來源：集邦化合物半導體

10月30日，長飛先進武漢基地相關負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設備即將進駐廠房，明年年初開始調試，預計2025年5月可以量產通線，隨后將開啟良率提升和產能爬坡。

source:光谷融媒體中心

據悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發與生產，項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。項目投產后可年產36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。該項目于2023年8月25日落戶武漢，并于7天后動工建設。今年6月，項目主體結構全面封頂。按照原計劃，項目將于2025年1月設備搬入，2025年7月量產通線，2026年年底達到滿產。截止目前項目最新動態顯示，項目提前了2個月的進度。

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值得一提的是，長飛先進武漢碳化硅基地加速建設的同時，其在蕪湖的第三代半導體項目也迎來了新進展。10月29日，據蕪湖市生態局披露的建設項目環評審批公告顯示，安徽長飛先進將對其位于蕪湖市弋江區的第三代半導體項目進行改造，具體內容為：對現有研發方案中6萬片/年的6英寸碳化硅半導體芯片和1.2萬片/年的4、6英寸氮化鎵半導體芯片進行研發工藝的改進，提高研發產品的質量，優化研發產品的結構，研發產能保持不變。

據悉，該項目由長飛先進全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司負責。項目于2017年6月動工建設，2021年完成自主驗收，公司后續在2022年對項目進行了擴產。

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審核編輯 黃宇