來源：鉅亨網

鴻海（富士康）研究院半導體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。

第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性，較現有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等材料具有顯著優勢，這些特性使得氧化鎵特別適用于電動車、電網系統、航空航太等高功率應用場景。

鴻海認為，氧化鎵元件將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化硅元件競爭。目前中國、日本和美國在氧化鎵研究領域處于領先地位。其中，日本已實現 4 英寸和 6 英寸氧化鎵晶圓的產業化，而中國多家科研機構和企業也在積極推進相關研究與產品開發。

本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，利用磷離子布植和快速熱退火技術實現了第四代半導體 P 型 Ga2O3 的制造，并在其上重新生長 N 型和 N+ 型 Ga2O3，形成了 PN Ga2O3 二極體，結果展示出優異的電性表現，這一突破性技術除了能大幅提升元件的穩定性和可靠性，并顯著降低電阻。

此次鴻海研究院與陽明交大電子所通力合作研究成果已發表于高影響力指數 (impact paper) 的國際頂級材料科學期刊“Materials Today Advances”。Materials Today Advances 在 2023 年的影響力指數達到 10.25，并在材料科學領域的 SJR (Scimago Journal & Country Rank) 中排名前 25%。

論文詳細闡述了這種新型 Ga2O3 PN 二極體的制作過程和性能特征。實驗結果顯示，該元件具有 4.2 V 的開啟電壓和 900 V 的擊穿電壓，展現出元件優異的高壓耐受性能。此次的技術突破，將為中國臺灣在全球化合物半導體產業中的領先地位增添優勢，也為未來的高壓半導體應用開創新的可能，也再次證明了鴻海在技術創新和產業發展上的卓越能力。

展望未來，鴻海研究院表示，隨著氧化鎵技術的進一步發展，可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領域中有更廣泛應用，將繼續致力于此領域的研究，為全球技術創新和產業進步做出更大的貢獻。

【近期會議】

10月30-31日，由寬禁帶半導體國家工程研究中心主辦的“化合物半導體先進技術及應用大會”將首次與大家在江蘇·常州相見，邀您齊聚常州新城希爾頓酒店，解耦產業鏈市場布局！https://w.lwc.cn/s/uueAru

11月28-29日，“第二屆半導體先進封測產業技術創新大會”將再次與各位相見于廈門，秉承“延續去年，創新今年”的思想，仍將由云天半導體與廈門大學聯合主辦，雅時國際商訊承辦，邀您齊聚廈門·海滄融信華邑酒店共探行業發展！誠邀您報名參會：https://w.lwc.cn/s/n6FFne

聲明：本網站部分文章轉載自網絡，轉發僅為更大范圍傳播。 轉載文章版權歸原作者所有，如有異議，請聯系我們修改或刪除。聯系郵箱：viviz@actintl.com.hk， 電話：0755-25988573

審核編輯 黃宇