ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布，其首臺High-NA（高數值孔徑）設備已經打破了之前創下的記錄，再次刷新了芯片制造密度的標準。

經過進一步調整，ASML已經使用其High-NA EUV機器打印出8nm密集線條，這是專為生產環境設計的機器的密度記錄。這一記錄超過了該公司在2024年4月初創下的10nm密集線條的記錄。

ASML前總裁兼首席技術官Martin van den Brink，目前擔任該公司顧問，提出了Hyper-NA（超數值孔徑）芯片制造工具的激進方案。

該方案旨在通過進一步擴展High-NA產品線，來打印更小的特征尺寸，從而滿足日益增長的芯片性能需求。

Hyper-NA系統將使用相同波長的光，但將NA（數值孔徑）擴大到0.75 ，以實現打印更小的特征尺寸。盡管具體的臨界尺寸尚未確定，但ASML給出的晶體管時間表顯示，它正在從16nm金屬間距向10nm擴展。

Martin van den Brink還概述了一項計劃，通過大幅提高未來ASML工具的速度到每小時 400到500個晶圓（wph） ，這是目前200 wph峰值的兩倍多，從而降低EUV芯片的制造成本。

他還為ASML未來的EUV工具系列提出了一種模塊化統一設計，這可能有助于提高生產效率和靈活性。