国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

英飛凌工業半導體 ? 2024-10-13 08:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

1200A 4500V IGBT模塊

FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

c13cadd4-88f6-11ef-bb4b-92fbcf53809c.png

知名的IHV B 4.5kV單開關IGBT模塊已采用我們最新一代的芯片,以滿足MVD、輸配電和交通行業應用當前和未來的要求。

它采用TRENCHSTOP IGBT4和發射極控制二極管EmCon4,標準封裝尺寸為140x190mm2,與上一代產品一樣,可提供驅動電壓VGE=25V S7的版本。

由于具有相同的結構尺寸和非常接近的電氣性能,客戶可以很容易地從上一代FZ1200R45HL3型號轉換過來。

相關器件:

FZ1200R45HL4

FZ1200R45HL4_S7

產品特點

矩形RBSOA

高宇宙輻射穩定性(100 FIT @ 2900V)

高TC(30,000次循環@ DTc=80K)和PC(2百萬次循環@DTj=40K)能力

防火防煙封裝材料分類符合EN45545-2 R22、R23:HL3標準

輸出有效值電流高時導通耗低

獨特的S7功能可在VGE=25V下運行

應用價值

高效系統設計

確保30-40年的使用壽命

對過載和故障下具有無與倫比的穩定性

可在高直流母線電壓下運行

獨特的S7功能可大幅提高性能,在系統層面減少6%以上的功率損耗

競爭優勢

現場超過10萬IHV B FZ1200R45HL3和FZ1200R45HL3_S7在運行,它們是實現全球穩定綠色電網的可靠動力

新型號FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7和同系列的FZ1800R45HL4和FZ1800R45HL4_S7一起繼承這一使命。

應用領域

電機驅動器

商用車輛和農用車輛

輸配電

儲能系統

機車牽引

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    463

    文章

    54009

    瀏覽量

    465969
  • 二極管
    +關注

    關注

    149

    文章

    10407

    瀏覽量

    178416
  • IGBT
    +關注

    關注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    262986
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場截止技術的IHV-A模塊

    新品采用6500VIGBT4溝槽柵場截止技術的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/13
    的頭像 發表于 02-02 17:09 ?1825次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用6500<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>4</b>溝槽柵場截止技術的IHV-<b class='flag-5'>A</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    FZ1200R33HE4DB9BPSA1 Infineon Technologies IGBT 模塊 IHV IHM T

    FF225R65T3E3BPSA1Infineon Technologies T1401N42TOHInfineon Technologies FZ1200R33HE4
    發表于 02-01 15:28

    新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

    溫度傳感器,具有1200V耐壓和4mΩ導通電阻,專為電動汽車電驅動系統與電動航空生態系統中的功率轉換應用而設計。產品型號:■FF4MR12W2M1HP_B11_A
    的頭像 發表于 01-22 17:05 ?1228次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? <b class='flag-5'>1200V</b>

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英
    的頭像 發表于 12-20 14:25 ?1946次閱讀

    1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開關的新選擇

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率開關器件至關重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S1200V、23mΩ G4 SiC FET,看看它能為我們的設計帶來哪些驚喜。
    的頭像 發表于 12-02 11:19 ?812次閱讀
    <b class='flag-5'>1200V</b>-23mΩ SiC FET(UF<b class='flag-5'>4SC120023B7S</b>):高性能功率開關的新選擇

    新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200
    的頭像 發表于 11-24 17:05 ?1459次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用.XT擴散焊和第二代<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET的Easy C系列

    新品 | CIPOS? Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

    新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi轉模封裝SiCIPMIM12SxxEA2系列基于1200VCooSiCMOSFET技術。產品組合包括
    的頭像 發表于 10-13 18:06 ?628次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CIPOS? Maxi <b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

    天拓四方分享:什么事S7-1200 G2++?

    SIMATIC S7-1200 G2++ 已重磅發布,現已全面開放訂貨渠道!天拓四方作為西門子緊密合作伙伴,庫存儲備豐富,能快速響應您的需求。 什么是 S7-1200 G2++? 西門子始終關注
    的頭像 發表于 09-05 17:17 ?1295次閱讀

    新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    CoolSiCMOSFET技術1200V、17mΩ,配備NTC和PressFIT壓接技術。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術1200V、100
    的頭像 發表于 07-31 17:04 ?956次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    西門子S7-1200 G2的7大亮點及最新功能

    應用。以下是S7-1200 G2最新功能的詳細介紹,基于公開信息和技術文檔整理: 一、硬件設計優化 1. 更緊湊的體積 設計特點:S7-1200 G2 采用全新硬件設計,模塊化結構。 空間節省:導軌占用率減少約 25%,顯著節省
    的頭像 發表于 07-03 17:04 ?3584次閱讀
     西門子<b class='flag-5'>S7-1200</b> G2的<b class='flag-5'>7</b>大亮點及最新功能

    新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝
    的頭像 發表于 05-16 17:08 ?938次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 儲能用<b class='flag-5'>1200V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC2 三電平<b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發射極
    的頭像 發表于 05-13 17:04 ?1502次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發射極<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

    在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的頭像 發表于 04-29 14:43 ?1168次閱讀

    新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

    新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為Si
    的頭像 發表于 04-17 17:05 ?952次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 半橋<b class='flag-5'>1200V</b> CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3<b class='flag-5'>模塊</b>

    陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

    陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產品型號為YGK40N120TMA1。
    的頭像 發表于 03-11 16:17 ?1042次閱讀
    陸芯科技推出<b class='flag-5'>1200V40A</b> GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b>單管