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美光宣布將在日本廣島建設(shè)DRAM工廠

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-28 15:06 ? 次閱讀
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據(jù)日媒報道,美國美光科技公司將斥資6000~8000億日元(約合277.2~369.6億元人民幣)在日本廣島新建一座DRAM內(nèi)存晶圓廠。該廠預(yù)計(jì)將于2026年破土動工,并于2027年底投入運(yùn)營。

據(jù)悉,新廠將采用EUV光刻機(jī)技術(shù),并計(jì)劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma(nm)節(jié)點(diǎn)引入EUV光刻技術(shù)。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期,新廠有望具備生產(chǎn)1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。

原本,美光希望在今年啟動新廠運(yùn)營,以便在2025年量產(chǎn)后迅速擴(kuò)大1-gamma DRAM的產(chǎn)能。然而,受半導(dǎo)體行業(yè)尤其是存儲領(lǐng)域衰退影響,美光已調(diào)整投資計(jì)劃,放慢了產(chǎn)能擴(kuò)張步伐。

值得注意的是,新廠建設(shè)費(fèi)用中的一部分將由日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省提供補(bǔ)貼,最高金額可達(dá)1920億日元(約合88.7億元人民幣)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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