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東芝半導體擴展80V/100V車載N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品線

東芝半導體 ? 來源:東芝半導體 ? 2024-04-20 10:51 ? 次閱讀
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用于輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統(tǒng)和接線盒的負載開關以及半導體繼電器,要求產(chǎn)品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設計。面對這樣的需求,東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品—80V“XPQR8308QB”和100V“XPQ1R00AQB”。

這兩款產(chǎn)品采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝,導通電阻極低。此外,L-TOGL封裝采用銅夾片結構,通過厚銅框連接MOSFET芯片和外部引腳。與東芝現(xiàn)有TO-220SM(W)封裝相比,封裝電阻下降大約70%,結殼熱阻降低50%。同時,該封裝采用鷗翼式引線,可降低安裝應力,提高板載貼裝器件焊點可靠性。這些特性可在大電流時實現(xiàn)設備的低功耗和高散熱,滿足汽車設備對48V電池日益增長的需求。

當應用需要更大工作電流時,可以并聯(lián)MOSFET。在這種并聯(lián)連接中,并聯(lián)MOSFET的特性差異越小越好。為減小這種偏差,我們支持根據(jù)柵極閾值電壓分組發(fā)貨。

本系列目前有四種L-TOGL封裝產(chǎn)品,包括東芝現(xiàn)有40V產(chǎn)品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。

該兩款產(chǎn)品可應用于汽車設備當中,包括逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅(qū)動電路等。產(chǎn)品特性如下:

? 低導通電阻:

XPQR8308QB RDS(ON)=0.83mΩ(最大值)(VGS=10V)

XPQ1R00AQB RDS(ON)=1.03mΩ(最大值)(VGS=10V)

?L-TOGL高散熱封裝

?AEC-Q101認證

b90e0e98-fe3e-11ee-a297-92fbcf53809c.jpg

主要規(guī)格

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b9224b4c-fe3e-11ee-a297-92fbcf53809c.png

內(nèi)部電路

應用電路示例

東芝將提供更多合適的產(chǎn)品,以滿足車載應用對大電流、高功率密度設計和高可靠性不斷增長的需求。



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:東芝80V/100V車載N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品線擴展,適用大電流、高散熱車載應用

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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