近年來，隨著碳化硅技術的不斷成熟，行業對碳化硅功率器件的應用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導通阻抗、極高的開關速率以及高耐溫等優良特性，使其能夠高頻率地運行。因而采用碳化硅功率器件，有助于整機端降低功率損耗、提高功率密度以及提升轉換效率等。

針對碳化硅功率器件的市場需求，青銅劍技術基于光耦隔離驅動方案，設計了一款雙通道、緊湊型驅動核2CD0205T12-ABC，可應用于空間有限、中低壓和高可靠性領域。

該款碳化硅MOSFET驅動核，因其緊湊、布局靈活與走線友好的特點，能簡化客戶的外圍電路設計，便于客戶快速迭代開發、生產、安裝及使用。

典型應用領域

儲能變流器

產品特點

雙通道碳化硅MOSFET驅動核

功率器件最高電壓支持1200V

單通道驅動功率2W，峰值電流±5A

適配TO-247封裝碳化硅單管

設計緊湊，尺寸為29mm*35mm*11mm（外殼：33.4mm*39.4mm*14mm）

2.0mm排針接口輸入/輸出

絕緣電壓高達5000V

集成隔離DC/DC電源

集成副邊電源欠壓保護

集成米勒鉗位

集成VDS短路保護

集成軟關斷

集成PWM互鎖功能

原理框圖

典型外圍接線圖

產品尺寸圖

關鍵參數

多種門極電壓配置型號

短路保護及軟關斷功能

本驅動核集成的軟關斷功能，可有效抑制碳化硅MOSFET在發生短路時產生的尖峰電壓。2CD0205T12-ABC驅動核內部集成VDSDT檢測和軟關斷功能，當檢測到模塊進入退保和時，驅動核輸出的門極信號在2us內的響應時間后，進入軟關斷階段，降低由于過高的短路電流所帶來的關斷尖峰電壓。

高壓短路波形

雙脈沖測試數據

該驅動核搭配測試底板2AB0205T12-QTJ，匹配B1M032120HC_BASIC單管碳化硅MOSFET測試數據。

青銅劍技術專注于功率器件驅動器、驅動IC、測試設備的研發、生產、銷售和服務，產品廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業控制等領域。