SemiQ 在其碳化硅 (SiC) N 溝道 MOSFET 產品組合中添加了一組全波 H 橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應用而設計。它們針對超低開關損耗進行了優化，從而提高了效率并降低了功耗。高效率、高結溫耐受性和陶瓷封裝可減少散熱并提高機械布局靈活性。

陶瓷封裝可將散熱器直接安裝在隔離導熱墊上。電氣引腳觸點為通孔壓接連接，零件總占地面積為 62.8 mm x 33.8 mm x 12 mm。在完整的 H 橋模塊中提供組件可降低裝配成本并減少開關損耗。

專業產品線的重要補充

這五個器件 — GCMX020A120B2H1P、GCMX040A120B2H1P、GCMX080A120B2H1P、GCMX020A120B3H1P 和 GCMX040A120B3H1P — 額定電壓均為 1,200 V，擊穿電壓超過 1,400 V，最大結溫為175°C。

它們都采用相同的陶瓷壓接通孔封裝。GCMX080A120B2H1P 的最大電流容量范圍為 27 A，GCMX020A120B2H1P 的最大電流容量為 102 A。SemiQ 擁有廣泛的高功率 SiC 器件系列，包括分立 MOSFET、肖特基二極管和半橋模塊。添加完整的 H 橋 SiC 模塊使高功率電子產品的設計人員能夠減少零件數量、縮小產品尺寸并獲得更高效的冷卻。

當分立 H 橋中的一個 MOSFET 測試不佳時，只需剔除出現故障的部分。在一個模塊中，一個壞部件就需要丟棄整個橋。SemiQ 認識到這一風險，并通過晶圓級測試和老化來降低風險。SemiQ 使用這些晶圓級測試來確保整個模塊的柵極氧化物質量和穩定的柵極閾值電壓。

老化和測試還評估柵極應力、高溫反向偏壓漏極應力、高濕度、高電壓和高溫可靠性。其結果是汽車級和工業級產品具有慷慨的環境空間和早期故障的可能性較低。

SiC MOSFET 在直流應用中展現出主要優勢

新型 SiC MOSFET 適用于功率密集型直流應用，例如太陽能逆變器、電動汽車充電器、儲能系統和 DC-DC 轉換器。所有這些應用都需要高電壓、高開關頻率和高功率容量。SemiQ 專為需要高開關頻率和高工作電壓帶來的效率的高功率應用設計了新產品線。

可再生能源和大量服務器電源需求屬于直流領域。不幸的是，直流電壓轉換比用于交流電的簡單耦合電感變壓器復雜得多。直流電壓轉換需要開關模式電源 (SMPS)。如果半導體材料能夠跟上，更高的開關頻率可以提供更好的效率。SiC 是比硅更耐用的材料之一。這些部件使 SMPS 效率從 90% 范圍提高到 98% 范圍。

這不僅僅是 8% 的改進。開關損耗是造成電力浪費和熱量的原因。在傳統半導體中，損耗約為電流的 10%。其余 90% 正在辦理申請。SiC 傳遞了 90% 的損失以及 80% 的損失。這意味著電流增加 8%，但浪費和熱量減少 80%。

雖然直流電被用作電子設備的終端電源，但大多數電動汽車仍然使用交流電機，因為它們具有卓越的效率。這些電動機的運行電壓范圍為 300–600 V。如果沒有如此高的電壓，50+ kW 電動機的電流消耗將使接線、散熱器和電動機變得太重而無法實用。SiC 器件(例如 SemiQ 的五個新型 1,200V 全橋四路 MOSFET)可以比標準硅更有效地處理負載。