在磁盤冗余陣列(RAID)之前,人們通常使用單塊磁盤保存數(shù)據(jù)。單塊磁盤讀寫性能低,且容易發(fā)生故障。RAID將多個(gè)物理磁盤配置為統(tǒng)一的邏輯單元,并且提供冗余操作,可提升存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀寫性能和可靠性。
如下圖所示,RAID元數(shù)據(jù)記錄了物理磁盤的數(shù)量和存儲(chǔ)容量、每塊物理磁盤的起始地址等信息。除元數(shù)據(jù)之外,RAID控制器還需持續(xù)記錄系統(tǒng)日志,以便跟蹤主機(jī)和磁盤之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包,避免異常掉電引起的數(shù)據(jù)丟失問題。

傳統(tǒng)非易失存儲(chǔ)器的擦寫壽命不能滿足RAID應(yīng)用場景要求。國芯思辰磁存儲(chǔ)器專為需要極高數(shù)據(jù)可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有萬億次擦寫壽命,非常適合RAID應(yīng)用場景。
HS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V,待機(jī)電流只有2mA,休眠電流僅有2μA,可以很好的節(jié)省系統(tǒng)運(yùn)行器件的電量消耗。從耐久度上來看,HS4MANSQ1A-DS1在105℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留10年以上,85℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留20年以上,性能完全足夠RAID應(yīng)用。

HS4MANSQ1A-DS1容量為4Mbit,支持SPI/QPI(串行單線/四線接口)模數(shù)。芯片可配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口,SOP8封裝,可以保證RAID長期穩(wěn)定的運(yùn)行。
注:如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。
-
RAID
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
290瀏覽量
37666 -
控制卡
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
61瀏覽量
13480 -
MRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
250瀏覽量
32913 -
國芯思辰
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1184瀏覽量
2374
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)
高速信號(hào)傳輸利器:DS10BR254 1.5 Gbps 1:4 LVDS 中繼器解析
Infineon FM24V10 1-Mbit 串行 F-RAM:高性能非易失性存儲(chǔ)器的理想之選
深入解析Infineon FM24V10 1-Mbit Serial (I2C) F-RAM
FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析
X4DS35Z1-100G差分分路器Anaren
服務(wù)器數(shù)據(jù)恢復(fù)—5盤RAID5中的4盤重建RAID5,RAID5數(shù)據(jù)恢復(fù)秘籍!
FZH501A 適用于 LED 顯示屏系統(tǒng)中控制卡與顯示模組間的數(shù)據(jù)交互的 雙向總線收發(fā)器
MRAM存儲(chǔ)器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢介紹
?TPS65296 完整 LPDDR4/LPDDR4X 內(nèi)存電源解決方案技術(shù)文檔總結(jié)
圖像信號(hào)分析處理卡設(shè)計(jì)原理圖:536-基于FMC接口的XCZU7EV 通用PCIe卡 視覺處理卡 工業(yè)控制卡
DS28E10 1-Wire SHA-1認(rèn)證器技術(shù)手冊(cè)
DS28E25內(nèi)置1-Wire SHA-256和4Kb用戶EEPROM的DeepCover安全認(rèn)證方案
4Mbit磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1在RAID控制卡中的應(yīng)用方案
評(píng)論