日前，經過提名和票選，瑞能半導體的“頂部散熱產品系列”成功獲評EE Awards Asia亞洲金選獎“功率半導體產品大獎”。

關于EE Awards Asia

EE Awards Asia 亞洲金選獎深受工程師的信賴，獲獎者由ASPENCORE全球資深編輯組成的評審委員會以及來自亞洲的網站用戶群共同評選產生。在專業技術媒體及科技人士的共同見證下，其評選的年度推薦榜單已經成為最佳設計解決方案的指南。

瑞能半導體頂部散熱產品系列

瑞能半導體推出一系列頂部散熱型表面貼裝碳化硅器件，封裝包括TSPAK和TOLT，產品覆蓋SiC肖特基二極管與MOSFET，構成完整的產品陣容。

主要優勢：

相較于傳統底部散熱型表貼功率器件，頂部散熱封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潛力。基于頂部散熱的封裝設計，可以使功率器件熱量直接向散熱器傳遞，不必經過PCB的熱過孔，顯著降低結到散熱器熱阻約17%~19%，幫助提升電路性能或減小功率器件選型降低成本。

同時，PCB設計可以采用更靈活的電流路徑規劃，取消熱過孔或PCB散熱覆銅面積后，可以獲得最小的電流環路面積和極低的線路寄生感抗，使開關損耗和EMI輻射水平也降到最低，縮短產品EMC調試時間和成本。

采用頂部散熱封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247等傳統直插型封裝，還具有基于SMD的PCB組裝方式，同時避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲，實現高效制造流程的額外優勢。

瑞能提供豐富的頂部散熱產品選擇和組合模式，工規與車規產品均有規劃。可以應用于OBC，充電樁模塊，服務器電源，光伏逆變器等各種功率變換設備，幫助產品設計提高功率密度，并減少系統尺寸、重量和成本。

產品規格：

TOLT封裝提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。

TSPAK產品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。