安建成功入圍口頭報告

在前不久結束的ISPSD2024 征稿評比中，安建半導體以工作單位獨立參加碳化硅領域投稿，在口頭報告錄取率僅只有12.4%的激烈角逐下，成功入圍口頭報告，再次證明了安建半導體的技術和創新能力。

第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會于2024年6月2日-6日在德國不來梅舉行。安建研發經理劉永博士受邀出席此次會議，并作關于1200V-class SiC器件技術突破的口頭報告(oral presentation)，向國際專家、學者等展示公司產品技術進展。安建半導體自成立以來，高度重視碳化硅產品的技術創新，并搭建了完整的器件設計、測試、可靠性驗證管理系統。

關于ISPSD

ISPSD會議 (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應用的所有方面，是功率半導體器件和功率集成電路領域在國際上最重要、最具影響力的頂級學術會議，被認為是功率半導體器件和集成電路領域的奧林匹克會議，一直以來都是國內外產業界和學術界爭相發表重要成果的舞臺。

關于

關于安建

安建半導體(JSAB Technologies Limited)是一家專門從事功率半導體元器件產品設計、研發及銷售的高科技公司。安建半導體致力于為客戶提供國際一流、國內領先的功率半導體器件。