文 | 國家級上海松江經濟技術開發區

圖 | 尼西半導體科技（上海）有限公司

把一片晶圓磨到只有35微米厚，是什么概念？相當于頭發絲直徑的一半。AOS萬國半導體旗下自有工廠—尼西半導體科技（上海）有限公司，已經建成全球首條35微米功率半導體超薄晶圓工藝及封裝測試生產線。這一厚度突破讓功率芯片的導通電阻和熱阻大幅降低，顯著提升了器件的能效與散熱性能，為新能源汽車、5G基站等高功率密度應用場景提供了核心支撐。

圖｜晶圓制造過程

豆腐上繡花，35微米見真章

晶圓越薄，性能越好，但加工難度也直線上升。晶圓薄到50微米以下后，脆得像薯片，稍微受力就可能裂開。尼西半導體通過和設備供應商一起攻關，把加工精度控制在35±1.5微米，碎片率壓到0.1%以內。把研磨產生的應力損傷，通過化學腐蝕消除掉92%。切割環節也換了思路，不用傳統刀片，用定制化激光切，熱影響區小，切出來的良率達到98.5%。整個過程好比在豆腐上繡花，稍有不慎就前功盡棄。

40%、60%、5倍，薄芯片的三本賬

芯片做薄了，好處直接體現在電和熱上。載流子跑通芯片的時間縮短40%，發熱量下降，導通損耗就少了。熱阻比100微米的標準品下降60%，相當于給芯片裝上了更好的散熱片。封裝環節也跟著受益——可以做雙面散熱，模塊熱阻再降30%，功率循環壽命翻了5倍。成本賬也算得過來：同樣一片晶圓，切出來的芯片數量多出20%，手機快充模塊體積能砍掉一半，電動汽車的電控單元還能減重3公斤。

產線背后的“硬核天團”

這條產線的穩定運行，依托于研發人員在一系列關鍵設備上的開發和專研，以及生產過程中精良的工藝管控。鍵合機用于晶圓與玻璃載片的臨時鍵合，對位誤差控制在120微米以內，單日產能約400片。研磨機加工精度達0.1微米，片內厚度偏差小于2微米。激光切割機切縫寬度僅11微米，相較傳統刀片切割可提升約10%的芯片有效面積利用率。解鍵合機通過激光實現玻璃與晶圓分離，并配套去膠工藝，破片率較低且化學品使用量小。從鍵合、研磨、切割到測試環節，產線均配備專用設備，其中測試環節單日產出可達12萬顆成品。此外，該產線中的關鍵設備由公司工程師與國內設備廠商聯合研發，通過協同創新實現了核心裝備的自主可控，填補了國內相關技術空白。

通過精密減薄、激光切割等核心工藝，35微米超薄晶圓技術將晶圓加工從“被動減薄”升級為“主動功能化”，使芯片在電熱性能、封裝密度上同步提升。該產線為國產器件進入高壓平臺、快充等市場提供了量產底座。

關于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：萬國半導體） 是專注于設計、開發生產與全球銷售一體的功率半導體公司，產品包括Power MOSFET、SiC、GaN、IGBT、IPM、TVS、高壓驅動器、功率IC和數字電源產品等。AOS積累了豐富的知識產權和技術經驗，涵蓋了功率半導體行業的最新進展，使我們能夠推出創新產品，滿足先進電子設備日益復雜的電源需求。AOS的差異化優勢在于通過其先進的分立器件和IC半導體工藝制程、產品設計及先進封裝技術相結合，開發出高性能的電源管理解決方案。AOS 的產品組合主要面向高需求應用領域，包括便攜式計算機、顯卡、數據中心、AI 服務器、智能手機、面向消費類和工業類電機控制、電視、照明設備、汽車電子以及各類設備的電源供應。請訪問AOS官網 www.aosmd.com，了解更多產品相關信息。