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英偉達(dá)攜手臺(tái)積電、新思科技,力推下一代半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-19 11:41 ? 次閱讀
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3 月 19 日消息,英偉達(dá)發(fā)布公告,展示了臺(tái)積電與新思科技聯(lián)手引入英偉達(dá)計(jì)算光刻技術(shù),進(jìn)一步推進(jìn)高端半導(dǎo)體芯片制造的發(fā)展。這一合作旨在結(jié)合各自行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù),促成芯片研發(fā)與生產(chǎn)的突破性進(jìn)展。

英偉達(dá)與臺(tái)積電、 Synopsys 已做出決策,將在其軟件環(huán)境、制造工藝以及系統(tǒng)上整合英偉達(dá)的 cuLitho 計(jì)算光刻平臺(tái)。此舉旨在大幅提升芯片制造速率,并為英偉達(dá)即將推出的 Blackwell 架構(gòu) GPU 鋪平道路。

在此次 GTC 開發(fā)者大會(huì)上,黃仁勛表示:“計(jì)算光刻技術(shù)是芯片制造業(yè)必不可少的基石。我們和臺(tái)積電、Synopsys 聯(lián)手創(chuàng)立的 cuLitho 采用了加速計(jì)算與生成式人工智能技術(shù),為半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)開創(chuàng)了新的可能性?!?/p>

此外,英偉達(dá)還首度公布了全新的生成式人工智能算法,對(duì) cuLitho 這個(gè)專門用于 GPU 加速計(jì)算光刻技術(shù)的庫(kù)進(jìn)行補(bǔ)充強(qiáng)化。根據(jù)對(duì)比現(xiàn)有基于 CPU 的方法,該算法顯示能有效提升半導(dǎo)體制造工藝水平。

據(jù)了解,在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,計(jì)算光刻是最繁重的工作負(fù)荷,每年需消耗大量 CPU 運(yùn)算時(shí)間。以典型掩模集的計(jì)算為例,平均每項(xiàng)任務(wù)需花費(fèi) 3000 萬(wàn)小時(shí)的 CPU 時(shí)間,由此可見半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)通常需要設(shè)立大型數(shù)據(jù)中心。

而今,搭載著 350 個(gè)英偉達(dá) H100 系統(tǒng)的生產(chǎn)流程,可以替代 40,000 個(gè) CPU 系統(tǒng),有助于縮短生產(chǎn)時(shí)間,減少成本投入、節(jié)約空間占用及能源消耗。

據(jù)英偉達(dá)聲明,臺(tái)積電利用 cuLitho 的效率已經(jīng)有所體現(xiàn),雙方攜手成功提升了曲線流程速度(curvilinear flow)約 45 倍,傳統(tǒng)曼哈頓流程(Manhattan style flow)則提升近 60 倍。

為了進(jìn)一步提高 cuLitho 平臺(tái)的價(jià)值,英偉達(dá)通過(guò)應(yīng)用生成式人工智能算法構(gòu)建了接近完善的反向掩膜或逆向解法,更好地應(yīng)對(duì)光的衍射問題。這種算法通過(guò)物理方法得出最終的光罩,使得光學(xué)近似校正(OPC)流程的速度提高至之前的兩倍。

當(dāng)前的晶圓廠工藝中,大多數(shù)變化均需改進(jìn) OPC,這無(wú)疑加大了計(jì)算負(fù)擔(dān),增設(shè)了晶圓廠開發(fā)周期中的瓶頸。英偉達(dá)的 cuLitho 借助加速計(jì)算與生成式人工智能技術(shù),成功緩解了這些成本與阻礙因素,進(jìn)入可以更好地分配計(jì)算資源、工具等水平,為設(shè)計(jì)更為創(chuàng)新的2 納米及其之后的新技術(shù)方案提供條件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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