ec06-11ef-9310-92fbcf53809c.png

結(jié)語(yǔ)

本文匯總了均相結(jié)晶與油析結(jié)晶粒度控制方法與策略以及從小試到放大規(guī)模粒度控制預(yù)測(cè)和調(diào)控,僅以此拋磚引玉,給讀者提供解決問題的方法和思路。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    713

    瀏覽量

    30310
  • 結(jié)晶
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    8662

原文標(biāo)題:結(jié)晶過程粒度控制:從小試到放大

文章出處:【微信號(hào):深圳市賽姆烯金科技有限公司,微信公眾號(hào):深圳市賽姆烯金科技有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    從小常備——霧化器MEMS硅麥的關(guān)鍵角色

    講述霧化器從小眾醫(yī)療設(shè)備走向千家萬(wàn)戶的過程,以及在這個(gè)過程中MEMS硅麥所扮演的關(guān)鍵角色。探討其如何在高濕度、嘈雜環(huán)境中保持穩(wěn)定性能,并助力產(chǎn)品智能化升級(jí)。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 15:17 ?333次閱讀

    請(qǐng)問如何解決CW32L083系列微控制通信過程中可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤問題?

    如何解決CW32L083系列微控制通信過程中可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤問題?
    發(fā)表于 12-16 08:01

    開發(fā)過程中如何利用CW32L083系列微控制器的官方固件庫(kù)進(jìn)行程序編寫和調(diào)試?

    開發(fā)過程中,如何利用CW32L083系列微控制器的官方固件庫(kù)進(jìn)行程序編寫和調(diào)試?
    發(fā)表于 12-15 07:23

    UPS不間斷電源放電過程中的注意事項(xiàng)

    UPS充放電過程中的注意事項(xiàng)。 進(jìn)行放電之前,需要了解UPS電源大概能夠后備多長(zhǎng)時(shí)間,以便在放電過程中做好準(zhǔn)備,防止因放電
    的頭像 發(fā)表于 10-11 11:33 ?640次閱讀
    UPS不間斷電源<b class='flag-5'>在</b>放電<b class='flag-5'>過程中</b>的注意事項(xiàng)

    lv_port_disp_init();使用lvgl時(shí)移植過程中這個(gè)函數(shù)報(bào)錯(cuò)怎么解決?

    lv_port_disp_init();使用lvgl時(shí)移植過程中這個(gè)函數(shù)報(bào)錯(cuò)怎么解決
    發(fā)表于 09-19 07:35

    芯片研發(fā)過程中的兩種流片方式

    芯片在研發(fā)過程中一般包含4個(gè)階段:芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)樣片、測(cè)試驗(yàn)證和大規(guī)模量產(chǎn)。完成芯片設(shè)計(jì)后,工程師們需要先拿到一些芯片樣片,用它們進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證,來判斷新研發(fā)的芯片在功能和性能上是否
    的頭像 發(fā)表于 09-09 15:04 ?1930次閱讀
    芯片研發(fā)<b class='flag-5'>過程中</b>的兩種流片方式

    CUBEIDE調(diào)試過程中,如何將數(shù)組仲的數(shù)據(jù)拷貝電腦?

    請(qǐng)問,有什么辦法可以CUBEIDE 調(diào)試過程中,將數(shù)組的數(shù)據(jù)拷貝電腦上去?
    發(fā)表于 09-09 07:20

    統(tǒng)計(jì)過程控制在預(yù)防性維護(hù)的應(yīng)用

    引言制造設(shè)備設(shè)計(jì),一個(gè)常被忽視的方面是可維護(hù)性。設(shè)備是否具備可維護(hù)性相關(guān)特性,會(huì)顯著影響設(shè)備的運(yùn)維成本;而這些運(yùn)維成本,又直接關(guān)系到維護(hù)合同的盈利能力。因此,找到降低運(yùn)維成本的有效方法,對(duì)于提升
    的頭像 發(fā)表于 09-03 18:04 ?1128次閱讀
    統(tǒng)計(jì)<b class='flag-5'>過程控制在</b>預(yù)防性維護(hù)<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    紅外測(cè)溫技術(shù)氣瓶充裝過程中的應(yīng)用

    氣瓶充裝過程中,溫度異常可能引發(fā)瓶體爆裂、氣體泄漏等嚴(yán)重事故,直接威脅人員與生產(chǎn)安全。而紅外測(cè)溫技術(shù)的應(yīng)用,正成為實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度、防范風(fēng)險(xiǎn)的“利器”。
    的頭像 發(fā)表于 08-26 15:54 ?888次閱讀

    靜力水準(zhǔn)儀測(cè)量過程中遇到誤差如何處理?

    靜力水準(zhǔn)儀測(cè)量過程中遇到誤差如何處理?靜力水準(zhǔn)儀工程沉降監(jiān)測(cè)中出現(xiàn)數(shù)據(jù)偏差時(shí),需采取系統(tǒng)性處理措施。根據(jù)實(shí)際工況,誤差主要源于環(huán)境干擾、設(shè)備狀態(tài)、安裝缺陷及操作不當(dāng)四類因素,需針對(duì)性解決。靜力
    的頭像 發(fā)表于 08-14 13:01 ?860次閱讀
    靜力水準(zhǔn)儀<b class='flag-5'>在</b>測(cè)量<b class='flag-5'>過程中</b>遇到誤差如何處理?

    Commvault Cloud平臺(tái)如何應(yīng)對(duì)勒索軟件攻擊

    之前的文章,我們探討了可能影響AD小規(guī)模中斷的因素,例如意外刪除對(duì)象等,以及為何快速、細(xì)粒度的恢復(fù)至關(guān)重要。
    的頭像 發(fā)表于 07-29 15:07 ?776次閱讀

    無(wú)模型自適應(yīng)控制在永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)速的仿真研究

    的可行性和有效性。 純分享帖,點(diǎn)擊下方附件免費(fèi)獲取完整資料~~~ *附件:無(wú)模型自適應(yīng)控制在永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)速的仿真研究.pdf 【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)第一時(shí)間告知,刪除內(nèi)容,謝謝!
    發(fā)表于 06-25 13:01

    PID串級(jí)控制在同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁控制的應(yīng)用

    對(duì)自并勵(lì)勵(lì)磁系統(tǒng)進(jìn)行了仿真分析,通過仿真結(jié)果的對(duì)比分析,說明神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè)-PID串級(jí)控制在勵(lì)磁控制的應(yīng)用提高了勛磁系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性、穩(wěn)定性和抗干擾能力. 純分享帖,需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料
    發(fā)表于 06-16 21:56

    晶閘管控制異步電機(jī)軟啟動(dòng)過程中振蕩現(xiàn)象研究

    純分享帖,需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件:晶閘管控制異步電機(jī)軟啟動(dòng)過程中振蕩現(xiàn)象研究.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)第一時(shí)間告知,刪除內(nèi)容!
    發(fā)表于 06-04 14:39

    半導(dǎo)體制造過程中的三個(gè)主要階段

    前段工藝(Front-End)、中段工藝(Middle-End)和后段工藝(Back-End)是半導(dǎo)體制造過程中的三個(gè)主要階段,它們制造過程中扮演著不同的角色。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:47 ?7287次閱讀
    半導(dǎo)體制造<b class='flag-5'>過程中</b>的三個(gè)主要階段