揚杰科技發(fā)布一款應用于汽車PTC的80A/1200V IGBT單管
產(chǎn)品介紹
1.TO-247封裝80A/1200VIGBT單管；
2.電壓等級為1200V，電流等級80A@Tc=100℃；
3.主要用于汽車PTC；
4.滿足AEC-Q101車規(guī)標準；
5.采用環(huán)保物料，符合RoHS標準；
產(chǎn)品特點
1.最高結溫Tjmax=150℃;
2.正溫度系數(shù)；
3.具有1200V的高耐壓；
4.滿足車規(guī)標準，高穩(wěn)定性高可靠性；
5.可選配續(xù)流二極管；
電性參數(shù)
封裝尺寸圖
應用
汽車PTC
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
IGBT
+關注
關注
1288文章
4331瀏覽量
263037 -
PTC
+關注
關注
5文章
316瀏覽量
44030 -
續(xù)流二極管
+關注
關注
5文章
145瀏覽量
14957 -
揚杰科技
+關注
關注
1文章
157瀏覽量
12277
原文標題：新品發(fā)布——應用于汽車PTC的80A/1200V IGBT單管
文章出處：【微信號：yangjie-300373，微信公眾號：揚杰科技】歡迎添加關注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
森國科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管
深圳市森國科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應用于1200V/1A碳化硅二極管，這
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析
的6ED2231S12T，一款具備集成自舉二極管和過流保護（OCP）功能的1200V三相柵極驅(qū)動器。 文件下載： 6ED2231S12T.pdf 產(chǎn)品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
STGSH80HB65DAG汽車級IGBT技術深度解析與應用指南
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有兩個IGBT和二極
揚杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管
揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊
CoolSiCMOSFET技術1200V、17mΩ，配備NTC和PressFIT壓接技術。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術1200V、100A，配備
如何選擇 1200V SiC（碳化硅）TO-247 單管的耐高溫絕緣導熱墊片？
近期，華為旗下海思技術有限公司正式進軍碳化硅功率器件領域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場
揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，
揚杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊：高性能與可靠性的完美結合
的設計，成為工業(yè)逆變器、伺服驅(qū)動和不間斷電源等應用的理想選擇。本文將為您詳細介紹這款產(chǎn)品的關鍵特性和應用優(yōu)勢。 產(chǎn)品概述 DGW40N120CTLQ是一款1200V/40A的IGBT分
揚杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊：大功率應用的可靠選擇
應用設計的高性能解決方案。憑借其先進的溝槽技術和優(yōu)異的電氣特性，這款模塊成為電機驅(qū)動、UPS系統(tǒng)等領域的理想選擇。 產(chǎn)品概述 MG75HF12TLC1是一款電壓等級為1200V、額定電流75A的
揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊：高效能電力電子解決方案
極型晶體管（IGBT）和快速恢復二極管（FWD），適用于多種高功率應用場景，展現(xiàn)了揚杰電子在功率
JSAB推出應用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管
JSAB正式推出應用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管，產(chǎn)品采用TO-263T 4L封裝，封裝型號為650V-30A及以下、1200V-2
龍騰半導體推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速發(fā)展的當下，如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業(yè)關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系
派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應用可靠性
派恩杰半導體上新 ；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內(nèi)置二極管提升高頻應用可靠性！
陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論